Pickup keyword
トランジスタ
-
TOYOTA、新型車ルーミーならびにタンクを発売 −ミニバンの魅力をコンパクトカーに凝縮したトール2BOX誕生− 【主な特長】 ・コンパクトでありながら広々とした室内空間と、快適で多彩なシートアレンジ ・最小回転半径4.6mと、コンパクトならではの小回りのきく取り回し ・乗り降りしやすいワンタッチオープン機能付パワースライドドアを採用 ・1.5Lクラス相当のトルクを幅広い回転域で発揮する新開発1.0Lターボエンジン搭載車を設定 ・5つの機能を備えた衝突回避支援システム「スマートアシストII(*1)」を搭載 ・「品格と艶やかさ」を表現したルーミー(*2)、「ダイナミックさとアグレッシブさ」を...
-
テクトロニクス、ケースレーのS540型パワー半導体テスト・システムを発表
テクトロニクス、ケースレーのS540型パワー半導体テスト・システムを発表 〜SiC、GaNなど、最新のパワー半導体デバイスのための最大3kVの完全自動、高速ウェハレベルのパラメトリック・テスト・ソリューション〜 テクトロニクス(代表取締役 米山 不器)は、本日、ケースレー S540型パワー半導体テスト・システムを発表します。S540型は、完全自動、48ピン対応のパラメトリック・テスト・システムであり、最大3kVのパワー半導体デバイスのウェハレベルのテストが行えます。SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)など、最新の化合物パワー半導体材料での使用に最適であり、一度のプロービングで高電圧、低電圧、...
-
シリコン・ラボラトリーズ、CMOSベースの絶縁型FETドライバー「Si875x」ファミリーを発表
シリコン・ラボ、CMOSベース絶縁技術を用いた業界初のSSRソリューションの新製品「Si875x」ファミリを発表 Si875x絶縁型FETドライバシリーズが、産業・車載向けリレーの代替コストと複雑性を軽減 シリコン・ラボラトリーズ(本社: 米テキサス州オースチン、Nasdaq: SLAB、以下:シリコン・ラボ)は、CMOSベースの絶縁型FET(電界効果トランジスタ)ドライバの新製品「Si875x」ファミリを発表しました。Si875xファミリによって、従来のEMR(エレクトロメカニカルリレー)やフォトカプラ型SSR(ソリッドステートリレー)を、用途に応じた量産FETに置換えることができます。Si875xファミリは、業界初の絶縁型FETドライバ製品...
-
東工大と東北大など、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明 ―超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道― 【概要】 東京工業大学元素戦略研究センター(センター長 細野秀雄教授)の清水荘雄特任助教と物質理工学院兼同センターの舟窪浩教授、東北大学金属材料研究所の今野豊彦教授と木口賢紀准教授、物質・材料研究機構 技術開発・共用部門坂田修身ステーション長らの研究グループは、スマホやパソコンのトランジスタ(スイッチ)に使われている酸化ハフニウムを基本組成とした、強誘電体の電源を切った時に貯められる電気の量や、使用可能な温度範囲といった基礎特性を解明した。 結晶方位を制御した単結晶薄膜を電極上に作...
-
世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 −省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ− 金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループ(薄膜電子工学研究室)は、国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイス研究チームの山崎聡招へい研究員、加藤宙光主任研究員、株式会社デンソーの小山和博担当課長らとの共同研究により、世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し、その動作実証に成功しました。 省エネルギー・低炭素社会の実現のためのキーテクノロジーとして次世代パワーデバイ...
-
名大など、有機半導体に欠かせない「縮環チオフェン」の簡便な合成法を開発
有機半導体に欠かせない、「縮環チオフェン」の 簡便な合成法の開発 <ポイント> ○縮環チオフェンは有機半導体に欠かせない分子群。 ○しかし、これまで簡便なチオフェン縮環反応は存在しなかった。 ○容易に手に入る芳香族化合物誘導体と硫黄を有機溶媒中で加熱しながら撹拌するだけで、縮環チオフェンを合成できる反応を開発! JST戦略的創造研究推進事業において、ERATO伊丹分子ナノカーボンプロジェクト、名古屋大学 大学院理学研究科、名古屋大学 トランスフォーマティブ生命分子研究所(WPI−ITbM)、統合物質創製化学研究推進機構の伊丹 健一郎 教授、瀬川 泰知 特任准教授、孟 令奎 博士らの研究グルー...
-
東北大と東大など、マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功
マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功 −大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に寄与− 【成果のポイントと概要】 ・特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子(注1)を作製することに世界で初めて成功。 ・結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。 ・次世代の低消費電力・大容量・高速なMRAM開発に寄与する成果。 内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)佐橋 政司プログラム・マネージャーの研究開発プログラムの一環として、東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI...
-
エプソン、16ビットフラッシュメモリー内蔵マイコンのサンプル出荷を開始
最大56mA(※1) LED駆動に対応、 16ビットフラッシュメモリー内蔵マイコン『S1C17M13』サンプル出荷開始 −7セグメントLEDコントローラー搭載、FA・住宅設備の表示付き制御パネルに最適− *製品画像は添付の関連資料を参照 セイコーエプソン株式会社(社長:碓井 稔、以下エプソン)は、オリジナル16ビットフラッシュメモリー内蔵マイコンの新商品として、最大56mA(※1) LED駆動に対応した『S1C17M13』を商品化、このたびサンプル出荷を開始しました。2017年3月に量産出荷を開始し、月産20万個を予定しています。 『S1C17M13』のTQFP12−48ピンパッケージのサンプル価格は230円(...
-
日本TI、航空宇宙アプリケーション向けにDDRメモリ用終端リニア・レギュレーター製品を発表
日本TI、航空宇宙アプリケーション向けに、業界初のDDRメモリ用終端リニア・レギュレータ製品を発表 超小型フォーム・ファクタに包括的な機能を集積、放射線耐性を強化した電源管理デバイス ※参考画像は添付の関連資料を参照 日本テキサス・インスツルメンツは、航空宇宙アプリケーション向けに、業界初のDDR(ダブル・データ・レート)メモリ用終端リニア・レギュレータ製品を発表しました。新製品の『TPS7H3301−SP』は、最大65MeV−cm2/mg(メガ電子ボルト/平方センチメートル/ミリグラム)のシングルイベント効果への放射線耐性を備えた業界唯一のDDR用レギュレータ製品であり、宇宙衛星に搭載する シングルボー...
-
世界最高精度を持つギガヘルツ高速単電子転送を実証 〜電流の物差しである高精度電流標準実現に向けて前進〜 日本電信電話株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:鵜浦博夫、以下 NTT)は、英国国立物理学研究所(National Physical Laboratory:NPL)と共同で、シリコントランジスタ(※1)から成る単電子転送素子(電子を一つずつ正確に運ぶ素子)を1ギガヘルツ(109Hz:GHz)の高速で動作させた際の、精密な精度評価を行い、ギガヘルツ領域での世界最高精度(9.2×10−7以下のエラー率(※2))の実証に成功しました。 単電子転送素子の高精度化は、精度の高い電流の生成に繋がるため、電流の物差しに対応...
-
東芝、高速で低消費電力な1Xnmサイズの不揮発性STT−MRAM用MTJ素子を開発
世界初、2Xnm世代以降トランジスタ向けに高速で低消費電力な1Xnmサイズの不揮発性STT−MRAM用MTJ素子を開発 ■概要 当社は、将来の高性能・低消費電力コンピューティングに必要なキャッシュメモリ向けに、2Xnm世代以降のシリコントランジスタで製造可能な不揮発性磁性体メモリSTT−MRAM用MTJ(Magnetic tunnel junction)素子を開発しました。 キャッシュメモリ用途として要求される3ns以下の高速動作性と100uA以下の低電流動作特性を、世界で初めて1XnmまでのMTJ素子で実現しました。本メモリを使うことで、従来のキャッシュメモリ(SRAM)と比較して消費電力を低減することが可能になります。本技術の詳細について、米国ハワイで開...
-
東芝、小面積で低価格の不揮発FPGAを実現する回路技術を開発
小面積で低価格の不揮発FPGAを実現する回路技術を開発 ■概要 当社は、カスタムLSIに集積可能でチップ製造後にユーザーにて回路情報を書き換えることができるFPGA(field−programmable gate array)について、不揮発メモリの技術を応用することで、従来よりも小面積、かつ低価格で製造できる回路技術を開発しました。本技術の詳細を、ホノルルで開催される半導体デバイスに関する国際会議「VLSI技術シンポジウム2016」にて、6月14日(現地時間)に発表します。 ■開発の背景や市場動向 近年、IoTの普及などにより半導体に求められる用途が多様化しています。また、カスタムLSIの開発費は著しく増大し、用途に応じた細やかな回...
-
パテント・リザルト、「石油・エネルギー業界 他社牽制力ランキング2015」を発表
【石油・エネルギー業界】他社牽制力ランキング2015 トップ3は出光興産、大阪ガス、JXエネルギー 株式会社パテント・リザルトはこのほど、独自に分類した石油・エネルギー業界の企業を対象に、2015年の特許審査過程において他社特許への拒絶理由として引用された件数を企業別に集計した「石油・エネルギー業界 他社牽制力ランキング2015」をまとめました。この集計により、直近の技術開発において競合他社が権利化する上で、阻害要因となる先行技術を多数保有している先進的な企業が明らかになります。 集計の結果、2015年に最も引用された企業は、出光興産の718件、次いで大阪ガスの619件、JXエ...
-
NXPセミコンダクターズ、携帯電話基地局向け高性能GaN RFパワー・トランジスターを発表
NXP、携帯電話基地局向け高性能GaN RFパワー・トランジスタを発表 ドハティ・アンプ向けに最適化した4つの新トランジスタ、 次世代RFパワーアンプで要求される高出力、小サイズ、高周波数を実現 NXPセミコンダクターズN.V.は、現行/次世代の携帯電話基地局で使用されるドハティ・パワーアンプ向けに最適化した48V窒化ガリウム(GaN)RFパワー・トランジスタの製品ラインナップを拡充したと発表しました。4つの新トランジスタは全体で1,805〜3,600MHzの携帯電話周波数帯をカバーしており、高周波数と高性能を求める携帯電話事業者のニーズに対応しています。 携帯電話のトラフィックの急激な増加に伴う無線周波...
-
パテント・リザルト、「大学・研究機関 他社牽制力ランキング2015」を発表
【大学・研究機関】他社牽制力ランキング2015 トップ3は産総研、JST、東北大 株式会社パテント・リザルトはこのほど、大学・研究機関を対象に、2015年の特許審査過程において他社特許への拒絶理由として引用された件数を機関別に集計した「大学・研究機関 他社牽制力ランキング2015」をまとめました。この集計により、直近の技術開発において競合他社が権利化する上で、阻害要因となる先行技術を多数保有している先進的な機関が明らかになります。 集計の結果、2015年に最も引用された機関は、産業技術総合研究所の1,255件、次いで科学技術振興機構の572件、東北大学の276件となりました。 ...
-
STマイクロ、HEV/EVの電子化を加速させる先進的なSiCパワー半導体を発表
STマイクロエレクトロニクス、 HEV/EVの電子化を加速させる先進的なSiCパワー半導体を発表 ・車載パワー・モジュールをSiC化する製品が、対応車両を多様化し、利便性・信頼性を向上 ・先進的な6インチ・ウェハにより、自動車/車載機器メーカーに優れたSiCパワー半導体を提供 ・車載機器メーカーの新製品開発に合わせ、2017年初旬にAEC−Q101認定プログラムが完了予定 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、ハイブリッド自動車(HEV)および電気自動車(EV)向けに、先進的で高効率なSiCパワー半導体と共に、車載用製品規格であるAEC−Q101...
-
東北大、2メガビット磁気ランダムアクセスメモリー(STT−MRAM)の実証実験に成功
高集積・高歩留まり 2メガビット磁気ランダムアクセスメモリ (STT−MRAM)の実証実験に世界で初めて成功 単位メモリセル面積30%の低減と70%の歩留まり向上(対従来比)を同時に実現 【概要】 国立大学法人東北大学(総長:里見進/以下、東北大学)国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長(兼 同大学大学院工学研究科教授)のグループは、磁気トンネル接合素子(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)と相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)電界効果トランジスタとを接続するコンタクトホールの直上に、性能劣化なく磁気接合素子を成膜する技術の開発に世界で初めて成功いた...
-
NXPセミコンダクターズ、レーダー・IFFシステム向けLDMOSトランジスタ4製品を発表
NXP、防衛システム用航空宇宙通信/レーダーの性能を向上する トランジスタを発表 レーダー、敵味方識別(IFF)システム向けに最高のRF出力を実現 NXPセミコンダクターズは画期的なRF出力を実現する新しいLDMOSトランジスタ4製品を発表しました。新製品は900MHzから1400MHzで動作する防衛用レーダーや敵味方識別(IFF)システム向けにクラス最高の性能を提供します。現在、いくつかの防衛機器企業がこれらの新しい高性能トランジスタを使用し、システムの開発と評価を進めています。 新トランジスタ4製品は高いRF出力を実現しており、米国防省とその国際的なパートナーは使用デバイス数の低減と要求される性能の実現が可...
-
SII、車載用10V動作 1A/0.5A高出力電流LDOレギュレーターを発売
車載用10V動作、1A/0.5A高出力電流LDOレギュレータ「S−19244/19243シリーズ」を発売 〜豊富な製品タイプ(8タイプ)とパッケージ(5種類)から、最適なオプションを選択可能〜 ※参考画像は添付の関連資料を参照 セイコーインスツル株式会社(社長:村上 斉、本社:千葉県千葉市、以下:SII)の関連会社で、半導体の製造・販売を行うエスアイアイ・セミコンダクタ株式会社(社長:石合 信正、本社:千葉県千葉市、以下:エスアイアイ・セミコンダクタ)は、高温125℃動作、ソフトスタート機能搭載、車載用10V動作、1A/0.5A高出力電流LDOレギュレータ「S−19244/19243シリーズ」を...
-
東北大、永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電気的制御に成功
永久スピンらせん状態と逆永久スピンらせん状態間の電気的制御に成功 〜次世代省電力・高速演算スピンデバイスの実現へ期待〜 【概要】 国立大学法人東北大学大学院工学研究科 吉住 孝平博士前期課程学生(現 トヨタ株式会社)、好田 誠准教授、新田 淳作教授らの研究グループは、半導体量子井戸の精密な構造設計により、スピン演算素子に必要な永久スピンらせん状態(※1)と逆永久スピンらせん状態(※2)間の電界制御に成功しました。これら二種類の永久スピンらせん状態間を電界制御することにより、半導体中の電子スピンの情報を長時間・長距離保持することが可能となり、かつ正確に情報伝達することが可能とな...
-
東大、超薄板ガラスとキャリアガラスの常温接合と剥離技術の開発に成功
超薄板ガラスとキャリアガラスの常温接合と剥離技術の開発に成功 ■発表のポイント ◆ガラス基板同士を常温接合し、高温の加熱処理後に常温で剥離する新しい技術を開発しました。 ◆超薄型ガラスをキャリアガラス基板に接合し、液晶パネルの組み立て後、接合したガラスを基板から分離できるため、現在薄型液晶パネルの製造工程に採用されている高コスト高環境負荷のプロセス(フッ酸による化学研磨:スリミング工程)が必要なくなりました。 ◆この技術により、50μm(マイクロメータ)の超薄型液晶ディスプレイが実現し、製造プロセスの環境負荷も大幅に改善されることが期待されます。 ■発表概要: 東京大学大学...
