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パワーデバイス
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日立ハイテク、ミラー電子式検査装置「Mirelis VM1000」を開発
ミラー電子式検査装置「Mirelis VM1000」を開発 ―SiCウェーハの結晶欠陥・加工ダメージの非破壊検査を実現― 株式会社日立ハイテクノロジーズ(執行役社長:宮崎 正啓(◇)/以下、日立ハイテク)は、このたび、SiC(*1)ウェーハの検査を行うミラー電子式検査装置「Mirelis VM1000」を開発しました。本製品は、SiCバルクウェーハ(*2)の加工ダメージ並びにエピタキシャルウェーハ(*3)の積層欠陥や基底面転位といった結晶欠陥の非破壊検査を実現することで、次世代パワーデバイス用SiCウェーハの開発、工程管理、品質管理を強力にサポートする日立ハイテクの新製品です。 ◇社長名の正式表記は添付の関連資...
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ローム、評価用リファレンスボード「BM620xFS−EVK−001シリーズ」を販売開始
世界の省エネ、インバータ化促進に貢献する高耐圧ファンモータドライバ 評価用リファレンスボード「BM620xFS−EVK−001シリーズ」を販売開始 <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)は、ルームエアコンやシーリングファンなど家電製品のインバータ化を極めて簡単に、かつ高効率で実現することが可能な高耐圧ファンモータドライバの評価用リファレンスボード「BM620xFS−EVK−001 シリーズ」を開発、インターネット販売を開始しました。 ロームは、これまで高効率モータコントローラで累積出荷実績5000万個以上を達成し、パワーデバイスも特長あるPrestoMOS(TM)(*1)(プレストモス)を開発するなど、モータア...
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ルネサスがインターシルを買収し、世界をリードする組み込みソリューションプロバイダーへ 〜マイコン、SoC、高精度アナログ&パワーでの優位性を組み合わせ、さらなる成長加速へ〜 <主な案件内容> ・本買収を通じて、シナジー効果が高く補完的な製品ポートフォリオが完成し、自動車、産業、IoT分野でのより大きな市場機会の獲得を目指したソリューションが提供可能 ・顧客面と地域面での両社の補完的な販売網の組み合わせにより、短期間での売上増を実現 ・インターシルの全株式に対し、1株当たり22.50米ドルを現金で支払う予定であり、インターシルの2016年8月19日の終値に対して約43.9%のプレミア...
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世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功 −省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ− 金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループ(薄膜電子工学研究室)は、国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイス研究チームの山崎聡招へい研究員、加藤宙光主任研究員、株式会社デンソーの小山和博担当課長らとの共同研究により、世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し、その動作実証に成功しました。 省エネルギー・低炭素社会の実現のためのキーテクノロジーとして次世代パワーデバイ...
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ディスコ、新たな加工手法によるレーザスライス技術・カブラプロセスを開発
SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現 新たな加工手法によるレーザスライス技術・KABRA(カブラ)(R)(※1)プロセスを開発 ※1:特許出願中(関連40件・8月8日時点)/商標登録済(登録第5850324号) 半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、従来にないレーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスを開発しました。本プロセス導入により、次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化、取り枚数増を実現し、生産性を劇的に向上させることが可能になります。なお、客先ワークによるテスト加工を既に開始...
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キヤノン、IoT時代のデバイス製造に向けた半導体露光装置「FPA−3030EX6」を発売
IoT時代のデバイス製造に向けたKrFエキシマレーザーステッパー(※1) “FPA−3030EX6”を発売 キヤノンは、アナログ/センサー/通信などのIoT関連デバイスやパワーデバイス向け半導体露光装置“FPA−3030EX6”を7月5日より発売します。 *製品画像は添付の関連資料を参照 IoT(Internet of Things、モノのインターネット)時代の到来により、PCやスマートフォンなどの情報端末のみならず、家電、自動車、産業機器をはじめとしたあらゆる「モノ」がセンサーや通信デバイスを搭載し、インターネットにつながって情報をやり取りするようになります。 キヤノンは、これらの機器に搭載され市場の拡大が見込まれるアナ...
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三菱電機、熊本地震の影響による半導体・デバイス関係工場の状況を発表
「熊本地震」における当社半導体・デバイス関係 工場の状況について(2016年4月27日) 熊本地震の影響による工場の状況について、4月27日時点の最新状況を以下の通りお知らせいたします。 液晶工場の生産再開見込み時期につきましては、4月末までにお知らせするとしておりましたが、今般、一部生産再開時期の見通しが立ちましたので、以下の通りお知らせいたします。 <パワーデバイス製作所[熊本]:ウエハ工程(合志地区)> 既にお知らせの通り、5月9日に一部生産再開を目指して活動を展開しております。 ・クリーンルーム:本日復旧完了の見込みです。 ・生産設備:立ち上げ調整作業を継続して...
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三菱電機、大型産業機器向け次世代大容量パワー半導体モジュールを開発
新しいパッケージを採用した次世代大容量パワー半導体モジュール 「HVIGBTモジュール Xシリーズ 新型デュアル」を開発 三菱電機株式会社は、電鉄・電力などの大型産業機器向けの次世代大容量パワー半導体モジュールとして、「HVIGBTモジュール Xシリーズ 新型デュアル」を開発しました。次世代品として求められるインバーターのさらなる高出力・高効率化や、他社品との外形パッケージの共通化によるインバーターシステムの設計効率化に貢献します。サンプル提供は、耐電圧3.3kV(パッケージタイプ LV100)を2017年3月に開始し、1.7kV品・3.3kV品(パッケージタイプ HV100)・4.5kV品・6.5kV品を20...
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キーサイト・テクノロジー、デバイス電流波形アナライザー「CX3300シリーズ」を発表
キーサイト・テクノロジー、最先端デバイスの特性評価、ローパワーデバイス評価用の新しいカテゴリの計測器 デバイス電流波形アナライザを発表 これまで検出できなかった広帯域、微小領域の電流波形が表示可能に ■ハイライト ●最大200MHzの電流波形を14ビットまたは16ビットのダイナミックレンジで表示 ●10Aから100pAレベルまでのダイナミック電流を測定 ●ローパワーデバイスの消費電力を定量的に評価 東京、2016年4月5日発−キーサイト・テクノロジー合同会社(職務執行者社長:チエ ジュン、本社:東京都八王子市高倉町9番1号)は、最小100pAレベルのダイナミック電流を最大200MHzの...
