ルネサスエレクトロニクス、低損失の携帯機器等向けパワー半導体「μＰＡ２６００」など製品化

携帯機器用に２ｍｍ角の超小型パッケージで業界トップの低損失を実現した
パワー半導体「μＰＡ２６００」他を製品化
〜当社従来品より実装面積を約３割から６割低減した８製品により、携帯機器の小型軽量／省電力化に貢献〜



　ルネサス　エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長：赤尾　泰、以下ルネサス）はこのたび、スマートフォンなどの携帯機器等向けパワー半導体として、２ｍｍ×２ｍｍの超小型パッケージ採用セミパワーＭＯＳＦＥＴ（注１）では業界トップの低損失（低オン抵抗［注２］）を実現した２０Ｖ耐圧（ＶＤＳＳ）の「μＰＡ２６００」と３０Ｖ耐圧の「μＰＡ２６０１」を製品化し、２０１２年４月よりサンプル出荷を開始いたします。
　新製品は、（１）オン抵抗低減により機器の省電力化に貢献できます。また、（２）従来３ｍｍ×２ｍｍのパッケージで同様のオン抵抗を実現していた場合、実装面積を約３割低減できるため、機器の小型化が図れます。
　加えて、多様化するアプリケーションに対応するため、今回２ｍｍ×２ｍｍの超小型パッケージを採用したセミパワーＭＯＳＦＥＴとして、Ｐチャネル型とＮチャネル型およびパッケージに１素子を搭載したものと２素子を搭載（デュアル・タイプ）したものの組み合わせによる６製品も２０１２年４月よりサンプル出荷を開始いたします。
　小型化かつ業界トップクラスの低オン抵抗を実現した総計８製品のラインアップにより、携帯機器のロードスイッチ（ＬＳＩ等に送る電力のＯＮ／ＯＦＦスイッチ）や充放電制御およびＲＦパワーアンプ（高周波信号増幅器）のＯＮ／ＯＦＦ制御、過電流遮断スイッチ等の様々なアプリケーションでの実装面積削減が図れ、携帯機器の小型軽量／省電力化に貢献します。
　新製品の量産は２０１２年６月より順次開始し、２０１３年上期には８製品合計で月産３００万個を生産予定です。


＜背景＞
　携帯機器の軽薄短小化や高機能スマートフォンの普及に伴い、搭載されるセミパワーＭＯＳＦＥＴには省電力のための低オン抵抗化、小型化が求められています。さらに、携帯電話やスマートフォンの分野では従来のロードスイッチ用途に加えて充放電制御、ＲＦパワーアンプのＯＮ／ＯＦＦ制御や過電流遮断スイッチ用として小型かつ大電流対応、低オン抵抗を兼ね備えたデバイスへの需要が高まっています。
　ルネサスではかねてより継続的にオン抵抗の低減とパッケージの小型化を進めてきました。さらに、携帯機器に使用される電源の仕様によって極性（Ｐチャンネル型など）、耐圧等様々なタイプが要求されるため、製品ラインアップを取り揃えて対応してきました。今回、当社パワー半導体の強化と、上記のような更なる低損失、小型化の要求に対応するため、当社では初めて２ｍｍ×２ｍｍの超小型パッケージを採用し、かつ低オン抵抗を実現したセミパワーＭＯＳＦＥＴ　８製品を製品化したものです。


＜特長＞
　新製品の主な特長は次の通りです。

　（１）業界トップレベルの低オン抵抗を実現（Ｎチャネル型「μＰＡ２６００」「μＰＡ２６０１」）
　　　２０Ｖ耐圧（ＶＤＳＳ）の「μＰＡ２６００」では９．３ｍΩ（４．５Ｖ時の標準値）、３０Ｖ耐圧の「μＰＡ２６０１」では１０．５ｍΩ（１０Ｖ時の標準値）と、２ｍｍ×２ｍｍの超小型パッケージ品では業界トップの低オン抵抗を実現しました。このため、機器の省電力化に貢献いたします。

　（２）小型パッケージによる実装面積削減
　　　大面積高性能チップを小型パッケージに配置し、ヒートシンク外出しのパッケージにより実装基板にパッケージの熱を効率よく外部に放熱することにより２ｍｍ×２ｍｍの超小型パッケージを実現。
　　　「μＰＡ２６００」など従来３ｍｍ×２ｍｍのパッケージを使用していた場合は約３割、「μＰＡ２６７２など」従来３ｍｍ×３ｍｍのパッケージを使用していた場合は約６割の実装面積削減が可能であり、機器の軽薄短小化が測れます。

　（３）豊富なラインアップ
　　　新製品は、携帯機器分野で多用される耐電圧１２〜３０Ｖの製品を中心に、Ｐチャネル型の「μＰＡ２６３０」など４製品、Ｎチャネル型の「ｕＰＡ２６００」など３製品およびＮチャネルとＰチャネル素子を１パッケージ化した「μＰＡ２６９０」の総計８製品をラインアップしており、携帯機器のロードスイッチ、および充放電制御やＲＦパワーアンプのＯＮ／ＯＦＦ制御や過電流遮断スイッチ等様々なアプリケーションに対応可能です。


　なお、新製品は欧州ＲｏＨＳ指令（注３）への対応はもちろん、ハロゲンフリーに対応し、環境への配慮を行っております。サンプル価格は、１個あたり３０円です。

　携帯機器の分野では飛躍的に高機能化が進んでおり、部品の実装スペースは益々狭くなっていきます。ルネサスでは、こうしたさらなる小型高性能化のニーズに対応するため、新しいプロセス、新小型パッケージを採用することにより、従来製品性能を維持しつつ実装面積の小さな製品を開発し、携帯機器の小型高性能化に貢献できるようラインアップの拡充を推し進めてまいります。
　新製品の仕様は、ｗｅｂサイトをご参照ください。
　http://japan.renesas.com/press/news/


以上


（注１）ＭＯＳＦＥＴはＭｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（金属酸化膜半導体　電界効果型トランジスタの略。セミパワーＭＯＳＦＥＴは１Ｗクラス以下の小電力タイプのＭＯＳＦＥＴです。
ＭＯＳＦＥＴにはその構造により、ＰチャネルとＮチャネルがあります。
（注２）オン抵抗（ＲＤＳ（ｏｎ））はパワーＭＯＳＦＥＴが動作している時の動作抵抗であり、数値が低いほど損失（導通損失）を低減できます。
（注３）欧州ＲｏＨＳ指令：Ｄｉｒｅｃｔｉｖｅ　２００２／９５／ＥＣ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｐａｒｌｉａｍｅｎｔ　ａｎｄ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｏｕｎｃｉｌ　ｏｆ　２７　Ｊａｎｕａｒｙ　２００３　ｏｎ　ｔｈｅ　ｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｕｓｅ　ｏｆ　ｃｅｒｔａｉｎ　ｈａｚａｒｄｏｕｓ　ｓｕｂｓｔａｎｃｅｓ　ｉｎ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ

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