-
ルネサス、システムの電力効率向上に貢献する第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を発売
業界最小レベルの超低損失特性を実現したことにより、システムの電力効率向上に貢献する第8世代IGBTを発売 〜太陽光発電パワーコンディショナやUPSなどの電力変換システム向けに、電力損失を極小化〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長兼 CEO:鶴丸 哲哉、以下ルネサス)は、太陽光発電のパワーコンディショナやUPS(無停電電源)システムのインバータ用途向けのパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の「G8Hシリーズ」を新たに製品展開いたします。 第8世代製品は特に、太陽光発...
-
NTTと東北大、スピン演算素子の実現につながる電子スピンの長距離輸送に成功
スピン演算素子の実現につながる電子スピンの長距離輸送に成功 〜外部電界を用いて電子スピンの向きを長時間保持〜 日本電信電話株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:鵜浦博夫、以下 NTT)と国立大学法人東北大学(宮城県仙台市、総長:里見 進、以下 東北大学)は、スピンの向きが長時間保持されるように構造設計した化合物半導体量子井戸(※1)を用いることで、これまで難しかった外部電界による電子スピン(※2)の長距離輸送に世界で初めて成功しました。本技術を用いることで、半導体中の電子スピンの向きをより安定に操作することが可能となり、量子コンピュータ(※3)や電界効果型スピントラン...
-
高温動作時における半導体パッケージの信頼性向上と長寿命化に貢献 業界初(※1)銅ワイヤ対応硫黄フリー封止材を製品化 長期耐熱性が要求される車載用、産業機器用半導体の銅ワイヤ化に貢献 パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、銅ワイヤボンディング[1]対応の業界初(※1)硫黄フリー(※2)封止材を製品化、2016年10月から量産を開始します。高温動作時における半導体パッケージの信頼性向上と長寿命化に貢献します。 半導体パッケージのボンディングワイヤとして、金に比べ高温環境下での接合信頼性が高く、市場価格の安定した銅が広く採用されるようになりました...
-
エスアイアイ・セミコンダクタ、EDLCのセルバランスと過充電保護に最適な車載用EDLC保護ICを発売
EDLCのセルバランスと過充電保護に最適な、車載用EDLC保護ICを発売 〜1セル単位の保護により、さまざまなセル数に対応可能〜 ※参考画像は添付の関連資料を参照 セイコーインスツル株式会社(社長:村上 斉、本社:千葉県千葉市、以下:SII)の関連会社で、半導体の製造・販売を行うエスアイアイ・セミコンダクタ株式会社(社長:石合 信正、本社:千葉県千葉市、以下:エスアイアイ・セミコンダクタ)は、EDLC(電気二重層コンデンサ)のセルバランスと過充電保護に最適な、車載用EDLC保護IC「S−19190シリーズ」を開発し、3月より受注を開始します。 「S−19190シリーズ」は、セルバランス(複数のセルの電圧を...
-
反強磁性体の新しい物理と応用を開拓 〜スピン・軌道相互作用を用いた磁化の制御に成功〜 ◆ポイント ・反強磁性体に電流を流すとスピン(磁気)の流れが生じることを発見 ・反強磁性/強磁性積層膜において無磁場下で電流による磁化反転を実証 ・超低消費電力集積回路の実現に加え、脳型情報処理応用にも光 内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)の佐橋政司プログラム・マネージャーの研究開発プログラム、及び文部科学省「未来社会実現のためのICT基盤技術の研究開発」の一環として、東北大学電気通信研究所の大野英男教授(同大学省エネルギー・スピントロニク...
-
パナソニック、CMOSイメージセンサーによる広ダイナミックレンジ化技術を開発
業界初(*1)、ダイナミックレンジ123dBの明暗差を鮮明かつ時間ずれなく撮影が可能に 有機薄膜を用いたCMOSイメージセンサによる広ダイナミックレンジ化技術を開発 *1:2016年2月3日、当社調べ 【要旨】 パナソニック株式会社は、有機薄膜(*2)を用いたCMOSイメージセンサを用いて、明暗差の大きいシーンを、従来比(*3)100倍のダイナミックレンジ[1]まで、時間差なく撮影できる、広ダイナミックレンジ化技術を開発しました。光電変換を行う有機薄膜と回路部での電荷蓄積機能を独立に設計可能な特長を活かし、従来は困難であった、ダイナミックレンジ123dBの明暗差のあるシーンの撮像においても...
-
三菱電機、「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT」のサンプル提供開始
ラインアップ拡大により移動通信システム基地局の多様なニーズに対応 「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT」 ラインアップ拡大のお知らせ 三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス(※1)の高出力・高効率を実現した「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT(※2)」4品種(マクロセル基地局用・スモールセル基地局用各2品種)のサンプル提供を2016年2月1日から順次開始します。 ※1 2015年12月22日時点、当社調べ ※2 Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用...
-
富士電機、パワー半導体の高速ディスクリートIGBT「High−Speed Wシリーズ」を発売
高速ディスクリートIGBT「High−Speed Wシリーズ」の発売について 富士電機株式会社(東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT(※)「High−Speed Wシリーズ」を発売しますのでお知らせいたします。 ※ディスクリート:トランジスタやダイオードといった単機能半導体素子 IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ) 1.背景 パワー半導体は、インバータや無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業機器や、電気・ハイブリッド自動車、通信機器等に搭載され、省エネや電力の安定供給を実現するキーデバイスです。 ディス...
-
東大や京大など、50テスラ超強磁場まで維持される2次元超伝導状態を発見
50テスラ超強磁場まで維持される2次元超伝導状態を発見 −相対論的効果により出現する新奇超伝導現象の解明− 1. 発表者: 斎藤 優(東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻 博士課程1年) 中村 康晴(新潟大学大学院自然科学研究科 数理物質科学専攻 博士課程2年) M.S.Bahramy (東京大学大学院 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター・物理工学専攻 特任講師/理化学研究所 創発物性科学研究センター創発計算物理研究ユニットユニットリーダー) 小濱 芳允(東京大学 物性研究所 附属国際超強磁場科学研究施設 特任助教) 笠原 裕一(京都大学大学院 理学研究科 物...
-
鉄系超伝導体の新たな極薄膜化技術の確立 −極薄膜の物性解明への貢献が期待− 【発表のポイント】 ●電気化学反応を利用した「エッチング法」により、鉄系超伝導体の極薄膜化を実現 ●電界効果と組み合わせて、約40K(=−233°C)における高温超伝導転移を単原子層0.6nmから数nmまでの広い厚さ領域で発現させることに初めて成功 ●極薄膜にすることで現れる未知の性質の発見や原子層レベル極薄膜開発への貢献が期待 【概要】 東北大学金属材料研究所の塩貝純一助教、伊藤恭太大学院生、三橋駿貴大学院生、野島勉准教授、塚崎敦(◇)教授らの研究グループは、鉄とセレンからなる層状の超伝導(※1)物質であ...
-
浜松ホトニクス、イオン検出用CMOSセンサの製品化にめどをつけ来春サンプル出荷
医療、農業、化学、工業分野での応用に期待 イオン検出用CMOSセンサの製品化にめど 来春のサンプル出荷を目指す 当社は、豊橋技術科学大学(愛知県豊橋市)澤田和明教授が提唱する、イオン濃度を電荷量として検出する画素技術のライセンス供与を受け、当社のイメージセンサ技術とアセンブリ技術により、高感度なイオン検出用CMOS(相補性金属酸化膜半導体)センサを開発しました。来春には第一弾として、水素イオン検出用の製品化にめどをつけ、国内外の各種機器メーカーや研究機関に向けサンプル出荷を目指します。 本開発品により、イオン濃度の分布と変化の動画像が、高感度で取得できるため、血液検査や細胞活動の観測な...
-
昭和電工、欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売
欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売 −フルSiCパワーモジュールの実用化に寄与− 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の4インチ(100mm)品と6インチ(150mm)品において、欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエピ(以下、HGE)」を開発し、今月より販売を開始いたします。 SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代...
-
東北大、超低損傷・中性粒子ビーム技術で高品質AlOx/GeOx/Geゲートスタック構造を作製
超低損傷・低温中性粒子ビーム酸化プロセス技術による 高品質AlOx/GeOx/Geゲートスタック構造の実現 【概要】 東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授のグループは、独自技術である超低損傷・中性粒子ビーム技術を用いて「界面準位(*1)が10 11cm-2eV-1以下の高品質な界面を持ったAlOx/GeOx/Geゲートスタック構造」を作製することに成功しました。 半導体産業においては世界的な競争のもと、新材料の導入や微細化研究が盛んです。特にMOSトランジスタは半導体産業の最大の牽引車であり、国際競争を勝ち抜くために、その高性能化の研究は極めて重要です。集積回路の高性能化に...
-
強誘電体の極薄単結晶膜を世界で初めて作製 ―超高密度新規メモリーで長時間使えるスマホ実現に道― 東京工業大学元素戦略研究センター(センター長 細野秀雄教授)の清水荘雄特任助教と同センター兼総合理工学研究科の舟窪浩教授、東北大学金属材料研究所の今野豊彦教授と木口賢紀准教授らの研究グループは、極薄膜でも特性が劣化しない強誘電体エピタキシャル膜(結晶方位が揃った単結晶膜)の作製に世界で初めて成功した。強誘電体膜の組成を検討して選択するとともに、薄膜を成長させる基材の結晶構造とその単位格子の長さを工夫することにより達成した。 これによって従来、安定した特性の強誘電体膜が得られないた...
-
ルネサスエレクトロニクス、「Advanced LP SRAM」の16M/32Mビット製品を発売
Full CMOS型メモリセルに比べて500倍以上のソフトエラー耐性を持つ、Advanced Low Power SRAMの16M/32Mビット製品を発売 〜待機時電流も当社従来製品比1/2以下に低減し、バックアップ電池の長寿命化に貢献〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:遠藤 隆雄、以下ルネサス)は、低消費電力SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM(以下Advanced LP SRAM)において、このたび110nm(ナノメートル)プロセスを採用した16M(メガ)ビット品「RMLV1616Aシリーズ」と32Mビット品「RMWV3216Aシリーズ」を開発し、合計4品種のサンプル出荷を本年9月から...
-
セイコークロック、ミッキーマウスを文字板にあしらったレトロモダンな掛時計3色を発売
〜大人ディズニーシリーズより〜 ロングセラーモデルとミッキーマウスの出会い レトロモダンな掛時計が新登場 *製品画像は添付の関連資料を参照 セイコークロック株式会社(本社:東京都江東区/代表取締役社長:萩原 健二)は、、ディズニーキャラクターのミッキーマウスを文字板にあしらった掛時計3色を7月24日(金)に全国で発売いたします。 ネイビーとシルバーには長年使い込んだような色合いの文字板でレトロなミッキーを引き立たせ、ホワイトにはシンプルな白い文字板とモノクロのミッキーを配し、様々なお部屋にマッチする仕立てになっています。 【interior lifestyle TOKYO 出品モデル】 6月10日(水...
-
産総研、カーボンナノチューブ集積化マイクロキャパシターを開発
カーボンナノチューブ集積化マイクロキャパシターを開発 −アルミ電解コンデンサーと同等の性能で体積を1/1000に− <ポイント> ・スーパーグロース法による高純度、高比表面積の単層カーボンナノチューブを電極材料に活用 ・リソグラフィー技術を用いて、マイクロキャパシターの集積化を初めて達成 ・電解コンデンサーの代替、電子機器の軽薄小型化、超小型電子機器の電源への応用に期待 <概要> 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノチューブ実用化研究センター【研究センター長 畠 賢治】CNT用途チーム【研究チーム長 山田 健郎】小橋 和文 主任...
-
日本TI、ブラシ付きDCモーター用ゲート・ドライバIC「DRV8701」を発表
日本TI、可変電流ドライブ機能を内蔵、スケーラブルな設計を 実現するブラシ付DCモーター用ゲート・ドライバICを発表 数々の保護回路をオンチップで内蔵、基板実装面積を40パーセント縮小する 高い統合性の高電流ゲート・ドライバ製品 日本テキサス・インスツルメンツは、ゲート・ドライブ設定を可変でき、幅広い外付けFET(電界効果トランジスタ)を駆動する柔軟性を備え、複数のモーター、速度や負荷変動をサポートする、統合型ゲート・ドライバ製品を発表しました。新製品の『DRV8701』は、白物家電、住宅用機器、ロボティクス、ホーム・オートメーション用機器、電動工具、産業用ポンプやバルブなどに使われる幅広い...
-
NXPセミコンダクターズ、RFエネルギー・アプリケーションの普及を加速する評価ツールを発表
NXP、RFエネルギー・アプリケーションの普及を加速する 使いやすい新評価ツールを発表 IMS 2015でRFエネルギー向け新評価ツールと 革新的な第9世代LDMOS技術を紹介 NXPセミコンダクターズN.V.は、新しいRFエネルギー・アプリケーションのテストの迅速化と簡素化を実現するプラグ&プレイ方式の新評価ツールを発表しました。用途はRFパワートランジスタのマイクロ波を使用した電子レンジ、自動車用スパークプラグ、プラズマ照明、加熱/乾燥機器、医療用治療など広い範囲にわたっています。NXPは5月17日から22日まで米国アリゾナ州のフェニックス・コンベンションセンターで開催されたIEEE MTT国際マイクロ波シンポジウム...
-
TOYOTA、オーリスをマイナーチェンジ 【主な特長】 ・新開発1.2L直噴ターボエンジン搭載による優れた走りと環境性能 ・衝突回避支援パッケージ「Toyota Safety Sense C」の設定による先進の予防安全性能 ・よりエモーショナルに進化させた内外装デザイン TOYOTAは、日欧戦略車オーリスをマイナーチェンジし、全国のネッツ店を通じて、4月6日に発売した。 今回のマイナーチェンジでは、初代オーリスから引き継いだDNAである「直感性能(*1)」を独自のブランドイメージとして確固たるものとするべく、爽快な走りと低燃費を両立した最上級グレード「120T」を新設定するなど、以下の3点に重点を置いて開発した。 ...
-
ホンダ、操作性向上など小型耕うん機「ラッキーボーイ FU400」を一部改良し発売
小型耕うん機「ラッキーボーイ FU400」を一部改良し発売 Hondaは、家庭菜園などで好評を得ているリアロータリー式(※)小型耕うん機「ラッキーボーイ FU400」の操作性を向上させ、4月4日(土)から全国のHonda汎用製品特約店および特約ホームセンターで販売します。 今回の改良では、ハンドルの中央部に補助グリップを装備することで手の挟み込みを防止し、より安心してクラッチレバー操作が行えるように使い勝手を向上しました。また、手押しで移動する際の押し引き荷重を、トランスミッション内のギア配置を変更したことにより低減。エンジン始動なしでも容易に機体の押し引きができ、軽快な移動を可能としてい...
-
ローム、SiC−MOSFET駆動用のAC/DCコンバーター制御ICを開発
世界初(※)、SiC駆動用AC/DCコンバータ制御ICを開発 SiC−MOSFETの性能を最大限に引き出し、産業機器の省電力化、小型化に貢献 ※2015年3月25日現在 ローム調べ <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)は、大電力(高電圧×大電流)を扱うインバータやサーボなどの産業機器で採用が進むSiC−MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ−LB」を開発しました。 本製品は、これまでディスクリート部品の構成で部品点数に課題を抱えていたSiC−MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現することが可能です。これにより、省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな価値を提供し、SiCパワー半導体の普及による...
-
米ケイデンス、14nmライブラリーのキャラクタライズ・リファレンス・フローのリリースで協業
インテルとケイデンス、インテル・カスタム・ファウンドリーの ユーザー向け14nmライブラリーの キャラクタライズ・リファレンス・フローのリリースで協業 ケイデンスのVirtuoso Liberateキャラクタライズ・ソリューション およびSpectre Circuit Simulatorが一体となって 高精度な14nmロジック・ライブラリーを実現 ケイデンス・デザイン・システムズ社(本社:米国カリフォルニア州サンノゼ市、以下、ケイデンス)とIntel Corporation(以下、インテル)は、3月17日(米国現地時間)、両社の協業によりインテル・カスタム・ファウンドリーのユーザー向け14nmライブラリーのキャラクタライズ・リファレンス・フローの提供を開始し...