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三菱電機、「IGBTモジュールTシリーズ」の1.7kVクラス17品種のサンプル提供開始
1.7kVクラス17品種の追加で多様な産業用機器の低消費電力化や高信頼性に貢献 第7世代IGBT搭載「IGBTモジュールTシリーズ」ラインアップ拡大 三菱電機株式会社は、汎用インバーター・無停電電源装置(UPS)・風力/太陽光発電などの産業用機器の低消費電力化や高信頼性を実現するパワー半導体モジュールの新製品として、第7世代IGBTを搭載した「IGBTモジュールTシリーズ」の1.7kVクラス17品種のサンプル提供を9月30日から順次開始します。 なお、本製品は「TECHNO−FRONTIER2016 第34回モータ技術展」(4月20日〜22日、於:幕張メッセ)、「PCIM(※1)−Europe 2016」(5月10日〜12日、於:ドイツ...
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ルネサス、システムの電力効率向上に貢献する第8世代IGBT「G8Hシリーズ」を発売
業界最小レベルの超低損失特性を実現したことにより、システムの電力効率向上に貢献する第8世代IGBTを発売 〜太陽光発電パワーコンディショナやUPSなどの電力変換システム向けに、電力損失を極小化〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長兼 CEO:鶴丸 哲哉、以下ルネサス)は、太陽光発電のパワーコンディショナやUPS(無停電電源)システムのインバータ用途向けのパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の「G8Hシリーズ」を新たに製品展開いたします。 第8世代製品は特に、太陽光発...
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アドバンテスト、テスト・システムV93000のアナログ・モジュール「AVI64」を発表
テスト・システムV93000の新アナログ・モジュール「AVI64」を発表 V93000プラットフォームにモバイル、自動車向け アナログ/パワーデバイスのテスト機能を付加 株式会社アドバンテスト(本社:東京都千代田区 社長:黒江真一郎)は、成長著しいモバイル、自動車電子化を支えるアナログ/パワーデバイスを効率良く、低コストでテストできるテスト・システムV93000の新モジュール「AVI64」を発表しました。 これにより「V93000」プラットフォームは高性能SoCから少ピン・アナログICまで幅広いデバイスを単一プラットフォームでテストすることが可能になり、スマートハウスやスマートシティといった未...
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産業用、車載用パワーデバイスのさらなる高温での性能向上と信頼性向上に貢献 パワーデバイス向け 高耐熱半導体封止材を製品化 2015年10月からサンプル対応開始 *製品画像などは添付の関連資料を参照 パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、パワーデバイス[1]のさらなる高温動作に対応する業界最高(※1)の耐熱性能を実現した高耐熱半導体封止材を製品化、2015年10月よりサンプル対応を開始します。 製品名:高耐熱半導体封止材 品番:CV8540シリーズ サンプル対応開始:2015年10月 量産開始:2016年12月 炭化ケイ素(SiC)パワーデバイ...
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安川電機、フルSiC搭載の入出力電圧電流正弦波マトリクスコンバーターを開発
世界初! フルSiC搭載の入出力電圧電流正弦波マトリクスコンバータを開発 株式会社安川電機(代表取締役会長兼社長 津田 純嗣)は、フルSiC(*1)パワー半導体モジュールを搭載した次世代マトリクスコンバータを世界に先駆けて開発し、当社の従来製品であるU1000よりさらに高効率な入出力電圧電流正弦波ドライブを実現しました。 ・参考資料は添付の関連資料「参考資料1」を参照 1. 開発のねらい 産業界では、自動化、省力化、高速化、省エネルギーのニーズが高まっており、インバータドライブの用途が急速に拡大しています。 当社は、モータドライブにおける周辺環境との調和を目指し、2005年に世界...
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富士経済、製造・非製造業向けロボットの世界市場の調査結果を発表
製造・非製造業向けロボットの世界市場を調査 ―2020年予測(2014年比)― ■製造業向けロボット市場 7,508億円(56.2%増) 次世代・安全ロボットの急成長が期待される ●パワーアシスト・増強スーツ 70億円(5.8倍) 介護・医療から林業・農作業などでも導入が拡大 ●掃除ロボット 2,500億円(13.6%増) 数量ベースに比べて金額ベースの伸びは鈍化 総合マーケティングビジネスの株式会社富士経済(東京都中央区日本橋小伝馬町 社長 清口 正夫 03−3664−5811)は、新たな生産システムの構築に向けて転換期を迎えている製造業向けロボットや半導体・電子部品実...
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ローム、家電製品のインバーター化を実現する高耐圧ファンモータードライバーを開発
業界初(※)、600V耐圧の高効率ファンモータドライバをフルラインアップ 業界最小クラスの1パッケージで簡単にインバータ化を実現し、世界の省エネに大きく貢献 ※2015年5月20日現在ローム調べ ◇製品画像は添付の関連資料を参照 <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)は、新興国を始めとする海外で、今後大きな需要が見込まれるルームエアコンなど家電製品のインバータ化を実現する、高耐圧ファンモータドライバ「BM620xFS シリーズ」を開発しました。 本製品は累積出荷実績5000万個以上を達成し、技術力に高い評価をいただいているロームのモータコントローラを、ロームオリジナルの600V耐...
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三菱電機、第7世代IGBT搭載「IGBTモジュールTシリーズ」のサンプル提供を開始
幅広い製品ラインアップで多様な産業用機器の低消費電力化や高信頼性に貢献 第7世代IGBT搭載「IGBTモジュールTシリーズ」サンプル提供開始 三菱電機株式会社は、汎用インバーター・エレベーター・無停電電源装置(UPS)などの産業用機器の低消費電力化や高信頼性を実現するパワー半導体モジュールの新製品として、第7世代IGBTを搭載した「IGBTモジュールTシリーズ」のサンプル提供を6月30日から順次開始します。3種類48品種をラインアップすることで、幅広い用途の産業用機器に対応します。 なお、本製品は「PCIM(※1)−Europe 2015」(5月19日〜21日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク)、「TECHNO−FRONTIER...
