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ナショナルセミコンダクター、電力密度と効率を提供する100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表
業界初のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワーFET向け100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表
高耐圧アプリケーションの電力密度と効率を向上させる高集積ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
ナショナル セミコンダクター ジャパン株式会社(本社:東京都江東区木場2丁目17番16号、代表取締役:和島 正幸)は、高耐圧パワーコンバータでエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)とともに使用できる業界初の100Vハーフブリッジ・ゲート・ドライバを発表しました。ナショナル セミコンダクターの新しいLM5113は高集積ハイサイドおよびローサイドGaN FETドライバで、ディスクリート型ドライバに比べ、部品点数を75パーセント、プリント回路基板(PCB)面積を最大85パーセント低減できます。
ブリック型電源と通信インフラ機器の設計では、サイズを最小限に抑えながら電力効率を向上させることが求められます。エンハンスメント・モードGaN FETは、超小型サイズとともに低いオン抵抗(Rdson)、ゲート電荷(Qg)などの特長を持っており、標準的な金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べ、新しいレベルの高い効率と電力密度を実現しますが、その駆動の信頼性向上には大きな技術的課題が存在していました。ナショナル セミコンダクターのLM5113ドライバICはこうした課題を解消し、さまざまな電力トポロジーを採用してもGaN FETの特長を最大限に発揮できます。
エンハンスメント・モードGaN FETの厳しいゲート駆動要件を満たすには、複数のディスクリート型デバイスが必要になるほか、回路設計およびPCB設計にも多大な努力が要求されます。ナショナル セミコンダクターのLM5113は、エンハンスメント・モードGaN FETドライバに必要なすべてのディスクリート型デバイスを集積し、回路設計およびPCB設計の手間を大幅に低減し、業界最高の電力密度と効率を提供します。
Efficient Power Conversion Corporationの共同創業者の一人でCEOを務めるAlex Lidow氏は、「ナショナル セミコンダクターのLM5113ブリッジ・ドライバは設計の簡素化により、eGaN? FETの性能をフルに発揮させることができます」と述べ、さらに「LM5113は部品点数を大きく低減し、また、私たちのeGaN FETとの組み合わせにより、同等のMOSFETベースの設計に比べて大幅なPCB面積の低減と電力密度の向上を実現します」と語りました。
LM5113ブリッジ・ドライバの技術的特長
ナショナル セミコンダクターのLM5113はエンハンスメント・モードGaN FET向けの100Vブリッジ・ドライバです。LM5113は独自技術の採用により、ハイサイド・フローティング・ブートストラップ・コンデンサ電圧を約5.25Vにレギュレートし、最大ゲート−ソース間定格電圧を超過せずに、エンハンスメント・モードGaNパワーFETを最適駆動します。また、LM5113はシンク/ソース出力が独立しており、ターンオフ強度に対するターンオン強度のフレキシビリティを高めることができます。0.5Ωの低インピーダンス・プルダウン・パスにより、低スレッショルド電圧エンハンスメント・モードGaNパワーFET向けに高速で信頼性の高いターンオフ・メカニズムを提供し、高周波電源回路の効率最大化を可能にします。LM5113は集積型ハイサイド・ブートストラップ・ダイオードを内蔵しており、PCB面積を最小化します。さらにLM5113はハイサイドおよびローサイド・ドライバ向けに独立したロジック入力を提供し、多様な絶縁型および非絶縁型電源トポロジーでの使用を可能にするフレキシビリティを実現します。
詳細情報については、 http://www.national.com/pf/LM/LM5113.html をご覧ください。
<パッケージ、価格および供給>
ナショナル セミコンダクターのLM5113は4mm x 4mmの10ピンLLP(R)パッケージで提供され、1,000個一括購入時の価格は1.65米ドルです。現在サンプル出荷中で、量産品の出荷開始は9月の予定です。
<商標>
LLPおよびNational Semiconductorはナショナル セミコンダクター コーポレーションの登録商標です。その他のブランドおよび商標または登録商標は、各社の所有に属します。
ナショナル セミコンダクターは、パワーマネジメント技術をリードする企業です。使いやすさに優れたアナログIC製品とワールドクラスのサプライチェーンにより高い評価を獲得しているナショナル セミコンダクターの高性能アナログ製品は、お客様のシステム製品のエネルギー効率向上に大きく貢献します。本社はカリフォルニア州サンタクララで、2011年5月29日に終了した2011会計年度の売上高は15億2,000万ドルでした。
ナショナル セミコンダクター ジャパン株式会社は、ナショナル セミコンダクター コーポレーションの全額出資の日本法人で、各種半導体、集積回路(IC)の輸入、販売を行っています。本社は東京で、大阪に営業所を持っています。設立は1969年11月、従業員数は約80名です。
ウェブサイト・アドレス:
ナショナル セミコンダクター ジャパン株式会社: http://www.national.com/JPN/
米国本社:http://www.national.com/
※ 製品画像は、関連資料参照