-
凸版印刷、フレキシブル電子ペーパーを活用したレール型電子棚札を開発
凸版印刷、フレキシブル電子ペーパーを活用したレール型電子棚札を開発 〜プリンテッドエレクトロニクス技術とカラーフィルタ技術を融合した次世代電子棚札〜 凸版印刷株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:金子眞吾、以下 凸版印刷)は、プリンテッドエレクトロニクス技術(※1)を活用し、フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する印刷プロセス技術を確立。薄く、軽く、かつ曲げることができるフレキシブル電子ペーパーを開発しました。さらに今回、カラーフィルタ技術を活用しフレキシブル電子ペーパーの部分的なカラー化(以下 エリアカラー)を実現。 このフレキシブル電子ペーパーを活用し、「...
-
東大など、印刷で作れる電子タグで温度センシングとデジタル信号の伝送に成功
世界初、印刷で作れる電子タグで温度センシングとデジタル信号の伝送に成功 ―従来比10倍以上の高性能、1/10以下の低コスト化を実現― NEDOプロジェクトにおいて東京大学、大阪府立産業技術総合研究所等のグループは、印刷で製造可能な有機温度センサと高性能有機半導体デジタル回路を開発し、電子タグとして温度センシングと商用周波数での温度データ伝送に世界で初めて成功しました。デジタル回路を用いる低消費電力の設計と室温近くの大気中での半導体製造工程により、省エネルギーを実現します。 従来の塗布型有機半導体よりも、10倍以上高い性能で、1/10以下の低コスト化が可能な印刷法で形成でき、軽く...
-
三菱電機、製造業の生産性向上など実現するマイクロシーケンサー40機種を発売
製造業における生産性向上とTCOの削減を実現 三菱マイクロシーケンサ「MELSEC iQ−F シリーズ FX5」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、マイクロシーケンサ(プログラマブルコントローラ)の新製品として、基本性能向上、内蔵機能充実および上位モデルとの互換性強化により、製造業の生産性向上とTCO(Total Cost of Ownership)の削減を実現する「MELSEC iQ−F シリーズ FX5」40機種を2015年1月30日に発売します。 *製品画像は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1.基本性能向上と内蔵機能充実により、生産性向上とTCO削減を実現 ・従来比(※1)150倍の高速システムバスの採用などにより、処理速...
-
IRジャパン、ハイブリッド車や電気自動車向けの耐圧600Vの車載用IGBTを2品種を発売
インターナショナル・レクティファイアー ハイブリッド車や電気自動車向けの耐圧600Vの車載用IGBTを2品種発売 〜エアコン用コンプレッサなど小型モータ駆動の費用対効果を向上〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は5日、電気自動車やハイブリッド車のエアコン用コンプレッサなどの小型補助モータ駆動用途向けに最適化した耐圧600Vの車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を2品種(「AUIRGP66524D0」と「AUIRGF66524D0」)発売しました。 AUIRGP66524D0とAUIRGF665...
-
富士電機、SiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバーターを発売
新製品 −SiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバータの発売について 富士電機株式会社(本社:東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、大容量インバータ「FRENIC−VGシリーズ スタックタイプ(690V系列)」に、SiCハイブリッドモジュールを適用した新製品をラインアップしますので、お知らせいたします。 1.背景 当社は、経営方針に掲げる「エネルギー関連事業」の拡大に向け、コア技術であるパワー半導体、パワーエレクトロニクスを駆使した競争力のある製品開発に取り組んでおり、なかでも、高耐圧・低損失化を実現するSiCパワー半導体の開発と、これを搭載したパワエレ機器の製品化に注力していま...
-
ラピスセミコンダクタ、家電・産業機器向け16bitローパワーマイコンを開発
ノイズ/高温環境に強い家電・産業機器向け16bitローパワーマイコンを開発 〜16bitローパワーマイコンに“ローパワータフマイコン”を新たにラインアップ〜 <要旨> ロームグループのラピスセミコンダクタは、モーターやコンプレッサ、ヒーターなどノイズを発生する部品を搭載する家電、産業機器向けに、ノイズ/高温環境に強い16bitローパワーマイコンML620100シリーズの「ML620150ファミリ」を開発しました。 ML620150ファミリは、今年9月リリースのML620500シリーズに続く16bitのローパワーマイコンです。ラピスセミコンダクタが得意とする低消費電力設計技術に加えて、独自のノイズ耐性回...
-
TDK、EPCOSブランドのスナバ回路用フィルムコンデンサーに新シリーズを追加
フィルムコンデンサ スナバ回路用コンデンサのラインアップ拡充 ・最大5.6μFまでの高い静電容量と、新たな端子形状を追加 TDK株式会社(社長:上釜 健宏)は、EPCOSブランドのスナバ回路用フィルムコンデンサに新シリーズ(品名:MKP B32656S*…B32658S*)を追加し、ラインアップを大幅に拡充したことを発表します。これにより、端子形状が全部で17種類となり、さらに多くの市販IGBTモジュールで、ピーク電圧保護にご利用いただけるようになりました。 MKP B32656S*…B32658S*シリーズは、パルス電流耐性と端子接続の強度に優れ、ESL値がきわめて低いのが特長です。本シリーズには、錫メッキ銅板...
-
STマイクロ、250V耐圧 RFパワー・トランジスタ「STAC250V2−500E」を発表
STマイクロエレクトロニクス、 小型かつ高信頼性のE級電源向けに最新の高耐圧技術を採用した、 250V耐圧 RFパワー・トランジスタを発表 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、業界をリードする堅牢性と高い電力密度を提供するRFパワー・トランジスタ STAC250V2−500E(13.6MHz)を発表しました。熱効率が高い小型パッケージで提供される同製品は、高出力の産業用E級高周波電源に適しています。 STAC250V2−500Eは、業界最高の不整合負荷への耐性(20:1)を有し、その安全性は最大出力600Wまで高められています。また、使用...
-
日本TI、車載アダプティブ・ヘッドライト・システム向け完全集積型LEDマトリクス・マネージャーを発表
日本TI、車載アダプティブ・ヘッドライト・システム向けに 業界初の完全集積型LEDマトリクス・マネージャを発表 コンパクトでスケーラブルなソリューションで、基板面積を73パーセント低減 最大96個の高輝度LEDを制御し、先進的なヘッドライト機能を実現 日本テキサス・インスツルメンツは、アダプティブ・ヘッドライト・システム向けに、業界初の完全集積型高輝度LEDマトリクス・マネージャICを発表しました。新製品の『TPS92661−Q1』( http://www.tij.co.jp/tps92661q-pr-jp )は、ビーム・パターンと強度を動的に変化させて最適なヘッドライト照明と安全性の向上を実現する、小型でスケーラブルなソリューションを提供し、革新...
-
フリースケール、ソリッド・ステートRFパワー・ポートフォリオと開発ツールを発表
フリースケール、電子レンジ業界に革命を起こす ソリッド・ステートRFパワー・ポートフォリオと開発ツールを発表 寿命による劣化なしに制御可能なRFエネルギーを実現する革新的なソリッド・ステートRF加熱製品 フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、電子レンジ業界に革命を起こすべく、RF加熱ポートフォリオの新たな製品ファミリとして、費用対効果に優れた2種のソリッド・ステートRFパワー・トランジスタとアプリケーション開発エコシステムを発表しました。 今回の新製品を活用することで、民生用および業務用電子レンジ・メーカは、次世代調理家電の扉を開く個性的なソリューションや斬新なモデルを開発できる...
-
東レ・ダウコーニング、150-mm SiCウエハ「プライム・スタンダード」など3種を発売
150-mm SiCウエハを発売 −100-mm SiCウエハ同様、グレード選択が可能に− 東レ・ダウコーニング株式会社(本社:東京都千代田区/代表取締役会長・CEO:桜井恵理子)は、150-mm(6インチ)のSiC(炭化ケイ素)ウエハ製品を3つのプライム・グレードに分けて発売しました。150-mm SiCウエハ基板も本年5月に発表した100-mm(4インチ)のSiCウエハ製品同様に「プライム・スタンダード」、「プライム・セレクト」、「プライム・ウルトラ」の3つのグレードで販売します。このグレード分けはマイクロパイプ密度(MPD)や貫通らせん転位(TSD)、基底面転位(BPD)のような、デバイス性能に影響を与える致命的なキラー欠...
-
ローム、車載のECU保護に最適な高電圧タイプのツェナーダイオードを発表
高電圧タイプのツェナーダイオードを新たにラインアップ 高いサージ耐性も確保し、車載のECU保護に最適 ※製品画像は添付の関連資料を参照 <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)は、各種電子回路の定電圧用途や保護用途として使用されるツェナーダイオードシリーズに、新たに高電圧タイプ「UDZLVシリーズ」をラインアップしました。51Vから150Vまでの12種類のツェナー電圧から用途にあわせて選択することができます。特に車載のECU(エンジンコントロールユニット)保護に最適な製品となっており、AEC−Q101にも対応します。また、高いサージ耐性も確保しており、民生機器から車載、産業機器まで幅広いアプリケー...
-
マスプロ電工、FM告知放送システムに対応のFM帯域パスブースターを発売
業界初(※)!FM告知放送システムに対応! FM帯域パスブースターを新発売! ケーブルテレビの新しい付加価値サービスをサポートします マスプロ電工は、停電(無給電)時でも緊急災害情報などのFM告知放送を出力できる、屋外(内)用 CATV・BS・CSブースター7BCB28F−Bを9月中旬より発売します。 CATV・BS・CSブースター7BCB28F−Bは、ケーブルテレビとBS・110°CSのテレビ信号を増幅する家庭用ブースターで、停電(無給電)時に緊急災害情報(FM帯域)などのFM告知放送をパスする機能を備えています。(業界初(※)) マスプロ電工は、このCATV・BS・CSブースター7BCB28F−Bをケーブルテレビの新しい付加価値サービスを提...
-
三菱電機、3.6Vのバッテリー駆動で4W出力を実現したMOSFETを発売
3.6Vのバッテリー駆動で業界最高出力4Wを実現 業務無線機用 高出力 MOSFET「RD04LUS2」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、業務無線機の電力増幅器に使用されるシリコン高周波デバイスの新製品として、3.6Vのリチウムイオン1セルバッテリー駆動で業界最高(※1)となる4W出力を実現したMOSFET(※2)「RD04LUS2」を9月1日に発売します。 ※1:2014年8月28日現在。当社調べ。 ※2:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ *製品画像は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1. 3.6V駆動で4W出力を実現し、業務無線機の送信距離の拡大に...
-
北陸先端大、グラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作原理検証に成功
わずか炭素2原子層厚のグラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作原理検証に成功 −究極の低消費電力エレクトロニクス応用に期待− <ポイント> ●2層グラフェン膜で作製した両持ち梁を、繰り返し機械的に上下させて動作するナノ電子機械システム(NEMS)を世界で初めて開発 ●スイッチング電圧〜1.8Vの低電圧・安定動作を実現。従来の半導体技術を用いたNEMSスイッチに比べて1桁以上の低電圧化を達成 ●スイッチオフ状態での漏れ電流を原理的にゼロにすることが可能。現在のエレクトロニクスで深刻な問題となっている集積回路の待機時消費電力の飛躍的低減と、オートノマス(自立化)ITシステム実現に向けた革新...
-
東大など、バレートロニクス結晶中の電子スピンの直接観測・制御に成功
バレートロニクス結晶中の電子スピンの直接観測・制御に成功 ―新たな原理に基づく電子デバイスの実現に道− 1.発表者: 鈴木 龍二(東京大学大学院工学系研究科 物理工学専攻 博士課程 1年) 坂野 昌人(東京大学大学院工学系研究科 物理工学専攻 博士課程 2年) 明石 遼介(理化学研究所 創発物性科学研究センター 計算物質科学研究チーム 特別研究員/ERATO 磯部縮退π集積プロジェクト 研究員) 石坂 香子(東京大学大学院工学系研究科 物理工学専攻 准教授) 有田 亮太郎(理化学研究所 創発物性科学研究センター 計算物質科学研究チーム チームリーダー/ERATO 磯部縮退π集積プロジェ...
-
日本SGI、半導体エネルギー研究所に研究開発向け大規模システムを導入
日本SGI、半導体エネルギー研究所に研究開発向け大規模システムを導入 〜共有メモリーサーバと分散型クラスターサーバのハイブリッド構成による、国内民間企業でトップレベルの高性能システムで、最先端の半導体技術開発を加速〜 日本SGI株式会社(本社:東京都渋谷区、代表取締役社長:望月学)は株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、代表取締役:山崎舜平(※)、以下SEL)が、半導体技術の研究開発を促進する目的で、SGI(R)の大規模共有メモリーサーバ「SGI(R) UV 2000(TM)」とブレード型クラスターサーバ「SGI(R) ICE X(TM)」を組み合わせた大規模システムを導入したことを発表します。本...
-
NTTデータGSL・B−EN−G・シスコなど、自動車部品サプライヤー向けにSAPアプリケーション導入ソリューションを提供
海外事業拡大を目指す国内自動車部品サプライヤー向け SAP(R)アプリケーション導入ソリューションの提供開始 〜海外完成車メーカー各社との取引に必要な機能を持つ テンプレートとデモ環境を用意、 海外事業拡大を低コストかつスピーディーに支援〜 株式会社NTTデータグローバルソリューションズ(本社:東京都江東区、代表取締役社長 大西 俊介、以下NTTデータGSL)、東洋ビジネスエンジニアリング株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長 大澤 正典、以下B−EN−G)、シスコシステムズ合同会社(本社:東京都港区、代表執行役員社長 平井 康文、以下シスコ)、SAPジャパン株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締...
-
電子ホログラフィー用立体表示デバイスを開発 〜アクティブ・マトリクス駆動で超多素子化が可能に〜 □NHKは、特殊なメガネをかけなくても自然な立体映像を楽しめる、電子ホログラフィーによる立体テレビの研究を進めています。電子ホログラフィーとは、空間光変調器(SLM(*1))により電子的に干渉縞を生成し、これに光を当てることで動画の立体像を表示することができる技術です。今回、電子ホログラフィーを実現するための要素技術として、干渉縞を表示するSLMの光変調素子をトランジスターで駆動する技術を開発しました。 □これまで、電子のスピンを利用した一次元配列のスピンSLM(*2)を独自に開発し、その基本...
-
慶大、シリコン上・高集積カーボンナノチューブ黒体放射発光素子を開発
シリコン上・超高速のカーボンナノチューブ発光素子開発に初めて成功 −化合物半導体に代わる超高速・チップ上・高集積光源へ期待− <ポイント> ・シリコンチップ上での高集積光源は、現在の化合物半導体では実現困難であり、新材料による発光素子開発が望まれている ・超高速(1〜10Gbps)なシリコン上・高集積カーボンナノチューブ黒体放射発光素子の開発に世界で初めて成功し、高速変調性の理論的な解明にも成功 ・化合物半導体に代わる新たな材料系での発光素子となり、チップ上での光インターコネクト、光・電子集積回路、分析装置等への応用が期待 慶應義塾大学理工学部物理情報工学科の牧英之准教授らは、...