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ローム、省エネ家電などの低消費電力化に貢献する高効率MOS−IPMをラインアップ
高効率のMOSインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ 省エネ家電や産業機器の低消費電力化に貢献 <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)は、低消費電力化が求められる家電製品や産業機器などの小容量モータをインバータ駆動させる高効率MOS−IPM(Intelligent Power Module)「BM65364S−VA/−VC(定格電流15A、耐圧600V)」を新たにラインアップしました。 今回開発した製品は、自社製の低オン抵抗MOSFET「PrestoMOS(TM)(※)」を搭載し、さらに独自のLSI制御技術により、従来のIGBT−IPMに比べて低電流域での損失を約43%低減。業界トップクラスの低消費電力化を実現することでアプリケーションの省エネ化に...
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三菱電機、システムの小型化に貢献する「600V耐圧 3相ブリッジドライバーIC」を発売
業界最小クラスのパッケージサイズによりインバーターシステムのさらなる小型化に貢献 三菱電機「600V耐圧 3相ブリッジドライバーIC」発売 三菱電機株式会社は、エアコンなどのインバーターシステムで使用されるパワー半導体を駆動するドライバーICの新製品として、3相ブリッジ駆動回路と短絡保護回路を業界最小クラス(※1)のパッケージサイズに内蔵した「600V耐圧 3相ブリッジドライバーIC」を4月1日に発売します。 ※1 2015年3月9日時点、当社調べ *製品画像は添付の関連資料を参照 ■新製品の特長 1.業界最小クラスのパッケージサイズにより、システムの小型化に貢献 ・当社独自の分割RE...
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東芝ライテック、コンパクトなLED電球ハロゲン電球形「調光器対応モデル」を発売
LED電球ハロゲン電球形「調光器対応モデル」の発売について 新設計電源回路搭載により白熱電球用調光器(二線式位相制御調光器)に対応 東芝ライテック株式会社は、世界で初めて(注1)GaN(注2)パワーデバイスを搭載したLED電球ハロゲン電球形を製品化。電源回路の小形化を実現することにより、コンパクトサイズと優れた調光性能(注3)を両立した「調光器対応モデル」(2機種)として、3月6日から発売します。 なお、本製品は、3月3日から6日まで東京国際展示場(東京ビッグサイト)で開催される「ライティング・フェア2015(第12回国際照明総合展)」に出展します。 注1 照明製品において、当社調べ...
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三菱電機、小型・軽量の自動車用パワー半導体モジュールのサンプル提供開始
EV・HEV用インバーターの小型・軽量・低消費電力化に貢献 自動車用パワー半導体モジュール「J シリーズ T−PM」小型パッケージ仕様 サンプル提供開始 三菱電機株式会社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュール「J シリーズ T−PM(※1)」の新製品として、小型パッケージ仕様の1品種のサンプル提供を2月19日に開始します。 ※1 Transfer molded −Power Module:トランスファーモールド型パワー半導体モジュール *製品画像は添付の関連資料を参照 ■新製品の特長 1.構成部品の高集積化で小型パッケージを実現し、インバーターの小型・軽量...
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三菱電機、AC400V系電源のインバーターシステムに最適な高耐圧ICを発売
AC400V系電源のインバーターシステムに最適な高耐圧IC デサット検出機能付1200V HVIC 発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、欧州などのAC400V系電源のインバーターシステムでIGBTなどのパワー半導体を駆動するHVIC(※1)の新製品として、業界最高水準の1200Vの高耐圧を実現し、不飽和電圧(デサット)検出機能を搭載した「M81748FP」を3月31日に発売します。 ※1High Voltage Integrated Circuit:パワー半導体素子の駆動機能と保護機能を内蔵した高耐圧集積回路 *製品画像は添付の関連資料を参照 [新製品の特長] 1.デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献 ・1200...
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三菱電機、「3レベルインバーター対応パワー半導体モジュール」5機種を発売
大容量の産業用機器の低消費電力化・小型化に貢献 三菱電機「3レベルインバーター対応パワー半導体モジュール」発売 三菱電機株式会社は、パワー半導体モジュールの新製品として、太陽光発電用パワーコンディショナーや無停電電源装置(UPS)など125kW・500kW超クラスの大容量の産業用機器の低消費電力化・小型化を実現する「3レベルインバーター対応パワー半導体モジュール」5機種を2015年6月から順次発売します。 *製品画像は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1.3レベルインバーターに対応し、消費電力を約30%低減 ・大容量の産業用機器の低消費電力化に有効な3レベルインバーターに対応 ...
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ウシオ電機、MEMS向け一括投影露光装置「UX4」を欧州の研究開発機関CiSから受注
MEMS向け一括投影露光装置「UX4」を 欧州の研究開発機関CiSから受注 ―11月に納入予定、欧州でのMEMS研究開発を加速― ウシオ電機株式会社(本社:東京都、代表取締役社長 菅田 史朗、以下ウシオ)は、MEMSの研究開発・製造向けに最適化した一括投影露光装置「UX4(ユーエックス・フォー)」を、ドイツの研究開発機関であるCiS Forschungsinstitut fur Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH(以下CiS)から受注し、欧州の100%子会社USHIO EUROPE B.V.を通じ、11月に納入する予定となりましたのでお知らせします。 UX4は、マスクやワークにダメージを与えない完全非接触の一括投影露光方式を採用しており、段差のある基板や厚膜レ...
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三菱電機、東西線妙典駅に納入の「駅舎補助電源装置」が省エネ効果を実現
鉄道車両の回生電力を活用し、駅の照明や空調・エレベーター等の省エネ化を推進 初の実運用で三菱電機「駅舎補助電源装置(S−EIV(R))」が省エネ効果を実現 三菱電機株式会社は、東京地下鉄株式会社(以下、東京メトロ)東西線妙典駅に駅舎補助電源装置(S−EIV(R))(※1)を今年6月に納入し、実運用試験をこれまで実施してきました。その結果、実運用として初めて、駅で消費される電力一日当たり約600kWhの省エネ効果(一般家庭約60世帯の消費電力に相当)を実現しましたのでお知らせします。 本件は、2013年1月に東京メトロ東西線 西船橋変電所で行った実証実験の成果を踏まえ、製品を納入したものです。 ※...
