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STマイクロ、250V耐圧 RFパワー・トランジスタ「STAC250V2−500E」を発表

2014-11-01

STマイクロエレクトロニクス
小型かつ高信頼性のE級電源向けに最新の高耐圧技術を採用した、
250V耐圧 RFパワー・トランジスタを発表


 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、業界をリードする堅牢性と高い電力密度を提供するRFパワー・トランジスタ STAC250V2−500E(13.6MHz)を発表しました。熱効率が高い小型パッケージで提供される同製品は、高出力の産業用E級高周波電源に適しています。

 STAC250V2−500Eは、業界最高の不整合負荷への耐性(20:1)を有し、その安全性は最大出力600Wまで高められています。また、使用されるSTAC(R)エア・キャビティ・パッケージ(0.55x1.35インチ)は、従来のセラミック・パッケージよりも50%以上小型化されています。STAC250V2−500Eを2個使用した場合でも、実装面積は1個のセラミック・パッケージ品と同程度のため、1kWを超える高周波電源の小型化が可能になります。さらに、エア・キャビティ・パッケージは熱抵抗が25%も低いため、信頼性の向上につながります。

 STAC250V2−500Eのこれらの優位性は、IH機器、プラズマ誘起型蒸着システム、太陽光発電セルおよびテレビ用フラットパネル製造装置などのアプリケーションにおいて、優れた性能を実現します。

 STの最新の高電圧SuperDMOSテクノロジーを採用したSTAC250V2−500Eの最大動作電圧は250Vです。900V超のブレークダウン電圧により、E級誘導性共振回路やその他のアプリケーション(D級高周波パワー・アンプ等)に高い耐性を確保します。

 STAC250V2−500Eは、STAC177パッケージで提供され、現在量産中です。単価は、1000個購入時に約66ドルで、サンプルも提供中です。

 STAC250V2−500Eの詳細については、http://www.st.com/rfdmosをご覧ください。

 ※製品画像は添付の関連資料を参照


STマイクロエレクトロニクスについて>
 STは、「センス&パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイトhttp://www.st-japan.co.jp)をご覧ください。


◆お客様お問い合わせ先
 〒108−6017 東京都港区港南2−15−1
 品川インターシティA棟
 STマイクロエレクトロニクス(株)
 アナログ・MEMS・パワー製品グループ
 TEL:03−5783−8250
 FAX:03−5783−8216



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