-
電圧で制御できる「キラル発光トランジスタ」 ―3Dディスプレイなどへの応用が期待― 1.発表者: 張 奕勁(ちょう えきけい)(東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻 博士課程2年) 岡 隆史(東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻 講師) 鈴木 龍二(東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻 博士課程1年) 叶 劍挺(いぇ じゃんてぃん)(Groningen大学 Zernike先端物質科学研究所 准教授) 岩佐 義宏(東京大学大学院 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター・物理工学専攻 教授/理化学研究所 創発物性科学研究センター 創発デバイス研究チーム チームリーダー)...
-
エプソン、テキストとグラフィック両方を表示制御できるディスプレイコントローラーICを商品化
カラーTFTやSTN液晶パネルに テキストとグラフィックの両方を容易に表示制御できる ディスプレイコントローラーIC「S1D13709」を商品化 *商品画像は添付の関連資料を参照 セイコーエプソン株式会社(社長:碓井 稔、以下エプソン)は、カラーTFT(※1)やSTN(※2)液晶パネルに、テキストとグラフィックの両方を容易に表示制御できる、メモリー内蔵ディスプレイコントローラーIC「S1D13709」を開発し、このたびサンプル出荷を開始しました。サンプル価格は2,500円(税別)です。本商品はFA製品やプリンター・複合機などの操作パネルの表示制御に適しています。 昨今、FA製品などの操作パネルはSTNに加え、...
-
STマイクロ、温度定格200℃を達成したSiCパワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクス、 最先端の高温性能を備えたSiCパワーMOSFETを発表 業界最高の温度定格(200℃)を特徴とするST初のSiCパワーMOSFETが、 効率の向上と設計の簡略化を実現 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、太陽光発電システム用インバータ、電気自動車、企業内コンピュータ・システム、産業用モータ等のアプリケーションの電力効率を向上させる先進的な新製品ファミリを発表しました。 STは、業界最高の温度定格(200℃)を達成した高耐圧SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETを初めて製造した企業の1社です。SiCの特性は、従来のシリコン・...
-
山大と宇部興産、印刷集積回路に応用できる実用レベルのN型有機半導体を開発
印刷集積回路に応用できる 実用レベルのN型有機半導体開発に世界で初めて成功 軽量で使い捨て可能な有機集積回路の実用化に大きく貢献 山形大学有機エレクトロニクス研究センターの時任静士卓越研究教授のグループと、宇部興産株式会社( 社長:竹下道夫)は共同で、有機溶媒に溶ける新しいN 型有機半導体材料( 注1 )を開発。電子移動度( 注2 ) が3 c m 2 / V s を超え、かつ空気中で安定という高性能なN 型有機トランジスタを印刷法で作製することに世界で初めて成功いたしました。この技術は、現在主流であるシリコンなどの無機材料で製造するよりも、低価格で軽量、さらに柔らかさを備えた集積回路( I C ) を製造可能...
-
東レ、単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタで最高レベルの移動度を達成
単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタで世界最高レベルの移動度を達成 −半導体型単層CNTと半導体ポリマーの複合化により半導体特性を極大化− 東レ株式会社(本社:東京都中央区、社長:、以下「東レ」)は、このたび、単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(Carbon Nano−Tube Thin Film Transistor:以下「CNT−TFT」)において、塗布型TFTとしては世界最高レベルとなる移動度1)13cm2/Vs、オンオフ比2)106を達成しました。半導体純度を大幅に高めた単層CNTと当社独自で開発した半導体ポリマーを複合化することにより、単層CNTの高い半導体特性を十分に引き出すことに成功したものです。今後、2016年近傍での実...
-
三菱電機、フルSiCパワーモジュールを適用した鉄道車両用インバーター装置を製品化
3.3kV/1500A定格で大容量鉄道車両に適用可能 フルSiCパワーモジュール適用鉄道車両用インバーター装置を製品化 三菱電機株式会社は、構成部品のトランジスタとダイオードをSiC(※1)化した新開発の3.3kV/1500A定格の大容量フルSiCパワーモジュールを適用したDC1500V架線対応の鉄道車両用インバーター装置を世界で初めて製品化しました。従来のIGBT(※2)パワーモジュールやダイオードをSiC化したパワーモジュール適用装置と比較して、大幅な発生損失低減と小型・軽量化を実現します。 また、今回開発した大容量フルSiCパワーモジュールを適用することで、新幹線など大容量鉄道車両用装置の省エネ化・小型...
-
STマイクロ、耐久性と信頼性向上の耐湿型RFパワー・トランジスタ2品種を発表
STマイクロエレクトロニクス、 耐湿型RFパワー・トランジスタの新製品を発表 ジェルを充填したパッケージ・キャビティにより、 過酷な環境下での耐久性と信頼性が向上 STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、湿度の高い環境下で使用されるアプリケーションの堅牢性や信頼性を向上させる耐湿型RFパワー・トランジスタの新製品を2品種発表しました。 これらの50V RF DMOSデバイスのキャビティにはジェルが充填されており、シルバー・デンドライト・マイグレーション(高温多湿でバイアスがある場合に、標準的なセラミック・パッケージで見られる現象)などのエレクトロマイグレーションからダイを保護します。...
-
産総研、多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功
多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功 −低温積層CMOSによる3次元LSIの実現に大きく前進− <ポイント> ・多結晶ゲルマニウムのn型MOSFETを世界で初めて実現 ・多結晶ゲルマニウムのp型MOSFETで単結晶シリコンと同等の性能を実現 ・最先端研究開発支援プログラム(FIRST)のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」の助成による成果 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長 横山 直樹】臼田 宏治 ...
-
東大、極低消費電力回路を実現できるトンネル電流利用の新トランジスタを開発
極低消費電力回路を実現できるトンネル電流を利用した新トランジスタを開発 1.発表者: 高木信一(東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻 教授) 竹中充(東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授) 2.発表のポイント: ◆従来のトランジスタと比べ極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。 ◆亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、これまでのトランジスタとほぼ同等の構造のままで、高い性能をもつトンネル電流トランジスタを実現した。 ◆従来のトランジスタでは実現できない0.3V以下の低電圧で動作する集積回路への道を...
-
産総研、14nm世代以降のフィンFETに適用できる低抵抗ソース・ドレイン形成技術を開発
信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術 −高温イオン注入技術により極薄フィン部分を低抵抗化− <ポイント> ・結晶欠陥を発生させずに極薄シリコンフィン部分への不純物イオンの注入が可能 ・不純物イオンの注入によりソース・ドレインが低抵抗化し、トランジスタの性能低下を防止 ・14nm世代以降のフィンFETにおけるソース・ドレイン形成技術の課題を解決 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門( http://unit.aist.go.jp/neri/ )【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 水林 亘 主任研究員、昌原...
-
慶大と産総研、ナノメートル・スケールトランジスタ動作中温度の正確な測定に成功
ナノメートル・スケールトランジスタ動作中温度の正確な測定に成功 −次世代半導体集積回路の長期間安定動作へ道− 慶應義塾大学理工学部電子工学科の内田建教授らは、独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門( http://unit.aist.go.jp/tia/ )【研究部門長 金丸 正剛】と共同で、産総研つくばイノベーションアリーナ推進本部【本部長 金山 敏彦】スーパークリーンルーム運営室の支援を受け、先端トランジスタの作製・評価技術を駆使し、さまざまな構造の微細トランジスタにおける動作中温度の正確な測定に成功しました。ナノメートル・スケールの素子では...
-
日本TI、エネルギー効率を向上する次世代PFCコントローラーを発表
日本TI、エネルギー効率を向上する 次世代PFC(力率補正)コントローラを発表 8ピン・パッケージで、連続導通モードを採用 0.95超の力率を実現し、シャント抵抗の電力損失を50パーセント低減 日本テキサス・インスツルメンツは、連続導通モードで動作し、スイッチング周波数を業界で最も広い範囲でプログラム可能なPFC(力率補正)コントローラを発表しました。新製品の『UCC28180』8ピンPFCコントローラは、産業機器、サーバー用電源、エアコン、照明機器、民生機器、ホーム・オフィス向け電子機器などの数多くの汎用入力AC/DCアプリケーションで、既存製品に比べて消費電力を半減すると同時に、0.95超の力率...
-
三菱電機、衛星放送などの受信モジュール向け低雑音増幅器用高周波デバイスを発売
衛星放送の受信モジュールの生産性と性能を同時に改善 三菱電機Ku帯低雑音GaAs HEMT「MGF4937AM」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、衛星放送の受信機や超小型衛星通信地球局の受信モジュールに用いる低雑音増幅器用高周波デバイスの新製品として、GaAs(※1)HEMT(※2)「MGF4937AM」(雑音指数0.37dB)を12月20日に発売します。フルモールド構造パッケージで世界最高レベル(※3)の低雑音特性を実現し、受信モジュールの生産性向上と高性能化の両立に貢献します。 なお、本製品は「マイクロウェーブ展2013」(11月27〜29日、於:パシフィコ横浜)に出展します。 ※1:ガリウム・ヒ素 ※2...
-
分子科学研究所など、固体中の原子の2次元運動を10兆分の1秒単位で制御し画像化に成功
固体中の原子の超高速運動を10兆分の1秒単位で 制御し画像化する新しい光技術 <ポイント> >超高速光デバイスの開発のために、固体中の原子運動を1兆分の1秒以下のスケールで制御し画像化する光技術の出現が望まれていました。 >固体中の原子の2次元運動を10兆分の1秒単位で制御し画像化に成功しました。 >将来の革新的な光デバイスの開発につながる汎用的な基盤技術として、また固体の物理的な機能性を探求するための新たな実験手法として期待されます。 JST課題達成型基礎研究の一環として、自然科学研究機構 分子科学研究所の大森 賢治 教授らは、固体の中の原子が高速で2次元運動する様子を、1...
-
富士通など、ミリ波帯大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信IC技術を開発
ミリ波(240GHz)帯大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信IC技術を開発 従来比10倍の高感度化に成功し、スマートフォンなどで大容量データ受信が視野に 富士通株式会社と株式会社富士通研究所(注1)は、ミリ波(注2)帯である240ギガヘルツ(以下、GHz)帯を使用した大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信ICチップを開発しました。 240GHz帯は、一般の携帯端末で扱う周波数(0.8〜2GHz帯)に比べて電波を使用できる周波数幅が広く(100倍以上)、通信容量を100倍に高めることが期待されていますが、その実現には空間を伝搬する微弱な信号を受信する高い増幅率をもつ増幅器が必要にな...
-
富士通など、車載レーダーなどのミリ波送受信機用の低雑音な信号生成回路技術を開発
車載レーダーなど、ミリ波送受信機用の低雑音な信号生成回路技術を開発 雑音を従来の1/3に低減し、シリコン半導体を用いたミリ波無線通信端末の実用化に目途 富士通株式会社と株式会社富士通研究所(注1)は、車載レーダー(注2)などのミリ波(注3)送受信機へ適用可能な、低雑音な信号生成回路(注4)を開発しました。 近年、レーダーの高解像度化や無線通信の大容量化に向けて、周波数が数十ギガヘルツ(GHz)以上のミリ波を用いた送受信機の開発が進められています。ミリ波送受信機を高機能化・量産化するためには、従来用いられている化合物半導体(注5)に代わりシリコン半導体で実現する必要がありますが...
-
産総研、アモルファス金属酸化物の構造に単純な秩序があることを提案
アモルファス金属酸化物の構造に単純な秩序があることを提案 −絶縁膜、透明電極などの合理的設計への貢献に期待− <ポイント> ・幾何学に基づく考察と第一原理計算によりアモルファス金属酸化物の構造を系統的に解析 ・金属の種類や、金属と酸素の比率によらない共通の原子配列があることを予測 ・アモルファス金属酸化物の構造モデリングが容易になり電子デバイス材料の設計を加速 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノシステム研究部門( http://unit.aist.go.jp/nri/index_j.html )【研究部門長 山口 智彦】非平衡材料シミュレーショングループ 西尾 憲吾 主...
-
太陽誘電、小型大容量積層セラミックコンデンサーに定格電圧6.3Vの商品を追加
太陽誘電:小型大容量積層セラミックコンデンサ、最先端品のラインアップ拡大 −高い定格電圧と業界トップの大容量を両立、モバイル機器の高性能化に対応− 太陽誘電株式会社(代表取締役社長:綿貫 英治、本社:東京都台東区)は、各サイズで業界最大の静電容量(注1)となる0603サイズ2.2μF、1005サイズ22μF、1608サイズ47μFの積層セラミックコンデンサに、定格電圧6.3Vの商品を追加します。 今回の商品は、定格電圧を当社従来品の4Vから約1.5倍の6.3Vに向上させ、業界トップクラスの定格電圧と静電容量を両立しました。これらの商品は、スマートフォン、タブレット端末などの小型モバイ...
-
東京エレクトロン、半導体装置メーカーの米アプライドと経営統合に合意
東京エレクトロン株式会社とApplied Materials, Inc.の経営統合に関する合意について 東京エレクトロン株式会社(代表取締役会長兼社長、CEO東哲郎)(以下、「東京エレクトロン」。)とApplied Materials, Inc.(社長兼CEOGary Dickerson)(以下、「アプライドマテリアルズ」。併せて「両社」)は、両社対等の経営統合(以下、「本経営統合」)について合意し、経営統合契約(以下、「本契約」)を締結しましたので、下記の通りお知らせいたします。本経営統合及び本契約は、それぞれ2013年9月24日(日本時間)開催の東京エレクトロンの取締役会及び2013年9月23日(カリフォルニア時間)開催のアプライドマテリアルズの取締役会において、取締役の全...
-
ルネサスエレクトロニクス、ソフトエラー耐性が高い「Advanced LP SRAM」を発売
ユーザーシステムの信頼性向上に貢献するAdvanced Low Power SRAM新製品を発売 〜ソフトエラー耐性が高いAdvanced Low Power SRAMシリーズの110nmプロセス品をリリース〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:作田 久男、以下ルネサス)はこのたび、当社SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM( http://japan.renesas.com/products/memory/low_power_sram/index.jsp )(以下Advanced LP SRAM)で、回路線幅に110nm(ナノメートル)の微細プロセスを採用した4M(メガ)ビット品を開発し、「RMLV0416Eシリーズ」「RMLV0414Eシリーズ」「RMLV0408Eシリーズ」の名称で、合計12品種...
-
TOYOTA、ランドクルーザープラドをマイナーチェンジ TOYOTAは、ランドクルーザープラドをマイナーチェンジし、全国のトヨタ店(大阪地区は大阪トヨペット)を通じて、9月10日に発売した。 ※製品画像は添付の関連資料を参照 今回のマイナーチェンジでは、外観の意匠変更により、力強さと先進性を一段と高めるとともに、内装の質感を向上。また、装備の充実を図るなど使用性を高めたほか、TX“Lパッケージ”(2.7L車)に5人乗りを追加設定している。 具体的には、大型フロントグリルの採用に加え、フロントバンパー、リヤコンビネーションランプ、リヤガーニッシュの意匠を変更し、力強さを強調したデザインとし...
-
トヨタ、「カローラアクシオ」と「カローラフィールダー」にハイブリッド車を追加し発売
TOYOTA、カローラアクシオならびに カローラフィールダーにハイブリッド車を追加 TOYOTAは、カローラアクシオならびにカローラフィールダーにハイブリッド車を追加するとともに、カローラフィールダー特別仕様車HYBRID G“AEROTOURER・W×B(ダブルバイビー)”を設定し、全国のトヨタカローラ店を通じて、8月6日に発売した。 *製品画像は、添付の関連資料を参照 主な特徴は以下のとおり。 1.優れた燃費性能 ▽小型・軽量・高効率の1.5Lハイブリッドシステム(リダクション機構付のTHS ll(*1))を搭載し、クラス(*2)トップレベルのJC08モード走行燃費 33.0km/L(*3)を実現。「平成27年度燃費基準(...