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常温ウェーハ接合装置による接合サービス事業を開始 技術の認知向上と新事業育成へ 三菱重工業は、自社開発の常温ウェーハ接合装置を使って、社外からの依頼に応じて多様な素材同士を接合する、ウェーハ接合サービス事業を開始しました。これまで同装置の導入を検討する企業などに対する接合テストサービスを基本にしていたものを、導入計画を当面は持たない企業や研究機関まで対象を広げました。日本起源の技術である常温接合プロセスの有効性について認知を一層向上させて装置の拡販につなげるとともに、接合サービスを新事業として育成していきます。 常温接合は、イオンビームや原子ビームを真空中で照射することに...
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東北大など、GaN LEDとLD用新結晶ScAlMgO4を開発
GaN LEDおよびLD用新結晶ScAlMgO4開発 直径2インチ結晶引上げと画期的な劈開加工基板で実証 <リリースの要旨> GaNを主材料とする窒化物半導体からなる青色発光ダイオード(LED)及びブルーレイ用レーザの高性能化に向けた格子不整の小さい新しい基板ScAlMgO4(以降、SCAMと呼ぶ)とその適用性を確認しました。 (1)GaNとの間の格子不整が従来のサファイア基板に較べて1/10となる新しい単結晶SCAMの成長技術開発 (2)従来の単結晶基板の作製時に必要であった切断と研磨を用いることなく、劈開によって基板を作成 (3)LED構造の作製に用いられている有機金属気相成長装置(MOVPE)を用いてSCAM基板上にGaNを成長し、SCAM基板...
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三菱電機、EV・HEV対応などパワー半導体モジュール「J1シリーズ」のラインアップ拡大
小型車から大型車まで、多様化するEV・HEVに対応 自動車用パワー半導体モジュール「J1シリーズ」ラインアップ拡大のお知らせ 三菱電機株式会社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いるパワー半導体モジュール「J1シリーズ」の新製品として、高電圧バッテリー対応品(300A/1200V)と小容量インバーター対応品(300A/650V)のサンプル提供を10月31日に開始します。 なお、本製品は「TECHNO−FRONTIER 2014第32回モータ技術展」(7月23〜25日、於:東京ビッグサイト)に出展します。 *製品画像は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1.製品ライン...
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三菱電機、エアコンや産業用モーターのインバーター駆動用パワー半導体モジュールを発売
エアコンや産業用モーターのインバーター駆動用パワー半導体モジュール 三菱電機「1200V大型DIPIPM Ver.6」・「1200V小型DIPIPM」発売 三菱電機株式会社は、パッケージエアコンや産業用モーターのインバーターを駆動するパワー半導体モジュールの新製品として、「1200V大型DIPIPMTM(※1)Ver.6」シリーズ(定格電流5A〜50A、耐圧1200V)、および「1200V小型DIPIPMTM(※1)」シリーズ(定格電流5A,10A、耐圧1200V)を9月30日に発売します。 本製品は「TECHNO−FRONTIER 2014第32回モータ技術展」(7月23〜25日、於:東京ビッグサイト)に出展します。 ※1 Dual−In−Line Package Inte...
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東大、ガラス基板上に低コストでLEDディスプレーを作製する技術を開発
「ガラス基板上に低コストでLEDディスプレーを作製する技術を開発」 ●発表のポイント: ◆安価なガラス基板上に低コストでLED(*1)ディスプレーの作製を可能とする技術を開発した。 ◆原子が不規則に並んだ(非晶質)ガラス基板上にRGBのフルカラーのLEDを実現した。 ◆LEDの製造コストが劇的に安くなり、液晶ディスプレーや有機EL(*2)にとって代わる、高性能・高信頼性のディスプレーや通信機能を備えた面発光照明などに応用されることが期待される。 ●発表概要: これまで無機半導体を用いた発光ダイオード(LED)は高価なサファイア等の単結晶基板(*3)の上に、MOCVD法(*4)とよばれる生産性の低い手法で形...
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イノテック、台湾STAr社と株式の取得(子会社化)に関する基本合意書を締結
株式の取得(子会社化)に関する基本合意書締結に関するお知らせ 本日、イノテック株式会社(本社:横浜市港北区 代表者:小野 敏彦 以下当社)とSTAr Technologies Inc.(本社:台湾新竹市、以下STAr社)は、当社がSTAr社の株式を既存株主から追加取得することにより過半数以上の株式を所有し、子会社化することで基本合意いたしましたので、お知らせいたします。 1.株式の取得の目的 当社は、現在STAr社に対して14.99%出資しており、テスタービジネスにおいて協力関係を築いてまいりました。STAr社を子会社化することで、より強力なパートナーシップの下、より戦略的にビジネスを展開することが可能となります。当社...
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パナソニック、デジタル電源・モーター制御に最適なインバーターマイコンを開発
インバータ/コンバータ制御を1つのマイコンで実現 デジタル電源・モータ制御に最適な高性能インバータマイコンを開発 家電/産業/車載機器向けに2013年12月から順次量産 *製品画像は添付の関連資料を参照 パナソニック株式会社オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、家電/産業/車載機器のデジタル電源[1]制御やモータ制御に最適なシステムコントローラとして高性能インバータマイコンMN103HFシリーズを開発し、2013年12月より順次量産出荷を開始します。本インバータマイコンシリーズはシステムの合理化と機器の小型化、開発効率の向上に貢献します。 製品名 :32ビットイ...
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UKCホールディングス、米社とGaNパワー半導体の販売などで資本・業務提携
米国Transphorm社との資本提携、業務提携に関するお知らせ 当社は、下記の通り、米国カリフォルニア州のTransphorm,Inc.(以下、トランスフォーム社という)と資本提携を行いましたので、お知らせいたします。また、同社と仕入・販売に関する業務提携も開始しましたので、併せてお知らせいたします。 記 1.資本提携、業務提携の理由 トランスフォーム社は、次世代パワーデバイスと呼ばれる窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の開発、製造、販売を行っております。GaN製のパワー半導体は、SiC(炭化ケイ素)製とともに、現行のSi製と比較して、電力損失を大幅に低減するとともに、コストの削減にもつながる機器の小型化にも貢献...