-
東大と理化学研究所、脳内の神経信号の伝播速度が時々刻々と変動していることを解明
脳内の神経信号の伝播速度は時々刻々と変動していることを明らかに 2mm角に1万個以上の電極を用いて活動電位の伝播を可視化 1.発表者: 高橋宏知(東京大学先端科学技術研究センター 講師) ウルス・フレイ(理化学研究所生命システム研究センター 国際主幹研究員) 2.発表のポイント: ◆2mm角に1万個以上の計測点を有する微小電極アレイ(注1)を用いて、活動電位(注2)が神経細胞内を複雑な形状の軸索(注3)に沿って伝播する様子の可視化に成功。 ◆活動電位の伝播速度は一定ではなく、部位ごとに大きく異なり、また、時々刻々と変化していることを明らかにした。 ◆軸索は単なるケーブルではな...
-
NICTなど、酸化ガリウムを用いた実用性に優れたMOSトランジスタを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)MOSトランジスタ”を世界で初めて実現! 〜日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:坂内正夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)を用いた実用性に優れたMOSトランジスタ(*3)の開発に世界に先駆けて成功しました。 Ga2O3は、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途の新しい半導体材料として非常に有望です。また、酸化ガ...
-
多層グラフェンを用いた微細配線作製技術を開発 −LSI配線への応用に期待− <ポイント> ・コバルト触媒を用いて多層グラフェンを合成し、銅と同オーダーの低抵抗を実現 ・250℃で10の7乗A/cm2の電流を150時間流しても断線しない高信頼性 ・最先端研究開発支援プログラム(FIRST)のプロジェクト「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」(中心研究者:横山 直樹)の助成による成果 <概要> 独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(以下「GNC」...
-
富士通研究所、小型・高出力なミリ波帯送受信モジュール技術を開発
窒化ガリウムHEMTを用いた小型・高出力なミリ波帯送受信モジュール技術を開発 複数チップを1つのパッケージに統合し、レーダー機器や無線通信機器の小型化に貢献 株式会社富士通研究所(注1)は、窒化ガリウム(GaN)(注2)高電子移動度トランジスタ(HEMT)(注3)を用いて、ミリ波帯(注4)まで適用可能な、10ワット(以下、W)出力の送受信モジュール技術を開発しました。 従来、ミリ波帯に対応した高出力のモジュールを実現するには、発熱を逃がすために部品ごとにパッケージ化してモジュールを構成する必要があるため小型化が難しく、また、高周波化に伴いモジュール内の端子接続部での損失が増大するため、ミ...
-
インターナショナル・レクティファイアー 小型パッケージの5ピンSOT−23に封止したローサイド・ゲート駆動ICをサンプル出荷開始 〜出力を2ピンにしてパッケージの両側に配置、設計の自由度が高まる〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は4日、小型の5ピンSOT−23(SOT−23−5L)パッケージに封止した駆動能力の高いローサイド(*1)・ゲート駆動IC「IRS44273L」のサンプル出荷を開始しました。 IRS44273Lは、扱いやすく、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)やMOSFETのゲート...
-
シャープ、高水準の画素密度を実現したノートPC向けIGZO液晶パネル3タイプを生産開始
業界最高水準※1の画素密度を実現 ノートPC向けIGZO※2液晶パネル 3タイプを生産開始 シャープは、業界最高水準※1の画素密度を実現したノートPC向けIGZO※2液晶パネル3タイプ<11.6型/14型/15.6型>の生産を、6月から亀山第2工場で開始します。本年1月から生産を開始した13.3型に加え、ノートPC向けIGZO液晶パネルのラインアップを拡充します。 本液晶パネルは、IGZO技術の採用により、薄膜トランジスタの小型化が図れ、光の透過率が向上しました。これにより、なめらかでくっきりした文字やリアリティ溢れる映像を表示します。たとえば14型では、フルHD※3の1.67倍となる262ppiの画素密度を実現しました。また、光の透過率の向上によ...
-
パナソニック、多様なセンサーネットワーク用無線対応のマルチバンド統合無線技術を開発
無線周波数を気にせず機器や設備のネット接続が可能に 多様なセンサーネットワーク用無線に対応したマルチバンド統合無線技術を開発 省電力で安定した通信の実現に貢献 【要旨】 パナソニック株式会社は、異なる通信規格の機器とも簡単にワイヤレス接続し、省電力でより安定した通信を実現するマルチバンド統合無線技術を開発しました。この技術を搭載することで、センサーネットワーク用無線[1]の全ての周波数帯域に対応し、従来のシングルバンド用無線部の30%の省電力化を実現します。これにより、人を介さずにデータをやり取りするクラウドに対応した「M2M(Machine to Machine)センサーネットワーク」[2]の普及...
-
新日本無線、パルスオキシメータや脈拍計に最適な反射型センサーを開発
パルスオキシメータや脈拍計に最適な反射型センサ「NJL5501R」を開発 新日本無線株式会社(本社:東京都中央区 代表取締役社長:小倉 良)では、パルスオキシメータ(酸素飽和度計)や脈拍計などに最適な、近赤外光(波長940nm)、赤色光(波長660nm)の2つのLEDとフォトトランジスタを1つのパッケージに搭載したフォトリフレクタ、NJL5501Rを開発しました。 【概要】 現在主流のパルスオキシメータは、指など体の突出した部位をLEDとフォトトランジスタで挟み、その透過光を測定する構造のため、装着時の圧迫感や血流の阻害といった課題があります。 新日本無線では近赤外光、赤色光の2つのLEDとフォト...
-
東工大など、ピコ秒レベルで変化する有機結晶の構造の撮影に成功
ピコ秒レベルで変化する有機結晶の構造の撮影に成功 ―超短レーザーを使った小型電子線回折装置の開発で― 【ポイント】 ・生命体などの有機分子がピコ秒(1兆分の1)で起こす構造変化を直接観測する手段がなかった。 ・「超短パルスレーザー」と「高輝度超短パルス電子線」を組み合わせた分子動画技術で有機光電子材料の超高速な結晶構造変化を直接観測した。 ・人工光合成反応の観察や、有機太陽電池の設計などの新材料作り、たんぱく質の機能解析にも新たな道を開く。 JST 課題達成型基礎研究の一環として、東京工業大学 大学院理工学研究科の恩田 健 流動研究員と同研究科の腰原 伸也 教授は、有機光エレ...
-
産総研、リソグラフィーパターンを反映できる回路特性解析システムを開発
リソグラフィーパターンを反映できる回路特性解析システムを開発 −次世代大規模集積回路の設計に貢献− 【ポイント】 ・リソグラフィーシミュレーション結果などから、パターンの詳細形状を反映した回路特性解析が可能 ・フィンFET特有のSRAM回路のパターン形状の影響を解明 ・製造プロセス〜回路特性を一貫してシミュレーションすることでLSIの製造工程を最適化 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門( http://unit.aist.go.jp/neri/ )【研究部門長 金丸 正剛】ナノスケール計測・プロセス技術研究グループ 福田 浩一 主任研究員らは、...
-
STマイクロ、自動車数万台分の温室効果ガスを削減するパワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクス、 自動車数万台分の温室効果ガスを削減するパワーMOSFETを発表 ゲート電荷を低減させた新しいスーパー・ジャンクション型MOSFETにより、 液晶テレビ用電源およびその他電子機器の電力効率が向上 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、電力効率の優れたコンスーマ機器、コンピューティング・システム、通信システム、照明コントローラ、太陽光発電システムで使用される先進的な高速動作タイプのパワーMOSFET(スーパージャンクション型)を発表しました。 この最新のパワーMOSFETは、中型テレビ等の機器(消費電力範囲:200...
-
神戸製鋼など、フラットパネルディスプレイ用酸化物半導体材料など開発
酸エッチング液耐性を備えたフラットパネルディスプレイ用酸化物半導体材料 及びスパッタリングターゲット材について (株)神戸製鋼所と(株)コベルコ科研(神戸製鋼の100%出資子会社:以下 コベルコ科研)はこのほど、フラットパネルディスプレイ(以下FPD)のソース・ドレイン電極(以下S/D)のリワーク(*注1)工程に対応した酸化物半導体材料とそのスパッタリングターゲット材を開発しました。 今回開発した酸化物半導体材料は、独自の材料設計によって酸エッチング(*注2)液に対する耐性を高めることに成功しています。この特徴によって、IGZOでは適用が困難であった高い生産性が得られるバックチャネル型...
-
シャープ、電気製品の省エネ化に貢献する窒化ガリウムパワートランジスタを開発
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス(※1)市場に参入、電気製品の省エネ化に貢献 定格電圧600V パワートランジスタ(※2)を開発 シャープは、電気製品の省エネ化に貢献する定格電圧600Vの窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを開発し、4月15日よりサンプル出荷を開始します。本年中に福山工場の6インチラインで生産開始を目指します。 パワートランジスタは、電力を変換する電源回路(※3)やインバータ回路(※4)に組み込まれるキーデバイスです。電気製品の更なる省エネ化に向け、通電時の抵抗など物性の理論限界値に到達しつつあるシリコン(Si)に代わって、新材料を採用したパワートランジスタの...
-
日本TI、IGBTとSiC FET向けゲート・ドライバ製品2機種を発表
日本TI、IGBTおよびSiC FET向けに ゲート・ドライバ製品を発表 TIのIGBTおよび広バンドギャップ・ドライバのポートフォリオを拡大 再生可能エネルギー向け産業用アプリケーションをサポートする 1チャネル、2.5A/5Aのゲート・ドライバ 日本テキサス・インスツルメンツは、IGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)および、SiC(シリコンカーバイド)FET向けの、業界初の35V、1チャネルのゲート・ドライバ製品として、『UCC27531』および『UCC27532』のゲート・ドライバ製品(*)を発表しました。これらの新製品はOUTHとOUTLの個別出力を備え、太陽光パネル向けDC/ACインバータ、UPS(無停電電源)や電気自動車の...
-
ソニー、CESに56型4K対応有機ELテレビの試作機を参考出展
世界初(※)/世界最大“56型4K有機ELテレビ”を開発 〜2013 International CESに56型4K対応有機ELテレビの試作機を出展〜 ソニーは、4K(3840×2160)対応有機ELテレビの技術開発を進めており、「2013 International CES」(国際家電ショー:2013年1月8日〜11日、米国ネバダ州ラスベガス)において、その最新の成果として56型4K対応有機ELテレビの試作機を参考出展します。 今回、技術参考展示する“有機ELテレビ”は、最先端の酸化物半導体TFT技術とソニー独自の「スーパートップエミッション(Super Top Emission)」方式により、世界で初めて(※)、世界最大56型の大型サイズで4Kの高解像度を...
-
京大など、電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発
電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発 −リーク電流90%減・絶縁耐圧1.5倍で低炭素社会に貢献 木本恒暢 工学研究科教授、細井卓治 大阪大学大学院工学研究科助教、渡部平司 同教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社は共同で、高誘電率ゲート絶縁膜(アルミニウム酸窒化物:AlON)を採用したシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成しました。本成果は省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、低炭素社会実現に大きく貢献することが期待されます。 本成果は、2012年12月10日(米国太平洋時間)に電子...
-
北陸先端大、高効率スピン注入実験とスピンデバイス用新構造作成に成功
半導体スピン工学デバイス研究に大きな進展 −超省エネルギー電子デバイスの実現を目指した2つの成果− 北陸先端科学技術大学院大学(学長・片山 卓也、石川県能美市)マテリアルサイエンス研究科博士後期課程の日高 志郎(山田研究室所属)とナノマテリアルテクノロジーセンター赤堀 誠志 助教らは、ガリウムヒ素(GaAs)系化合物半導体を用いるスピン工学デバイスの開発研究において、スピン軌道相互作用を利用するスピントランジスタの実現に大きく近づく高効率スピン注入実験と、全く新しい半導体スピン工学デバイスの基礎となる新構造の作製に成功した。 【高効率スピン注入実験の成功】 スピン軌道相互作用を...
-
シャープ、クアルコムと次世代ディスプレイ共同開発などで資本提携
クアルコム社との資本提携 および 子会社ピクストロニクス社とのディスプレイ技術開発契約を締結 シャープは、Qualcomm Incorporated(以下、クアルコム、NASDAQ:QCOM)の子会社であるPixtronix社(以下、ピクストロニクス)と、ピクストロニクスのMEMS(※1)ディスプレイを共同開発することを本日合意しました。これに伴い、3G、4G、および次世代無線技術における世界的なリーダーであるクアルコムと出資契約を締結し、同社を割当先とした第三者割当による新株式の発行(以下「本第三者割当増資」)を行います。 両社が共同開発するMEMSディスプレイは、微細な加工技術を利用したディスプレイであり、優れた色再現性と低消費電力...
-
三菱マテリアル、ガリウムスクラップからのリサイクル回収技術を開発
ガリウムスクラップからのリサイクル回収技術の開発について 三菱マテリアル株式会社(取締役社長:矢尾 宏、資本金:1,194億円)は、ガリウム(Ga)スクラップからGaを低コストで環境負荷を少なくリサイクル回収する技術を開発いたしましたのでお知らせいたします。 Gaは、ガリウムヒ素(GaAs)、ガリウムリン(GaP)、ガリウムナイトライド(GaN)などの発光素子としてLEDディスプレイ、携帯電話、LED照明機器といった、ごく身近な製品に使用されており、特にLED照明機器は省エネルギー、環境負荷の観点から世界的政策として白熱電球の代替として積極的に普及が進められています。ま...
-
産総研、半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定
半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定 −超伝導体で明らかにする半導体SiCのナノ微細構造− 【ポイント】 ・超伝導X線検出器を搭載したX線吸収微細構造分光装置(SC−XAFS)の公開を開始 ・炭化ケイ素中の微量窒素ドーパントの格子置換位置を実験と第一原理計算から決定 ・低電力損失のパワーデバイスの実現などを通じて省エネルギー社会実現に貢献 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)計測フロンティア研究部門 大久保 雅隆 研究部門長らは、大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構【機構長...
-
東北大、2層の黒鉛にカルシウム原子をサンドしたグラフェン層間化合物作成に成功
ミクロな世界のサンドウィッチ −グラフェン層間化合物の作成に初めて成功− <概要> 東北大学原子分子材料科学高等研究機構の菅原克明助教、一杉太郎准教授、高橋隆教授らの研究グループは、グラファイト(黒鉛)2層の間にカルシウム原子を挿入(サンドウィッチ)した2層グラフェン層間化合物の作成に世界で初めて成功しました。この成果は、グラフェンを用いた高効率なマイクロバッテリーや超薄膜超伝導デバイスへの道を開くものであり、新たな材料科学研究へ大きく貢献することが期待されます。 本成果は、2012年11月5日(米国時間)の週に、米国科学アカデミー紀要(Proceedings of the...
-
住友金属鉱山と日立電線、リードフレーム事業と伸銅事業の統合契約を締結
リードフレーム事業及び伸銅事業の統合に関する契約の締結について (会社分割(簡易吸収分割)による新会社への事業承継及び新会社株式の譲渡) 住友金属鉱山株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長:家守伸正、以下、「住友金属鉱山」)と日立電線株式会社(本社:東京都千代田区、代表執行役執行役社長:高橋秀明(※)、以下、「日立電線」)は、平成24年3月29日に公表いたしましたリードフレーム事業及び伸銅事業(銅管事業及び黄銅事業を除く。)に関する事業統合に関しまして、具体的な検討を進めて参りました。 ※社長名の正式表記は添付の関連資料を参照 この検討を受け、本日開催された両社の取...