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パナソニック、シンガポールに「電子材料・南アジアR&Dセンター」を設置
シンガポールに「電子材料・南アジアR&Dセンター」を設置 現地密着型でのパワーデバイス用封止材の開発により顧客サポート力を強化 パナソニック株式会社オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、パワーデバイス用封止材事業における海外での開発活動強化を目的に、パナソニック デバイスマテリアル シンガポール株式会社(以下PIDMSG)傘下に2013年10月1日付けで「電子材料・南アジアR&Dセンター(英文名称:Electronic Materials South Asia R&D Center)」を新たに設置します。 当社は材料からデバイス、システムに至る「コア技術」を保有し、幅広い事業領域を活かしたB2Bソリューション提案ができる強...
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NEC、最高レベルの送信出力を実現したiPASOLINK向け屋外無線装置を発売
NEC、世界最高レベルの送信出力を実現したiPASOLINK向け屋外無線装置を発売 ※製品画像は添付の関連資料を参照 NECは、海外向け超小型マイクロ波通信システム「iPASOLINK(アイパソリンク)」の屋外無線装置(ODU:Out Door Unit)のラインナップを強化し、世界最高レベルの送信出力を実現する新製品を発売します。出荷時期は本年10月末を予定しています。 新製品は、NECが開発した窒化ガリウム(GaN)(注1)素材のICをパワーアンプに採用することで、従来製品と比較して約3倍(注2)の送信出力を実現しています。更に、送信出力や送信距離に応じて消費電力をコントロールする機能を搭載することで、既存製品と比較して最大5...
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創出、貯蔵、変換、利用・・・新エネルギーシステム市場を調査 ―2020年 国内市場― 洋上風力発電システムは767億円、海洋温度差発電システムは1,800億円、自動車向けワイヤレス給電システムは500億円・・・ 総合マーケティングビジネスの株式会社富士経済(東京都中央区日本橋小伝馬町 社長 阿部 界 03−3664−5811)は、太陽エネルギー/風力/バイオマスや燃料電池/エネルギーハーベスティングなど、再生可能資源や新技術を用いた創エネ関連システムと、エネルギーの計測・制御や貯蔵、変換、利用するシステムの国内・海外市場を調査した。その結果を報告書「2013 電力・エネルギー...
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NICTなど、酸化ガリウムを用いた実用性に優れたMOSトランジスタを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)MOSトランジスタ”を世界で初めて実現! 〜日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:坂内正夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)を用いた実用性に優れたMOSトランジスタ(*3)の開発に世界に先駆けて成功しました。 Ga2O3は、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途の新しい半導体材料として非常に有望です。また、酸化ガ...
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会社分割によるパワー半導体事業の再編について 事業強化を目的に設計、製造および販売を一体化し、多様化するニーズへ迅速に対応 株式会社日立製作所(執行役社長:中西 宏明/以下、日立)は、パワー半導体事業の多様化するニーズへ迅速に対応することを目的として、2013年10月1日付で、日立のパワー半導体事業を子会社である日立原町電子工業株式会社(取締役社長:小田井 恒吾/以下、日立原町電子)に移管し、設計、製造から販売までの一貫体制を構築することを決定しました。具体的には、会社分割(以下、本会社分割)により、日立のパワー半導体事業の設計、製造、品質保証、営業部門等を日立原町電子に承...
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三菱電機、IGBTを6素子搭載したEV・HEV向け小型パワー半導体モジュール2品種をサンプル提供
EV・HEV向け新小型パッケージパワーモジュール 自動車用パワー半導体モジュール「J1シリーズ」サンプル提供開始 三菱電機株式会社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとしてIGBTを6素子搭載した「J1シリーズ」2品種のサンプル提供を9月30日に開始します。 なお、本製品は「PCIM(※1)Europe 2013」(5月14〜16日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ)に出展します。 ※1:PCIM:Power Conversion Intelligent Motion *製品画像1、2は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1.6in1化により、自動車用インバー...
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NIMSとJST、原料ガスを高効率でダイヤモンドに変換する新合成技術を開発
原料ガスを高効率でダイヤモンドに変換する新合成技術 −ダイヤモンドバルク結晶の炭素同位体比で世界最高− 1.独立行政法人 物質・材料研究機構(理事長:潮田 資勝)光・電子材料ユニット(ユニット長:大橋 直樹)の寺地 徳之 主任研究員らの研究グループは、化学気相合成法(CVD)(注1)でダイヤモンドを生成する際の原料利用率を大幅に向上する新合成技術を開発しました。また、この新技術を、質量数12の炭素(12C)(※1)で同位体濃縮(注2)したダイヤモンド結晶の合成に適用し、世界最高の12C同位体比を持つダイヤモンドバルク単結晶の合成に成功しました。 2.高純度ダイヤモンドをCVD法で合成する場合...
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半導体材料の世界市場を調査 ―2017年予測 世界の半導体材料市場― 前工程材料 50品目 2兆5,187億円(12年比 19.8%増) 後工程材料 8品目 1兆1,826億円( 同 22.0%増) 総合マーケティングビジネスの株式会社富士経済(東京都中央区日本橋小伝馬町 社長 阿部 界 03−3664−5811)は、2012年11月から2013年1月にかけ、半導体デバイスの高性能・高集積化を目的とした微細化、多層化を背景に、アルミ配線から銅配線への変更、層間絶縁膜の低誘電率化、平坦化工程の導入などにより、絶え間なく変化している半導体材料の市場を調査した。 その結果を報...
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シャープ、電気製品の省エネ化に貢献する窒化ガリウムパワートランジスタを開発
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス(※1)市場に参入、電気製品の省エネ化に貢献 定格電圧600V パワートランジスタ(※2)を開発 シャープは、電気製品の省エネ化に貢献する定格電圧600Vの窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを開発し、4月15日よりサンプル出荷を開始します。本年中に福山工場の6インチラインで生産開始を目指します。 パワートランジスタは、電力を変換する電源回路(※3)やインバータ回路(※4)に組み込まれるキーデバイスです。電気製品の更なる省エネ化に向け、通電時の抵抗など物性の理論限界値に到達しつつあるシリコン(Si)に代わって、新材料を採用したパワートランジスタの...
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東芝、高速スイッチング用途に適した車載用低オン抵抗パワーMOSFETを発売
車載用低オン抵抗パワーMOSFETの新製品発売について 「高速スイッチング用途に適した、「DPAK+」パッケージの製品を新たにラインアップ」 当社は、車載用パワーMOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した「TK100S04N1L」を製品化し、ラインアップに追加しました。 新製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U−MOS VIII−H(ユーモス・エイト・エイチ)シリーズ」のチップと、Cu(銅)コネクタ接続構造の「DPAK+」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるモータドライブやスイッチングレギュレータなどの...
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京大など、電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発
電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発 −リーク電流90%減・絶縁耐圧1.5倍で低炭素社会に貢献 木本恒暢 工学研究科教授、細井卓治 大阪大学大学院工学研究科助教、渡部平司 同教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社は共同で、高誘電率ゲート絶縁膜(アルミニウム酸窒化物:AlON)を採用したシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成しました。本成果は省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、低炭素社会実現に大きく貢献することが期待されます。 本成果は、2012年12月10日(米国太平洋時間)に電子...
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JSTなど4団体、ダイヤモンド半導体を利用した高耐圧の真空パワースイッチを開発
真空を利用したパワースイッチを開発 ― ダイヤモンド半導体を使うことにより世界で初めて成功 ― <ポイント> ・優れた絶縁性と高効率な電流制御が可能な真空を絶縁体に利用 ・ダイヤモンド固有の原理を電子放出源として応用 ・スマートグリッドなどに大きく貢献する超高耐圧小型電力変換装置の開発に期待 JST課題達成型基礎研究の一環として、産業技術総合研究所の竹内 大輔 主任研究員と物質・材料研究機構の小泉 聡 主幹研究員らのグループは、ダイヤモンド半導体(注1)の特長を利用することにより、真空を用いた高耐圧パワースイッチ(注2)を作製し、動作実証に世界で初めて成功しました。 電力系...
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産総研、半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定
半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定 −超伝導体で明らかにする半導体SiCのナノ微細構造− 【ポイント】 ・超伝導X線検出器を搭載したX線吸収微細構造分光装置(SC−XAFS)の公開を開始 ・炭化ケイ素中の微量窒素ドーパントの格子置換位置を実験と第一原理計算から決定 ・低電力損失のパワーデバイスの実現などを通じて省エネルギー社会実現に貢献 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)計測フロンティア研究部門 大久保 雅隆 研究部門長らは、大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構【機構長...
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安川電機、GaNパワー半導体モジュール搭載の次世代パワーコンディショナを開発
世界初のGaN搭載パワーコンディショナを開発 −設置面積2分の1で、効率98%以上を達成− 株式会社安川電機(代表取締役社長 津田 純嗣)は、世界で初めてGaN(窒化ガリウム)パワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナを開発し、当社現製品との設置面積比2分の1の小形化と、業界最高レベルの変換効率98%以上を達成しました。 ※製品画像は添付の関連資料を参照 1.開発のねらい 国内外における自然エネルギー利用やスマートグリッド構築のニーズの高まりから、パワーコンディショナの需要は、今後ますます拡大していくと予測されています。当社は、2010年の太陽光発電用...
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横河電機グループ、高速・長時間測定を実現した薄型・大画面のオシロスコープを発売
アナログ8チャネルと高速・長時間測定を実現した薄型・大画面のデジタルオシロスコープ「ミックスドシグナルオシロスコープ DLM4000シリーズ」発売のお知らせ *製品画像は添付の関連資料を参照 横河メータ&インスツルメンツ株式会社(本社:東京都立川市 社長:金子 洋)は、デジタルオシロスコープ市場で唯一アナログ入力を8チャネル持つ500MHz帯域のミックスドシグナルオシロスコープの最新機種「DLM4000シリーズ」を10月17日に発売します。 「DLM4000シリーズ」は前モデル(DL7480)に比べ、大幅な小型軽量化を実現するとともに表示画面を大型化したことで波形がさら...
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安川電機、メカトロパラダイムシフトに向けた次世代ドライブシステムを開発
メカトロパラダイムシフトに向けた次世代ドライブシステムの開発 −高パワー密度(当社従来比25倍)の次世代ドライブシステム− 株式会社安川電機(代表取締役社長 津田 純嗣)は、新パワーデバイスとその活用技術によるメカトロパラダイムを提唱いたします。今回はその一環として、新パワーデバイスで注目しているSiC(Silicon Carbide)を適用した高パワー密度(当社従来比25倍)の次世代ドライブシステムを開発しました。 1.開発のねらい 当社は、新パワーデバイスとその活用技術によるメカトロパラダイムシフトを提唱いたします。このパラダイムシフトでは、インバータ、サーボドライブ...
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ルネサスエレクトロニクス、低損失実現のインバータ制御機器向けパワー半導体を製品化
高速モータ、インバータ制御機器向けパワー半導体として、 業界最小レベルの低損失を実現した「高速FRD内蔵 SJ−MOSFET」を発売 〜エアコンなど家電機器等の高速モータの省電力化、安定動作に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、エアコンなど家電機器等の高速モータやインバータ制御機器向けに、省電力化に貢献する低損失のパワー半導体「高速リカバリーダイオード(以下FRD(注1)内蔵スーパージャンクション構造パワーMOSFET(SJ−MOSFET[注2])」「RJL60S5シリーズ」を製品化しました。パッケージ展開による...
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世界初、パワー半導体向け結線を銅で代替、量産確立 田中電子工業が、新日本無線に太線銅製ワイヤを導入 〜 電気自動車やハイブリッド自動車、スマートグリッドなどで更なる大電流化・高信頼化を実現 〜 ボンディングワイヤ(配線材)製造で世界トップシェアを誇る田中電子工業株式会社(※1)(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:笠原康志)は、新日本無線株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長:小倉良)が製造する半導体チップのアルミニウム電極上への配線について、田中電子工業の太線銅製ワイヤ「CHA」が採用されたことを発表します。これにより、世界で初めて(※2)、銅製ワイヤの配線による...
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ルネサスエレクトロニクス、外形14.5mmの長沿面距離を実現したフォトカプラを発売
690V等の高電圧用安全規格に対応する、外形14.5mmの長沿面距離を実現したフォトカプラを発売 〜高電圧の産業機器や太陽光発電システム用インバータの高電圧化・小型化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)はこのたび、産業機器向け商用最大電圧である690V電源のインバータや高電圧1000Vの太陽光発電システムのインバータ用フォトカプラ(注1)として、感電等を防止する絶縁のため、安全規格(IEC61800規格)に準拠する外形14.5mmの長沿面距離(注2)を実現したフォトカプラ「PS9905」を製品化しました。 新製品は、(1)...