-
NIMSと理化学研究所、ディスプレイの制御に必要な金属酸化膜トランジスタを開発
ディスプレイの制御に必要な金属酸化膜トランジスタの開発に成功 〜スマートフォンの電池持続向上やテレビの高精細化を可能にする次世代デバイス〜 NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越 一仁 主任研究者らは、独立行政法人理化学研究所ナノサイエンス研究施設と共同で、従来にない原子材料構成による金属酸化膜トランジスタの開発に成功しました。 <概要> 1.独立行政法人物質・材料研究機構(理事長:潮田 資勝)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(拠点長:青野 正和)の塚越 一仁 主任研究者、生田目 俊秀 統括マネジャーらは、独立行政法人理化学研究所ナノサイエンス研究施設 柳沢...
-
IRジャパン、ウルトラファストIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を発売
インターナショナル・レクティファイアー ウルトラファストIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を2品種発売 〜 耐圧600Vのトレンチ構造、白物家電のモーター駆動向け 〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は17日、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)シリーズを拡張し、新たに耐圧600Vの2品種(「IRGR4045DPbF」と「IRGS4045DPbF」)を発売しました。2品種ともトレンチ構造のウルトラファストIGBTで、洗濯機や冷蔵庫などの...
-
東北大など、強磁性体や外部磁場を使わずに電子スピンを揃えることに成功
強磁性体や外部磁場を用いずに電子のスピンを揃えることに世界で初めて成功 ―半導体中でシュテルン−ゲルラッハのスピン分離実験を実現― 【発表のポイント】 ◆強磁性体や外部磁場を用いずにスピンの揃った電流を生成し、偏極率70%を実現 ◆半導体中でシュテルン−ゲルラッハのスピン分離実験を実現 ◆電気的スピン制御・検出との融合により次世代省電力・高速半導体素子が可能 本研究成果は、2012年9月25日(日本時間26日)に、英国科学誌『Nature Communications(ネーチャー コミュニケーションズ)』(オンライン誌)に掲載されます。 【成果概要】 東北大学(宮城県仙台...
-
ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製 −ポストシリコン材料のバックエンド集積化技術− <ポイント> ・シリコン基板上に安価な耐熱性ポリマーを用いて高性能化合物半導体層を転写 ・ポリマーに接合した化合物半導体層を使って400℃以下の低温でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製 ・ポストシリコン材料とシリコン大規模集積回路を融合した高性能・多機能デバイスの開発を期待 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】新材料・機能インテグレーショングループ 前田 辰郎 主...
-
IRジャパン、12V系などの電源システムの車載用3相ゲート駆動ICをサンプル出荷開始
インターナショナル・レクティファイアー 耐圧200Vの車載用3相ゲート駆動ICをサンプル出荷開始 〜12V系、24V系、48V系の電源システム向け〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は12日、車載用3相ゲート駆動IC「AUIRS20302S」のサンプル出荷を開始しました。高電圧のエアコン用コンプレッサ、ポンプ、最大600WまでのブラシレスDCモーター駆動、および高電圧モーター駆動など、12V系、24V系、48V系電源システムの車載用途向けです。 ※製品画像は...
-
IRジャパン、耐圧600Vの絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスター3品種を発売
インターナショナル・レクティファイアー 耐圧600VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を3品種発売 〜 冷蔵庫やエアコンなどのモーター駆動向け、高い電力密度と効率改善が特徴 〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は5日、耐圧600VのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)シリーズ3品種を発売しました。冷蔵庫やエアコンのコンプレッサなど10kHz以下で動作するモーター駆動用途に最適です。 IR社の最新世代(Gen7 F)のIGBTは、より...
-
理化学研究所と東大、低消費電力デバイス向け新材料「磁性トポロジカル絶縁体」を開発
低消費電力デバイスに向けた新材料を開発 −新しい原理「量子異常ホール効果」の可能性− ◇ポイント◇ ・低消費電力デバイスに向けた新材料「磁性トポロジカル絶縁体」の発見 ・質量ゼロに振る舞う電子によって、材料表面の磁石が生成 ・磁壁にそってエネルギー損失なく流れる電流の可能性 理化学研究所(野依良治理事長)と東京大学(濱田純一総長)は、エネルギーを損失することなく電流を流す新原理の実現が期待できるエレクトロニクス材料を開発しました。これにより超低消費電力エレクトロニクス技術開発の可能性が開けました。これは、理研基幹研究所(玉尾皓平所長)強相関量子科学研究グループのJ.G. ...
-
アナログ・デバイセズ、電気ストレスに強く頑丈なマルチプレクサ2品種を発売
アナログ・デバイセズ、 電気ストレスに強く頑丈なマルチプレクサ「ADG5206/07」を発表 ・産業用計測やプロセス制御アプリケーション向けに保証されたラッチアップ保護を提供 ・低電荷注入と低リーク電流特性を実現 ・16チャンネル・マルチプレクサ「ADG5206」 ・差動型8:1マルチプレクサ「ADG5207」 アナログ・デバイセズ社(NASDAQ:ADI)は、本日、最大±22Vで動作し、高電圧の産業用アプリケーション向けにラッチアップ防止を保証した2つのマルチプレクサ「ADG5206」「ADG5207」を発表しました。ラッチアップとは、電源を切るまで続く高回路電流状態のことで...
-
日本NI、半導体の自動テストにも対応の「PXIe−4143ソースメジャーユニット」を投入
日本NI、半導体デバイスの並列テストに最適な 高チャンネル密度を誇る新製品「NI PXIe−4143ソースメジャーユニット(SMU)」を投入 ソースメジャーユニットのラインナップを拡充 <ニュースハイライト> ・新製品「NI PXIe−4143ソースメジャーユニット(SMU)」は、NIが提供するSMU製品の中で最も高いチャンネル密度を備え、最高クラスのサンプリングレートを誇る製品で、複数ピンの半導体デバイスの並列テストに最適 ・NI PXIe−4143は、NI SourceAdaptテクノロジ(*)を採用しており、テスト対象デバイス(DUT:device under tes...
-
東京エレクトロンデバイス、風力・太陽光発電向けIGBTゲートドライバを販売
<インレビアム関連> 1700V/1200AクラスIGBTの制御が可能 風力・太陽光発電向けIGBTゲートドライバを販売開始 東京エレクトロン デバイス株式会社(本社:横浜市神奈川区、代表取締役社長:栗木 康幸、以下TED)は、1700V/1200AクラスIGBTの制御を1枚基板で実現するIGBTゲートドライバ「TD−BD−IGGD05K」を開発し、2012年7月より販売を開始します。 近年の省エネルギー化への流れの中で、低消費電力化や再生可能エネルギーシステムに有効なパワー半導体IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に対する注目度が高まっています。しかし、IGBTを...
-
シャープなど、ディスプレーを高精細・省電力化する酸化物半導体の新技術を共同開発
シャープと半導体エネルギー研究所が ディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 シャープ株式会社(本社:大阪市阿倍野区、社長:奥田 隆司)と株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、社長:山崎 舜平*)は、高い結晶性を有する、酸化物半導体(IGZO)の新技術を共同開発しました。これにより、スマートフォンなどモバイル機器向けの液晶ディスプレイのより一層の高精細化や低消費電力化、タッチパネルの高性能化の実現が可能です。本内容の詳細は、6月5日から開催されるディスプレイの国際学会「The Society for Information Display(SID...
-
シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 シャープは、科学技術振興機構(理事長:中村 道治、以下 JST)と、酸化物半導体(IGZO(※1))を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、本年1月20日に締結しました。当社がIGZOを採用した液晶パネルの本格的な生産に移行したことから、このたびJSTとの合意に基づき、本件についてお知らせいたします。 当該特許は、東京工業大学(学長:伊賀 健一)の細野秀雄教授らが、JSTの創造科学技術推進事業(※2)のプロジェクトにおいて発明したもので、東京工業大学などの出願を含め数十の特許群から構成され、JS...
-
リンクス、80PLUS GOLD認証を取得した「6系統 1600Wハイエンド電源ユニット」を発売
80PLUS GOLD認証取得 6系統 1600Wハイエンド電源ユニット 信頼の日本メーカー製105℃電解コンデンサ搭載 電圧0V状態でのスイッチングを可能にしたZVS回路 優れた変換効率を実現するフルブリッジDC−DCコンバータ 大口径135mmの自動回転数制御ボールベアリングファン搭載 ErP Lot6サポートで待機電力1W以下を実現 スーパーコンピュータ、ワークステーション用途にも対応LEPA G1600−MA LEPA正規代理店 株式会社リンクスインターナショナル(本社:東京都千代田区、代表取締役:川島義之)は、80PLUS GOLD認証取得、6系統 1600Wハイエンド...
-
富士通ゼネラル子会社、一関市に電子デバイスなど生産の新工場を建設
電子デバイス・情報通信システム機器の生産拠点(岩手県一関市) (株)富士通ゼネラルエレクトロニクス 新工場を建設 2013年5月操業開始 当社の電子デバイス・情報通信システム機器の生産拠点である株式会社富士通ゼネラルエレクトロニクス(当社出資比率100%、以下FGEL)(岩手県一関市)は、同部門の事業拡大に伴う生産体制の効率化と事業継続性強化を目的として、現敷地内に新工場を建設いたします。新工場建設にかかる総投資額は約22億円を見込んでおり、2013年4月に竣工、同年5月に操業開始を予定しております。 近年、「安心・安全」への社会的な関心の高まりにより、電子デバイス事業の中核をなす車載カメラ市場では、国...
-
ルネサスエレクトロニクス、低損失の携帯機器等向けパワー半導体「μPA2600」など製品化
携帯機器用に2mm角の超小型パッケージで業界トップの低損失を実現した パワー半導体「μPA2600」他を製品化 〜当社従来品より実装面積を約3割から6割低減した8製品により、携帯機器の小型軽量/省電力化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、スマートフォンなどの携帯機器等向けパワー半導体として、2mm×2mmの超小型パッケージ採用セミパワーMOSFET(注1)では業界トップの低損失(低オン抵抗[注2])を実現した20V耐圧(VDSS)の「μPA2600」と30V耐圧の「μPA2601」を製品化し、2012年4月よりサンプ...
-
富士通研究所、変換効率94.8%を実現したサーバー向け2.3kW大容量電源を開発
世界最高の変換効率94.8%を実現した、サーバ向け2.3kW大容量電源を開発 サーバ、データセンターの省電力化に貢献 株式会社富士通研究所(注1)は、出力電力容量2.3キロワット(以下、kW)では世界最高となる変換効率94.8%を達成したサーバ用電源を開発しました。 近年、サーバの高性能化にともない消費電力も増大しており、サーバ内部へ電力を供給する電源の大容量化が求められています。電源は、外部から供給される交流電圧を、サーバの動作に必要な安定した直流電圧に変換しますが、その際に変換損失が発生します。この損失を減らし、電源の変換効率を高めることがサーバ全体の消費電力を削減す...
-
JSTと慶大、「光誘起電荷分離現象」についてリアルタイムに高精度で観測することに成功
有機薄膜表面電子の光励起寿命をリアルタイムで計測 −高効率な太陽電池などの創出に道開く− JST課題達成型基礎研究の一環として、慶應義塾大学 理工学部 化学科の中嶋 敦教授らの研究グループは、有機薄膜を塗布した金電極に、光を照射した時に起こる「光誘起電荷分離現象(注1)」を、リアルタイムに高精度で観測することに成功しました。 有機薄膜の1つである、アルカンチオール(注2)の自己集積化単分子膜(SAM膜)(注3)は、今後実用化が期待されるナノクラスター(原子や分子が集合した超微粒子)(注4)を用いた光電子デバイス(注5)に必須の絶縁中間層材料の代表例として有望視されています...
-
IRジャパン、耐圧600Vの3相ゲート駆動IC「IRS2334SPbF」などのサンプル出荷開始
インターナショナル・レクティファイアー 高効率のインバータ制御モーター向けゲート駆動ICをサンプル出荷開始 〜耐圧600V、省エネ家電や工業機器向け〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は21日、耐圧600Vの3相ゲート駆動IC「IRS2334SPbFとIRS2334MPbF」のサンプル出荷を開始しました。省エネ家電製品や工業機器で使うインバータ(*1)制御のモーター駆動用途に最適です。 IRS2334SPbFのパッケージはSOIC20WB(ワイドボディの20ピ...
-
パナソニック、低消費電力の1W以下のミリ波ギガビット無線チップセットを開発
モバイル機器でストレスフリーの双方向ハイビジョンデータ通信の実現に貢献 業界最小消費電力(*)、1W以下のミリ波ギガビット無線チップセットを開発 WiGigおよびIEEE802.11ad規格採用により幅広い接続を実現 *)2012年3月19日現在、当社調べ 【要旨】 パナソニック株式会社は、業界最小消費電力、1W以下のミリ波ギガビット無線チップセットを開発しました。本チップセットはWiGigアライアンス[1]などが策定する超高速無線通信の標準規格[2]に対応しており、幅広い通信機器端末と安定した双方向通信を可能にします。当社では、送受信部と変復調処理部をCMOS集積化する回路...
-
コニカミノルタ、超軽量のカセッテ型デジタルX線撮影装置「AeroDR 1717HQ」を発売
世界最軽量 17×17インチサイズのカセッテ型デジタルX線撮影装置「AeroDR(エアロディーアール)1717HQ」 新発売 コニカミノルタエムジー株式会社(本社:東京都日野市、社長:児玉 篤、以下 コニカミノルタ)は、17×17インチサイズでは世界最軽量(※1)のカセッテ型デジタルX線撮影装置「AeroDR(エアロディーアール)1717HQ」を2012年2月23日より発売いたします。 【商品名】 AeroDR1717HQ 製造販売認証番号 222AIBZX00035000 【標準価格】 35,400,000円(税別) 【発売日】 2012年2月23...
-
ルネサスエレクトロニクス、ノートPCを省電力化する低損失のパワー半導体(MOSFET)を発売
ノートPCの省電力化に貢献する低損失のパワー半導体(MOSFET)を発売 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、ノート型パソコン(以下ノートPC)におけるリチウムイオン二次電池の充放電制御スイッチやACアダプタとの電源切り替え用のパワーマネージメントスイッチとして、低損失のパワー半導体(MOSFET(注1))「μPA2812T1L」など計5品種を製品化し、本日よりサンプル出荷を開始します。 新製品は、(1)当社従来品に比べ約半分の低損失化(低オン抵抗(注2)化)を実現。「μPA2812T1L」では、3.3mm角の小型パッケー...
-
NICT、有機デバイスやナノ配線が簡単に作れる「ナノワイヤ作製キット」を開発
有機デバイスやナノ配線が簡単に作れる「ナノワイヤ作製キット」を開発 〜装置コストや線幅が大きく改善、デバイスそのものの特性向上も可能に〜 独立行政法人情報通信研究機構(以下「NICT」、理事長:宮原 秀夫)は、ナノスケール(*1)の単結晶(*2)であるナノワイヤ(*3)を電極間に簡単に作製できる「ナノワイヤ作製キット」を開発しました。ナノワイヤ作製キットは、高真空系などの大掛かりな装置でなく、手のひらサイズの装置を用いて、基板上にナノワイヤを簡単に作製することができるキットです。本キットの製造原理には、NICTが開発した「ナノ電解法(*4)」を用いており、この技術により、今...
-
日本TI、窒化ガリウムFETドライバICファミリーに新製品「LM5114」を追加
日本TI、窒化ガリウムFETドライバICファミリに新製品を追加 柔軟性の高いローサイド・ゲート・ドライバにより、高効率と高電力密度を実現 日本テキサス・インスツルメンツは、高密度パワーコンバータでMOSFETおよび窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)とともに使用するローサイド・ゲート・ドライバを発表しました。新しい『LM5114』ゲート・ドライバは同期整流器や高力率コンバータなどのローサイド・アプリケーションでGaN FETおよびMOSFETを駆動します。2011年に発表した業界初の100VハーフブリッジGaN FETドライバ『LM5113』を含むF...
-
ルネサスエレクトロニクス、電源変換回路を1パッケージ化した「SiC複合パワーデバイス」を発売
SiCパワー半導体第2弾、電源変換回路を1パッケージ化した 「SiC複合パワーデバイス」シリーズを発売 〜家電機器、パワーエレクトロニクス機器の省電力化、省スペース化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、エアコン等の家電機器やPCサーバ、太陽光発電等のパワーエレクトロニクス機器向けに、低損失化に有効な新材料の炭化ケイ素(Silicon Carbide 以下SiC[注1])を採用したパワー半導体の第2弾として、電源変換回路やスイッチング回路を構成するSiCダイオードと複数の高耐圧トランジスタとを業界で初めて1パッケ...
-
STマイクロ、MDmesh V技術を採用した高効率電力制御用パワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクス、 業界をさらにリードする高効率電力制御用パワーMOSFETを発表 最先端スーパー・ジャンクション技術 MDmesh(TM) Vを採用した パワーMOSFETの新製品が画期的な記録を達成し、 より高効率なコンスーマ機器/太陽光発電システム用コンバータを実現 エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、業界最高クラスの性能を有する高耐圧パワーMOSFETであるMDmesh Vファミリの新製品が、高耐圧パワーMOSFETの画期的な記録を達成したことを...
-
ルネサスエレクトロニクス、HEV/EV用モーター制御など向け車載用マイコンを発売
HEV/EV用モータ制御を効率化する角度センサ(レゾルバセンサ)の特性をプログラマブルに補正できる 高性能マイコン「V850E2/PJ4−E」を発売 〜機能安全規格ISO26262にも対応し、HEV/EV用モータシステムの高い安全性かつ低コスト化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、ハイブリッド電気自動車や電気自動車(HEV/EV)用モータ制御など向けの車載用マイコンとして、高度な機能安全に対応したシステムの高機能化と低コスト化の同時実現に貢献する「V850E2/PJ4−E」を製品化し、2012年3月よりサンプル出...
-
NICTなど、酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスターを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ”を世界で初めて実現! 〜省エネルギー問題の解決に向けた“次世代パワーデバイス”候補に名乗り〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:宮原 秀夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村 直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島 康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスタ(FET)(*3)を開発し、その世界初の動作実証に成功しました。 酸化ガリウムは、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途...
-
京大、1兆分の1秒間の強電場パルス照射で半導体の自由電子数を1千倍に増幅することに成功
1兆分の1秒間の強電場パルス照射により、半導体の自由電子数を1千倍に増幅: 超高速トランジスタや高効率の太陽電池の開発に期待 物質−細胞統合システム拠点(iCeMS=アイセムス)の廣理英基助教と田中耕一郎教授の研究グループは、ごくわずかな時間にエネルギーが圧縮されたフェムト秒レーザーとニオブ酸リチウムの結晶をもちいて1MV/cmという世界最高電場強度のテラヘルツ光を発生させることに成功しました。さらに、このテラヘルツ光を半導体に1兆分の1秒という短い時間照射するだけで、半導体の中の電気伝導を担う自由電子の数を約1000倍に増幅することに成功しました。実験にもちいた半導体試料...
-
ルネサスエレクトロニクス、自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体を発売
自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体(サーマルFET)を発売 〜当社従来比約25%の損失(オン抵抗)低減により、機器の省電力化、小型化に貢献〜 ※製品画像は、添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、自動車の室内灯スイッチ、およびエンジン制御用ソレノイドや各種センサの駆動用のパワー半導体「サーマルFET(過熱遮断機能内蔵型MOS FET(注1))」として、当社従来比約25%の低損失化(低オン抵抗化(注2))を実現した「RJF0604JPD」など5製品を本日よりサンプル出荷します。 新製品の...
-
米ビシェイ、フォトトランジスタ出力の低入力電流オプトカプラ6種をDIPおよびミニフラットパッケージで発表
ビシェイ社、フォトトランジスタ出力の低入力電流オプトカプラ6種を 環境に優しいDIPおよびミニフラットパッケージで発表。 ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブル・ロジックコントローラ アプリケーション向け 1mA、5mAの低入力電流と高電流伝達率(CTR)が特長 ※製品画像は、添付の関連資料を参照 ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、同社のオプトエレクトロニクス製品ポートフォリオを拡大し、DIP−4、SSOP−4ハーフピッチミニフラット、およびSO...
-
ルネサスエレクトロニクス、40nmプロセスのマイコン内蔵用フラッシュメモリを開発
業界初、40nmマイコン用フラッシュメモリを開発 〜本フラッシュメモリ内蔵の車載マイコンを2012年初秋にサンプル出荷〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:赤尾 泰)はこのたび、40nm(ナノメートル:10億分の1)プロセスのマイコン内蔵用フラッシュメモリを業界で初めて開発しました。 内蔵用フラッシュメモリでは、品質と信頼性を維持したまま微細化することは一般的に困難ですが、当社では既に90nmマイコン用に採用して高い実績があるMONOS構造(注)フラッシュメモリを、40nmプロセス上でさらに改良することにより両立を実現。試作チップに...
-
国内初 新日鉄が6インチ口径炭化ケイ素単結晶ウェハの開発に成功 新日本製鐵株式會社(社長:宗岡正二)は、このたび技術開発本部先端技術研究所において、今後の高性能パワー半導体デバイスの量産・普及のキー材料である6インチ口径の炭化ケイ素(以下、SiC)単結晶ウェハ(*1)の開発に国内で初めて成功いたしました。 1.SiCウェハは低炭素社会を実現する革新的材料 SiCウェハは、現在、ダイオード(*2)やトランジスタ(*3)などの半導体デバイス(*4)の製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑えることができます。また耐電圧性や耐熱性にも優...
-
三菱電機、高出力100Wを実現した「衛星通信用C帯100W GaN HEMT」を発売
衛星通信のC帯で業界最高の出力100Wを実現 「衛星通信用C帯100W GaN HEMT」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、C帯(※1)衛星通信の地球局(※2)に使用される電力増幅器用「GaN(※3) HEMT(※4)」の新製品として、業界最高出力(※5)の100Wおよび出力50Wの2機種のサンプル出荷を2012年1月10日に開始します。 ※1:周波数4GHz〜8GHzのマイクロ波 ※2:衛星通信で地上に設置された基地局 ※3:Gallium Nitride:窒化ガリウム ※4:High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ ※5:...
-
東北大学、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェンの多機能化に成功
Si基板上へのグラフェン多機能デバイスの開発に道 <概要> 東北大学電気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(Si)基板の面方位による、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェン(GOS)の多機能化(金属性・半導体性の切り分け)に成功し、GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示しました。 現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化・集積可能性を示したことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。 1.発表内容 国立大学法人東北大学(総長井上明久)電気通信研究所(以下「東北大通研」)の吹留博一助教、末光眞希教授及び...
-
IRジャパン、車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ)シリーズ4品種を発売
インターナショナル・レクティファイアー 車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ)シリーズ4品種を発売 〜 耐圧600Vで電気自動車やハイブリッド車に最適化 〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は12日、耐圧600Vの車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)シリーズ4品種を発売しました。電気自動車やハイブリッド車で使われる可変速モーター制御や電源などの用途に最適化しています。 新しいIGBTシリーズは、さまざまな最大コレクタ電流の製...
-
産総研、東大と共同で強誘電体NANDフラッシュメモリーの64キロビットメモリーアレイを開発
高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製 −次世代半導体不揮発メモリーの実用化へ前進− <ポイント> ・全ビット測定ができる高性能メモリーアレイの作製に初めて成功 ・2日間の測定によりブロックレベルで良好なデータ保持特性を実証 ・高密度大容量、高書き換え耐性、低消費電力の次世代半導体不揮発メモリーとして期待 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】強誘電体メモリグループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学(以下「東大」という)大学...
-
IRジャパン、IH調理器向けウルトラファストIGBT2品種を発売
インターナショナル・レクティファイアー 電磁(IH)調理器向けIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を2品種発売 〜 耐圧1200Vで高効率、高信頼性 〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は28日、電磁(IH)調理器向けの高効率、高信頼性のウルトラファストIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)を2品種発売しました。用途は、IH調理器のほか、溶接装置や大電力の整流などの共振スイッチなどにも適しています。 ※製品画像は添付の関連資料を参照 2...
-
ローム、太陽光発電のパワーコンディショナー向け高耐圧パワーMOSFET「R5050DNZ0C9」を開発
業界トップクラス34mΩの低オン抵抗を実現 Si深堀エッチング技術を採用したスーパージャンクションMOSFETの量産スタート 半導体メーカーのローム株式会社(本社:京都市)は、太陽光発電のパワーコンディショナー向けに業界トップクラスの低オン抵抗を実現した高耐圧パワーMOSFET「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)を開発しました。 本製品は、放熱性の高いTO247PLUSパッケージを採用し、9月中旬よりサンプル出荷(サンプル価格:1000円/個)を開始し、2011年12月には量産を開始する予定です。 省エネ機運の高まりにより再生可能エ...
-
産総研と電気化学など、高い熱伝導率を持つ窒化ケイ素セラミックスを開発
極めて高い熱伝導率を持つ窒化ケイ素セラミックス −パワーデバイス用回路基板への展開に期待− <ポイント> ・177 W/(m・K)の高い熱伝導率を、機械特性に優れる窒化ケイ素セラミックスで達成 ・粘り強さをあらわす破壊靱性は窒化アルミニウムセラミックスの3倍以上 ・柱状粒子が絡み合った構造を持ち、窒化アルミニウムよりも強度が高い 【概 要】 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下、「産総研」という)先進製造プロセス研究部門【研究部門長 村山 宣光】エンジニアリングセラミックス研究班 平尾 喜代司 研究班長、周 游 主任研究員らは、電気化学工業株式会社【...
-
ルネサスエレクトロニクス、無線LANや衛星ラジオ向けに高周波低雑音増幅器を発売
無線LAN等向けに、業界トップレベルの低雑音性能を実現した 高周波低雑音増幅器(SiGe:C HBT)を発売 〜5.8GHz帯で雑音指数 0.75dBを実現し、通信感度向上や低消費電力化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰)はこのたび、無線LANシステムや衛星ラジオ等の低雑音増幅器用トランジスタとして、新開発のシリコン・ゲルマニウム:カーボン(SiGe:C)採用プロセス(注1)により、業界最高レベルの低雑音性能を実現したSiGe:Cヘテロ型バイポーラトランジスタ(以下SiGe:C HBT)(注2)を製品化しました。「NESG7030M04」...
-
テクトロニクス、業界最高レベルの測定確度を持った33GHz帯域のオシロスコープを発表
テクトロニクス、業界最高レベルの測定確度を持った33GHz帯域のオシロスコープを発表 100GS/sサンプル・レート(2チャンネル時)のDPO/DSA70000Dシリーズが、光変調解析やSerDes検証における超高速の信号をサポート テクトロニクス(代表取締役 米山不器)は、本日、2チャンネルで最高100GS/sのリアルタイム・サンプル・レート、4チャンネルで33GHzのアナログ周波数帯域を持った、DPO/DSA70000Dシリーズ・オシロスコープ 4機種を発表します。新製品には25GHzと33GHz帯域の2モデルがあり、複数チャンネルで今日の最速となる電気信号を業界最高...
-
東京大学など、強相関電子を2次元空間に人工的に閉じ込める「量子井戸構造」の作製に成功
「世界で初めて強相関電子を2次元空間に閉じ込めることに成功 ―新たな高温超伝導物質の実現や、電子素子作りに道を拓く―」 1.発表者: 組頭広志(当時:東京大学大学院工学系研究科 応用化学専攻 准教授、 現:高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 教授) 尾嶋正治(東京大学大学院工学系研究科 応用化学専攻 教授) 2.発表概要: 高温超伝導などの源である電子同士が互いに強く影響し合う性質をもった「強相関電子[注1]」を2次元空間(層)に人工的に閉じ込める「量子井戸構造[注2]」を作製することに世界で初めて成功しました。レーザーを使った結晶成長の技術を...
-
太陽誘電、静電容量220μFを実現した積層セラミックコンデンサ「AMK316BBJ227ML」など商品化
太陽誘電:積層セラミックコンデンサで世界初となる静電容量220μFを商品化 −大容量積層セラミックコンデンサシリーズのラインアップを拡充− 太陽誘電株式会社(代表取締役社長:綿貫 英治、本社:東京都台東区)は、積層セラミックコンデンサで世界初となる静電容量(注1)220μFを実現した3216サイズ「AMK316BBJ227ML」(3.2x1.6x1.6mm)、3225サイズ「JMK325ABJ227MM」(3.2x2.5x2.5mm)を商品化します。 これらの商品はスマートフォン、タブレットPC、ノートPCなど高性能デジタル機器向けで、当社従来品である「AMK316 BJ1...
-
ナショナルセミコンダクター、電力密度と効率を提供する100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表
業界初のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワーFET向け100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表 高耐圧アプリケーションの電力密度と効率を向上させる高集積ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ ナショナル セミコンダクター ジャパン株式会社(本社:東京都江東区木場2丁目17番16号、代表取締役:和島 正幸)は、高耐圧パワーコンバータでエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)とともに使用できる業界初の100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表しました。ナショナル セミコンダクターの新しいLM5113は高集積ハイサイドおよびロ...
-
矢野経済研究所、有機エレクトロニクス世界市場に関する調査結果を発表
有機エレクトロニクス世界市場に関する調査結果 2011 【調査要綱】 矢野経済研究所では、次の調査要綱にて有機エレクトロニクス世界市場の調査を実施した。 1.調査期間:2011年1月〜5月 2.調査対象:有機エレクトロニクス関連研究機関及びメーカー 3.調査方法:当社専門研究員による直接面談ならびに文献調査併用 <有機エレクトロニクスとは> 有機エレクトロニクスとは、広義では有機感光体や有機EL素子材料等も含まれるが、本調査においては有機半導体または有機半導体技術を活用したエレクトロニクス製品を指す。 【調査結果サマリー】 ●2020年の有機エレクトロニクス世界市場規模は...
-
TDK、シースルータイプの高精細有機ELディスプレイ「UEL476」を開発し量産開始
シースルータイプの高精細有機ELディスプレイの開発、量産について TDK株式会社(社長:上釜 健宏)は、この度、世界初(※)のシースルータイプ、パッシブマトリクス駆動方式(*1)のQVGA(*2)有機ELディスプレイ(製品名:UEL476)を開発、量産を開始しました。 有機ELディスプレイは、薄膜形成した有機材料を電気的に発光させる自発光型のディスプレイで、高輝度、広視野角等の圧倒的な視認性の良さと、高速応答性等を特長とし、フラットディスプレイの一つとして普及しています。 当社の有機ELディスプレイは、全てパッシブマトリクス方式を採用しており、今回開発したシースルータイプ...
-
日立、複数の耐圧を持つ中高耐圧トランジスターを1チップ化する技術を開発
日立が複数の耐圧を持つ中高耐圧トランジスタを 1チップ化する技術を開発 株式会社日立製作所(執行役社長:中西 宏明/以下、日立)は、計測機器や医療機器、自動車の動力制御などに適用するための中高耐圧半導体集積回路の小型化、高性能化に向け、35V〜200V間の異なる耐圧を持つトランジスタを1チップ化する技術と、ゲート耐圧が300Vを超えるトランジスタの開発に成功しました。5月23日から米国カリフォルニア州サンディエゴで開催されているISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s)2011にお...