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超高輝度LED光源用窒化ガリウムウエハーを開発 日本ガイシ株式会社(社長:加藤太郎、本社:名古屋市)はこのほど、LED(発光ダイオード)光源の発光効率をこれまでの2倍に高める高品質な窒化ガリウム(GaN)ウエハーの開発に成功しました。 今回開発したGaNウエハーは、当社独自の単結晶育成技術である液相成長法を用いることで、ウエハー全面にわたる低欠陥密度と無色透明の両立を実現しています。 社外の研究機関の協力を得て、当社GaNウエハー上にLED素子を作製し、発光性能試験を実施した結果、世界トップレベルの約90%の内部量子効率(※)(注入電流200mA時)を達成しました。市...
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アジレント、パワーデバイス測定に対応した半導体パラメータ自動測定ソフトウェア「SPARK」を発表
アジレント・テクノロジーが、パワーデバイスに対応した 半導体パラメータ自動測定ソフトウェアを発表 アジレント・テクノロジー株式会社(社長:梅島 正明、本社:東京都八王子市高倉町9番1号)は、自社の半導体パラメータ自動測定ソフトウェア「SPARK」の機能を拡張し、パワーデバイス測定に対応させたことを発表します。 「SPARK」は、当社の半導体パラメータ・アナライザ、LCRメータ、スイッチング・マトリクス、および各社のオートプローバやセミプローバ用のドライバを標準装備し、プログラムを作成することなく半導体パラメータの自動測定を容易に実現できるソフトウェアです。測定条件、ウェー...
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ローム、内蔵するパワー半導体素子を全てSiCで構成したパワーモジュールの量産を開始
世界初!“フルSiC”パワーモジュールを量産開始(※1) スイッチング損失を85%低減し、産業機器等の電力損失を大幅に削減 <要旨> 半導体メーカーのローム株式会社(本社:京都市)は、内蔵するパワー半導体素子を全てSiC(シリコンカーバイド:炭化ケイ素)で構成した“フルSiC”パワーモジュール(定格1200V/100A)の量産を開始します。 産業機器や太陽電池などで電力変換を担うインバータ、コンバータに組み込むことで、一般的なSi(シリコン)製のIGBTモジュールに比べて、下記のような優位点があり、世界のエネルギーや資源など地球環境問題にも大きく貢献します。 ●スイッチン...
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独インフィニオン、自動車用パワーエレクトロニクスの新しいH−PSOFパッケージング技術を発表
このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が1月26日付けで発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載されています。 インフィニオン、自動車用パワーエレクトロニクスの革新的なH−PSOFパッケージングを発表、 高電流容量および高効率性の新しいスタンダードを確立 2012年1月26日、ノイビーベルク(ドイツ) 独インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は1月26日、電気・ハイブリッド車など、条件の厳しい自動車用エレクトロニクスの応用に高電流容量と高効率性でお応えする革新的...
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住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径GaN基板の製造に成功
住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径GaN基板の製造に成功 4インチ径及び6インチ径量産ラインの整備を開始 住友電気工業株式会社(本社:大阪市、社長:松本正義 以下、住友電工)とS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.(本社:フランス パリ市、CEO:Andre − Jacques Auberton−Herve (アンドレ・ジャック・ オベルトン・アルベ)、以下、Soitec )は、4インチ径及び6インチ径の薄膜GaN(窒化ガリウム)基板の製造に成功し、このたび量産に向けたパイロット製造ラインの整備を開始しました...
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ルネサスエレクトロニクス、電源変換回路を1パッケージ化した「SiC複合パワーデバイス」を発売
SiCパワー半導体第2弾、電源変換回路を1パッケージ化した 「SiC複合パワーデバイス」シリーズを発売 〜家電機器、パワーエレクトロニクス機器の省電力化、省スペース化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、エアコン等の家電機器やPCサーバ、太陽光発電等のパワーエレクトロニクス機器向けに、低損失化に有効な新材料の炭化ケイ素(Silicon Carbide 以下SiC[注1])を採用したパワー半導体の第2弾として、電源変換回路やスイッチング回路を構成するSiCダイオードと複数の高耐圧トランジスタとを業界で初めて1パッケ...
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ルネサスエレクトロニクス、HEV/EV用モーター制御など向け車載用マイコンを発売
HEV/EV用モータ制御を効率化する角度センサ(レゾルバセンサ)の特性をプログラマブルに補正できる 高性能マイコン「V850E2/PJ4−E」を発売 〜機能安全規格ISO26262にも対応し、HEV/EV用モータシステムの高い安全性かつ低コスト化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、ハイブリッド電気自動車や電気自動車(HEV/EV)用モータ制御など向けの車載用マイコンとして、高度な機能安全に対応したシステムの高機能化と低コスト化の同時実現に貢献する「V850E2/PJ4−E」を製品化し、2012年3月よりサンプル出...
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NICTなど、酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスターを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ”を世界で初めて実現! 〜省エネルギー問題の解決に向けた“次世代パワーデバイス”候補に名乗り〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:宮原 秀夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村 直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島 康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスタ(FET)(*3)を開発し、その世界初の動作実証に成功しました。 酸化ガリウムは、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途...
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パナソニック、GaNパワーデバイスに対応した統合設計プラットフォームを開発
世界初*) GaNデバイスモデルを搭載 GaNパワーデバイスに対応した統合設計プラットフォームを開発 *)2011年12月27日、当社調べ。 【要旨】 パナソニック株式会社は、回路設計ツール/熱解析ツール/電磁界解析ツールを複数連携させることで統合的な設計を可能とするプラットフォームを開発しました。本プラットフォーム上に、独自のGaNデバイスモデルと基板の寄生成分モデルとモータモデルを搭載しました。さらに、知識処理を用いて複数のツールを自動的に結合することで、設計に熟練していない技術者でも容易に省エネ性能を向上できます。 【効果】 従来は独立した解析ツールを個別に使用してパワ...