-
STマイクロ、省電力蛍光灯向けバラスト・コントローラーを発表
STマイクロエレクトロニクス、 省電力蛍光灯向けの画期的ソリューションを発表 幅広い価格帯の電源回路に業界で初めて対応し、 コスト低減要求の厳しい照明機器市場において、 高効率な電子バラストの普及を促進する高機能バラスト・コントローラ エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーであるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、世界的な省電力規格によって電力のより効率的な使用が求められる中、設計時間ならびにコストの低減を可能にする新しいバラスト・コントローラを発表しました。新製品は、ENERGY STAR等のエネルギ...
-
東北大学など、新材料トポロジカル絶縁体の電子スピンの直接観測に成功
新材料トポロジカル絶縁体の電子スピンの直接観測に成功 −次世代の省エネルギーデバイス開発に向けて大きな進展− <概 要> 東北大学原子分子材料科学高等研究機構の相馬清吾助教と高橋 隆教授、大阪大学産業科学研究所の安藤陽一教授らの研究グループは、次世代のスピントロニクスデバイス(注1)を担う画期的な新材料として注目されている「トポロジカル絶縁体」(注2)の電子スピン(注3)(最小の磁石)の状態を、世界最高の分解能を持つ超高分解能スピン分解光電子分光装置により直接観測することで、デバイス応用に重要となる電子スピンの動作機構の解明に成功しました。今回の成果により、次世代の省エネ素子...
-
リニアテクノロジー、EN55022クラスB認証済みの8A降圧μModuleレギュレーターを販売
リニアテクノロジー、新製品「LTM4613」を販売開始 EN55022クラスB認証済み、36V、8A降圧μModuleレギュレータ 2011年5月16日 − 高性能アナログICのリーディングカンパニーであるリニアテクノロジーは、最大96Wの出力電力で、EN55022クラスBのEMI(電磁干渉)放射制限に対する適合に関して公認試験機関TUV Rheinlandによる認証を取得した、8A降圧μModule(R)レギュレータ「LTM4613」の販売を開始しました。LTM4613は、熱効率が高い15mm x 15mm x 4.3mm LGAパッケージで供給されます。LTM4613に...
-
フリースケール、複数の周波数帯域をカバーするRFパワーLDMOSトランジスタを発表
フリースケール、ワイヤレス基地局の複数の周波数帯域をカバーする RFパワーLDMOSトランジスタを発表 高い電力効率および広いビデオ帯域幅により、導入/運用コストの削減と 柔軟なネットワークの構築を実現 2011年4月27日 − フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1−8−1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ)は、携帯電話基地局割り当て周波数帯域の全チャネルをカバー可能なアンプを実現する2つの新しいLDMOS RFパワー・トランジスタ、1930MHz〜1995MHz PCS帯域向け「MRF8P20165WH/S」および1880MHz...
-
ジュニパーネットワークス、トランスポート向け「Junos Express」チップセットを発表
ジュニパーネットワークス、トランスポート向け「Junos(R) Express」新チップセットを発表 進化するネットワークの経済性を向上する スロットあたり最高2テラビットのスケーラビリティを実現する最新シリコン ジュニパーネットワークス株式会社(本社:東京都新宿区、代表取締役社長:細井 洋一、以下 ジュニパーネットワークス)は、本日、業界最速で最もエネルギー効率の高いシリコン、「Junos(R) Express」チップセットを発表しました「Junos Express」は、スケール、速度、費用対効果を目的にジュニパーネットワークが開発したチップセットで、スロットあたり最高2...
-
東芝、待機時の消費電力7μW実現の無線LAN対応LSI向け低消費電力技術を開発
待機時の消費電力7μWを実現した無線LAN対応LSI向け低消費電力技術を開発 〜高速化技術との組み合わせで、従来製品比で9割以上の消費電力削減〜 当社は、携帯端末向けにIEEE802.11a/b/g/n準拠の無線LAN対応LSIの低消費電力化技術を開発しました。今回試作したチップでは、待機時に動作する回路を最小限にし、常時電源が供給される電源制御回路に厚膜トランジスタを採用することなどにより、待機時の消費電力を7μWにしました。なお、開発した技術は、90nm CMOSプロセスを用いて検証しました。 携帯機器や家電機器の多機能化が進み、携帯電話でエアコンのスイッチを遠隔操作し...
-
IRジャパン、LED(発光ダイオード)制御用IC「IRS2548D」をサンプル出荷開始
インターナショナル・レクティファイアー LED(発光ダイオード)制御用ICをサンプル出荷開始 〜力率改善(PFC)回路内蔵、街灯や劇場照明などに最適〜 パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都豊島区)は19日、大電力LED(発光ダイオード)照明の高効率スイッチング電源(SMPS)用制御IC「IRS2548D」のサンプル出荷を開始しました。LED利用の街灯、スタジアムや劇場の照明などに適しています。 IRS2548Dは、力率改善(PFC)(*1)回路とハーフブリッジ(*2)駆動...
-
IBMとシンガポールの研究所が画期的なMRSA治療法を発見 −既存の抗生物質と比べより効果的に感染症と戦うことができる新しい分子構造− [米国カリフォルニア州サンノゼ 2011年4月4日(現地時間)発] IBM(本社:米国ニューヨーク州アーモンク、会長サミュエル・J・パルミサーノ、NYSE : IBM) の研究員とシンガポールのInstitute of Bioengineering and Nanotechnology (バイオ工学・ナノテクノロジー研究所、以下IBN)の研究員はこのたび、新しいタイプのポリマーがメチシリン耐性黄色ブドウ球菌(Methicillin−resi...
-
北海道大学、半導体量子井戸において電子スピン制御の物性定数を解明
電子スピン制御の物性定数を解明 〜次世代電子デバイスの研究・開発を加速〜 <研究成果のポイント> ・半導体の基本物性値の一つ「スピン軌道相互作用係数」を実験的に決定。 ・半導体量子井戸内の電子スピンを回転方向も含めてゲート制御することにはじめて成功。 ・将来のスピン電子デバイスの開発に既存のバンドエンジニアリングの手法を適用する道を開いた。 <研究成果の概要> 北海道大学大学院情報科学研究科/創成研究機構研究部の古賀貴亮准教授の研究グループはNTTと共同で,インジウム,ガリウム,砒素をベースとした半導体量子井戸(図2)において,半導体の基本物性の一つである「スピン軌道相互...
-
アンリツ、高速デジタル基板上の電子部品評価実現のJ1512A 7.5GHzパッシブプローブを販売
MP2100Aシリーズ応用部品拡充 高速デジタル基板上の電子部品の評価を実現 J1512A 7.5GHzパッシブプローブの販売を開始 アンリツ株式会社(社長:橋本 裕一)は、BERTWave MP2100Aシリーズの応用部品を拡充。新たに高速デジタル基板上の電子部品の評価を可能とするJ1512A 7.5GHzパッシブプローブの販売を3月9日から開始いたします。 MP2100Aシリーズは、BER[※1]測定とアイパターン[※2]解析を1台で可能とする計測器です。今回販売を開始するパッシブプローブ[※3]を使用することにより、各種電子部品の信号レベルや波形を高速デジタル基板に...
-
東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功
東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功 (超臨界アンモニアを用いた結晶成長法により、パワーデバイス用窒化ガリウム基板の育成に道) <概要> 東北大学 多元物質科学研究所(所長:河村純一、以下「多元研」という)および原子分子材料科学高等研究機構(機構長:山本嘉則、以下「WPI」という)は、超臨界アンモニアを用いる「アモノサーマル法」による窒化ガリウム(GaN)【注1】結晶成長において、酸性鉱化剤の気相合成法を開発し、育成結晶中の残留酸素濃度が従来の100分の一以上低い窒化ガリウムバルク単結晶の高速育成に成功しました。更に、これを基板結晶として...
-
シャープ、電子式卓上計算機「コンペット CS−10A」が「情報処理技術遺産」に認定
シャープの電子式卓上計算機(電卓)<コンペット CS−10A>が 『情報処理技術遺産』に認定 *製品画像は添付の関連資料を参照 シャープが世界に先駆けて(※1)商品化した電子式卓上計算機(電卓)「コンペット CS−10A」が、日本の情報処理技術の発展を示す歴史的文物として、一般社団法人情報処理学会より『情報処理技術遺産』に認定されました。当社の電卓開発の取り組みが高く評価されたものです。 『情報処理技術遺産』は、研究・教育材料としての活用、遺産保存の推進を目的に、日本の情報処理技術の基盤を形成した貴重な技術史的成果や製品、生活・文化・経済・社会に著しく貢献した情報処理...
-
三菱電機、駆動回路と保護回路を内蔵した「フルSiC−IPM」を開発
電流センス機能搭載SiC−MOSFETを使用 駆動回路と保護回路を内蔵したフルSiC−IPMを世界で初めて開発 三菱電機株式会社は、パワー半導体素子をすべてSiC(※1)(炭化ケイ素)で構成し、駆動回路と保護回路まで内蔵した「フルSiC−IPM(※2)」を世界で初めて開発しました。Si(シリコン)のIPMに比べ、インバーター損失を約70%低減し、モジュールの体積も半減しました。 ※1 Silicon Carbide:炭素とケイ素が1:1の化合物 ※2 Intelligent Power Module:駆動回路、保護回路を内蔵した高機能パワー半導体モジュール *商品画像は...
-
ルネサスエレクトロニクス、実装面積を約60%削減可能なパワー半導体を発売
実装面積を約60%削減可能なパワー半導体の発売 〜サーバ、PCの高速DRAM用電源回路として6mm角、25A駆動を実現〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、PCやサーバ、プリンタの高速DRAMなどの専用電源として、25A対応製品では業界で初めて電源用パワーMOSFET(注1)と電源コントローラを1パッケージ化し、電源システムの小型化、省電力化に貢献するパワー半導体(POLコンバータ)「R2J20751NP」を製品化し、本年2月よりサンプル出荷を開始します。 新製品は、5Vの電圧をメモリ向けに1.5Vに変換するなどの電圧...
-
東大とJST、電子・正孔ともに高い移動度を実現するゲルマニウム電界効果トランジスターを開発
電子・正孔ともに世界最高移動度を持つゲルマニウム電界効果トランジスターを実現 (次世代CMOSへ新たな道) JST 課題解決型基礎研究の一環として、東京大学大学院工学系研究科の鳥海 明 教授らは、電子・正孔ともに世界最高の移動度(注1)を持つゲルマニウムを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスター(注2)の開発に成功しました。 低消費電力デバイスを構築する上でCMOS(Complimentary MOS)(注3)技術は欠かせません。現在はシリコンCMOSが主流ですが、次世代CMOSの高性能化に向けてトランジスターのスイッチ速度に直結する飛躍的に移動度が高いトランジスターの実...
-
パナソニック、Si基板に耐圧ブースト構造を有するGaNパワートランジスタを開発
GaNパワートランジスタの応用分野をさらに拡大 Si基板に耐圧ブースト構造を有するGaNパワートランジスタを開発 耐圧3,000V以上の実現に目処 ※参考画像は、添付の関連資料を参照 【要旨】 パナソニック株式会社 セミコンダクター社は、シリコン(Si)基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)[1]パワートランジスタ[2]の耐圧[3]を、飛躍的に向上させる技術を開発しました。GaN膜厚で決まる耐圧に加え、Si基板の耐圧を利用する構造を新たに導入し、Si基板上において耐圧3,000V以上の実現に目処をつけました。 【効果】 本開発により、Si基板を用いた場合に、GaN膜厚で決まる...
-
東芝、歪み印加技術によりオン電流を向上できる立体構造トランジスタの高性能化技術を開発
立体構造トランジスタの高性能化技術の開発について −歪み印加技術によりオン電流を従来比58%向上− 当社は、20nm世代以降の超低消費電力・高性能LSIの実現に向け、トランジスタ構造の有力候補として検討されている立体構造トランジスタの「ナノワイヤトランジスタ」において、歪み印加技術によってオン電流を従来比58%向上できることを実証しました。本成果は、12月6日から米国・サンフランシスコで開催される半導体デバイスに関する国際学会「IEDM2010」で、8日(現地時間)に発表します。 ナノワイヤトランジスタ(図1参照)は、トランジスタのチャネル部がナノメートル級の細いワイヤ形...
-
米IBM、光パルス使ったコンピューター・チップ間の通信が可能になる半導体技術を発表
エクサスケール・コンピューティングへの道をひらく画期的な半導体技術 IBMのシリコン・ナノフォトニクスで光信号を使いチップを接合 省消費電力でより高速に [米国ニューヨーク州ヨークタウン・ハイツ 2010年12月1日(現地時間)発] IBM(本社:米国ニューヨーク州アーモンク、会長:サミュエル・J・パルミサーノ、NYSE:IBM)の科学者たちは本日、電気デバイスおよび光学デバイスを同一のシリコン片の上で集積し、電気信号のかわりに光パルスを使用したコンピューター・チップ間の通信が可能となる新しい半導体技術を発表しました。これにより、従来の技術で作られたものより小型で高速、電力効...
-
高速・高信頼性を両立し、性能のばらつきを抑えたCNTトランジスタを開発 <プラスチック基板に印刷したCNTトランジスタ/印刷CNTトランジスタ(拡大写真)> ※画像は、添付の関連資料を参照 NECはこのたび、低価格で大面積な回路を製造できる「インクジェット印刷法によるカーボンナノチューブ(CNT)トランジスタ」において、高速駆動と信頼性の向上を両立しながら、トランジスタ個々の特性を安定した素子を開発しました。 印刷トランジスタの作成において、このたびのインクジェット印刷法は、従来のディスペンサ印刷法と比べて、より微細な回路を作成可能です。しかし、インクジェット印刷法に適...
-
リニアテクノロジー、デュアル・リニア・コントローラー付き2.6A・36V降圧スイッチング・レギュレーターを販売
リニアテクノロジー、新製品「LT3694」を販売開始 デュアル・リニア・コントローラ搭載、70V過渡電圧保護付き、36V入力、2.6A(IOUT)、2.5MHz降圧DC/DCコンバータ ※製品画像は関連資料を参照 2010年11月18日 − 高性能アナログICのリーディングカンパニーであるリニアテクノロジーは、4mm x 5mm QFNまたはTSSOP−20Eパッケージで供給される、デュアル・リニア・コントローラ付き2.6A、36V降圧スイッチング・レギュレータ「LT3694」の販売を開始しました。LT3694には、他の外部デバイスを同期させるために必要なクロック出力信号...
-
アバゴ・テクノロジー、GSM/EDGE通信用ハンドセットの通話時間を延長するパワーアンプ・モジュールを発表
アバゴ・テクノロジー、 GSM/EDGEハンドセットの通話時間を延長する新しいリニア・パワーアンプ・モジュールを発表 ACPM−7868モジュールはQualcommチップセットに対応し、GSM/EDGE規格用のリニア変調への移行をサポート アバゴ・テクノロジー株式会社(本社:東京都目黒区、代表取締役社長:米山周)は、本日、GSM/EDGE通信用ハンドセットの通話時間を延長する新しいパワーアンプ・モジュール(PAM)を発表しました。この新しいACPM−7868 PAMは、リニア・クワッドバンドGSM/EDGE動作をサポートするQualcommの最新世代チップセットと完全互換で...
-
ルネサスエレクトロニクス、光半導体とマイクロ波半導体を扱う「化合物デバイス事業」を強化
化合物デバイス事業の強化について 〜製品ラインアップの強化により化合物デバイス製品でトップレベルのサプライヤを目指す〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、ガリウムヒ素(GaAs)などの化合物半導体を材料とする光半導体およびマイクロ波半導体を扱う「化合物デバイス事業」について、(1)フォトカプラ、高周波スイッチICをはじめとする注力製品で世界シェア第1位(注1)の獲得・維持(2)新素材「窒化ガリウム(GaN)」を導入した半導体製品を2010年度中に市場投入から成る強化策を策定いたしました。 ルネサスは、化合物半導体市場の...