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パナソニック、還流ダイオードを一体化したSiCパワートランジスタを開発
インバータの小型化・省電力化に貢献 世界初※)還流ダイオードを一体化したSiCパワートランジスタを開発 ※2011年12月19日現在、当社調べ。 【要旨】 パナソニック株式会社は、高耐圧の次世代パワーデバイスとして期待されているSiC(炭化ケイ素)パワーデバイス[1]において、モータなどをインバータ[2]で駆動する場合、エネルギ放出のために必須であった外付けダイオード(還流ダイオード[3])を一体化したSiCパワートランジスタを開発しました。本開発により、SiCパワーデバイスでインバータを構成するとき、部品点数を半減することができ、小型化、低コスト化が可能となります。 【効...
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ウシオ電機、「パワーデバイス」「MEMS」「3次元実装」向けリソグラフィ装置3機種を発表
「パワーデバイス」「MEMS」「3次元実装」向け、リソグラフィ装置3機種を発表 −ウェハ一括プロジェクション方式により、CoOを削減− ウシオ電機株式会社(本社:東京都、代表取締役社長 菅田 史朗、以下 ウシオ)は、自社のモジュラー型一括プロジェクション装置「UX4シリーズ(※1)」の最新機種として、MPAマスク(※2)がそのまま使用できるパワーデバイス製造用「UX4−ECO FFPL150」、重ね合わせ精度0.5μmの性能を持ち、新開発の焦点深度最大500μmのレンズ・モジュールや、多品種生産対応のオート・マスクチェンジャー・モジュールを搭載したMEMS製造用「UX4−M...
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レーザーテック、Viaの底面形状や開口径を正確・迅速に測定する貫通電極検査装置を発表
新製品:貫通電極検査装置 (英文名:TSV Etching Depth and Profile Measurment System) 「WASAVI シリーズ TSV300S」を発表 【概要】 この度レーザーテック株式会社は、貫通電極形成プロセスのエッチング深さ、及びViaの底面形状を測定する「WASAVI シリーズ TSV300S」を発表致します。 ※WASAVI:WAfer Surface Analyzing and VIsualizing System 【説明】 現在、半導体デバイスのさらなる高密度、高速動作、低消費電力化を目指し、縦方向に回路を構築する3次元積層デバ...
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産総研と電気化学など、高い熱伝導率を持つ窒化ケイ素セラミックスを開発
極めて高い熱伝導率を持つ窒化ケイ素セラミックス −パワーデバイス用回路基板への展開に期待− <ポイント> ・177 W/(m・K)の高い熱伝導率を、機械特性に優れる窒化ケイ素セラミックスで達成 ・粘り強さをあらわす破壊靱性は窒化アルミニウムセラミックスの3倍以上 ・柱状粒子が絡み合った構造を持ち、窒化アルミニウムよりも強度が高い 【概 要】 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下、「産総研」という)先進製造プロセス研究部門【研究部門長 村山 宣光】エンジニアリングセラミックス研究班 平尾 喜代司 研究班長、周 游 主任研究員らは、電気化学工業株式会社【...
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三菱電機、自動車用パワー半導体モジュール「Jシリーズ」のテストサンプルの出荷を開始
電気自動車・ハイブリッド車用の高機能・安全設計 自動車用パワー半導体モジュール「Jシリーズ」テストサンプル出荷開始 三菱電機株式会社は、電気自動車やハイブリッド車用モーターの駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュール「Jシリーズ IPM(※1)」4種と、発売中の「Jシリーズ T−PM(※2)」(CT300DJH060)を大容量化した2種のテストサンプル出荷を6月21日に開始します。 ※1 Intelligent Power Module:パワーチップと駆動・保護回路を1つのパッケージに収めたモジュール ※2 Transfer molded−Power Module:トランスフ...
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東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功
東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功 (超臨界アンモニアを用いた結晶成長法により、パワーデバイス用窒化ガリウム基板の育成に道) <概要> 東北大学 多元物質科学研究所(所長:河村純一、以下「多元研」という)および原子分子材料科学高等研究機構(機構長:山本嘉則、以下「WPI」という)は、超臨界アンモニアを用いる「アモノサーマル法」による窒化ガリウム(GaN)【注1】結晶成長において、酸性鉱化剤の気相合成法を開発し、育成結晶中の残留酸素濃度が従来の100分の一以上低い窒化ガリウムバルク単結晶の高速育成に成功しました。更に、これを基板結晶として...
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パナソニック、Si基板に耐圧ブースト構造を有するGaNパワートランジスタを開発
GaNパワートランジスタの応用分野をさらに拡大 Si基板に耐圧ブースト構造を有するGaNパワートランジスタを開発 耐圧3,000V以上の実現に目処 ※参考画像は、添付の関連資料を参照 【要旨】 パナソニック株式会社 セミコンダクター社は、シリコン(Si)基板上に形成した窒化ガリウム(GaN)[1]パワートランジスタ[2]の耐圧[3]を、飛躍的に向上させる技術を開発しました。GaN膜厚で決まる耐圧に加え、Si基板の耐圧を利用する構造を新たに導入し、Si基板上において耐圧3,000V以上の実現に目処をつけました。 【効果】 本開発により、Si基板を用いた場合に、GaN膜厚で決まる...
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住友電工と仏ソイテック社、低コストGaN基板の開発で協業 住友電気工業株式会社(本社:大阪市、社長:松本正義 以下、住友電工)とフランスのS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.(本社:フランス パリ市、CEO:Andre − Jacques Auberton−Herve (アンドレ・ジャック オベルトン・アルベ)、以下、Soitec )は、低コストGaN(窒化ガリウム)基板の開発に関して協業を開始することとしました。 本協業により、住友電工の高品質GaN基板製造技術とSoitecのSmart Cut技術を組み合...
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大日本スクリーン、グリーンデバイスの製造工程におけるパターン検査に対応するウエハー外観検査装置を販売
半導体ウエハーの外観検査装置市場に参入 〜グリーンデバイス製造装置のラインアップを拡充〜 大日本スクリーン製造株式会社はこのほど、環境に優しいグリーンデバイス(※)の製造工程におけるさまざまなパターン検査に対応するウエハー外観検査装置「ZI−2000」を開発。2010年12月から販売を開始します。 *製品画像は、添付の関連資料を参照 近年、国内外の電子産業界では、グリーンデバイスと呼ばれる環境負荷の軽減を目的とした技術や製品が注目を集め、特にパワー半導体は、電力の消費量低減や変換効率を向上させる省エネデバイスとして市場規模が急速に拡大しています。また、車載用半導体では、安...