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MOSFET

  • ロームなど、SiC−BNCT機器の共同研究開発と研究センターの整備の実施に合意

    SiC−BNCT機器の共同研究開発 及び研究センターの整備について 1 概要  この度、京都府・ローム株式会社・京都府立医科大学・福島SiC応用技研株式会社の4者は、次の2点について基本合意した。  [1]最先端のがん治療の発展を目指し、京都府立医科大学と福島SiC応用技研株式会社が、ローム株式会社のSiC(シリコンカーバイド)を活用したBNCT(ホウ素中性子捕捉療法)に必要な治療機器(SiC−BNCT機器)の研究開発を実施する。  [2]研究開発の成果を踏まえ、最先端のがん治療を行えるよう、SiC−BNCT機器及び建物をローム株式会社が京都府に寄附する。  (1)京都府立医科大学と福島SiC応用技研株式会社は、他施設が研究開発...

  • ローム、AEC−Q101準拠の3.3mm×3.3mmサイズMOSFET「AG009DGQ3」を開発

    AEC−Q101準拠の3.3mm×3.3mmサイズMOSFET「AG009DGQ3」を開発 業界最小クラス(※)でありながら、独自の端子・メッキ処理より実装の高信頼性を実現し、車載用途に最適 ※エンジンECU部において  ◇参考画像は添付の関連資料を参照 <要旨>  ローム株式会社(本社:京都市)は、エンジンECU(*1)部をはじめ、電装化が進む各種車載アプリケーションに向けてAEC−Q101(*2)に準拠した超小型MOSFET「AG009DGQ3」を開発しました。「AG009DGQ3」は実装の高信頼性を実現した上、従来比最大64%の実装面積を削減することが可能な製品です。  本製品はローム独自の端子構造を採用し、パッケージの端子幅を拡大し...

  • リコー電子デバイス、定電流LEDドライバコントローラーIC「R1580Nシリーズ」を販売

    定電流LEDドライバコントローラIC「R1580Nシリーズ」を販売 〜業界初(*1)、PWM信号入力ながら1/200までの低輝度調光とフリッカーフリーを実現〜  リコー電子デバイス株式会社(代表取締役社長:田路悟)は、業界で初めて(*1)PWM(パルス幅変調)信号入力でありながら、1/200までの低輝度調光とカメラ撮影時のフリッカーフリー(ちらつき無し)を同時に実現できる定電流LEDドライバコントローラIC「R1580Nシリーズ」を開発しました。4月18日から受注およびオンライン販売を開始いたします。  「R1580Nシリーズ」は、LED照明の明暗やフリッカー(ちらつき)を制御することができるICです。リニア定...

  • リニアテクノロジー、50Aまたはデュアル25AμModuleレギュレーター「LTM4650」を発売開始

    リニアテクノロジー、新製品「LTM4650」を発売開始 50Aまたはデュアル25AμModuleレギュレータ  リニアテクノロジー株式会社は、シールド・インダクタ、MOSFET、デュアルDC/DCレギュレータICを熱特性が改善された小型プラスチック・パッケージに収納したデュアル25Aまたはシングル50A出力の降圧μModule(R)レギュレータ「LTM4650」の販売を開始しました。LTM4650は−40℃〜125℃の動作温度範囲で仕様が規定され、1,000時の参考単価は46.75ドルからで、リニアテクノロジー国内販売代理店各社経由で販売されます。製品の詳細情報は、リニアテクノロジーのWebサイトをご参照ください( http://www.linear-tech.co.jp...

  • リニアテクノロジー、デジタル・インタフェース付きレギュレーター「LTM4677」を販売

    リニアテクノロジー、新製品「LTM4677」を発売開始 最大144Aの電流分担が可能なPMBus デジタル・インタフェース付きシングル36A またはデュアル18A μModule レギュレータ  リニアテクノロジー株式会社は、自律的なデジタル・パワー・システム・マネージメントのためのPMBus シリアル・デジタル・インタフェースを備えたデュアル18A またはシングル36A μModule(R)(パワーモジュール)降圧DC/DC レギュレータ「LTM4677( http://www.linear-tech.co.jp/product/LTM4677 )」の販売を開始しました。LTM4677は−40℃〜125℃の動作温度範囲で仕様が規定され、1,000個時の参考単価は39.60ドルからで、リニアテ...

  • 昭和電工、欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売

    欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売 −フルSiCパワーモジュールの実用化に寄与−  昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の4インチ(100mm)品と6インチ(150mm)品において、欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエピ(以下、HGE)」を開発し、今月より販売を開始いたします。  SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代...

  • リニアテクノロジー、デュアル出力同期整流式降圧DC/DCコントローラーを発売

    リニアテクノロジー、新製品「LTC3892/−1」を発売開始 スタンバイ時の暗電流がわずか29μA、ゲート・ドライブ電圧を5V〜10Vの範囲で調整可能な60Vデュアル出力同期整流式降圧コントローラ  リニアテクノロジー株式会社は、高電圧デュアル出力同期整流式降圧DC/DCコントローラ「LTC3892/−1( http://www.linear-tech.co.jp/product/LTC3892 )」の販売を開始しました。LTC3892は32ピン5mmx5mmQFNパッケージ、LTC3892−1は28ピンTSSOPパッケージで供給されます。4種類の温度グレードがあり、温度拡張グレードとインダストリアル・グレードは−40℃〜125℃、高温車載グレードは−40℃〜150℃、ミリタリ・...

  • ローム、省エネ家電などの低消費電力化に貢献する高効率MOS−IPMをラインアップ

    高効率のMOSインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ 省エネ家電や産業機器の低消費電力化に貢献 <要旨>  ローム株式会社(本社:京都市)は、低消費電力化が求められる家電製品や産業機器などの小容量モータをインバータ駆動させる高効率MOS−IPM(Intelligent Power Module)「BM65364S−VA/−VC(定格電流15A、耐圧600V)」を新たにラインアップしました。  今回開発した製品は、自社製の低オン抵抗MOSFET「PrestoMOS(TM)(※)」を搭載し、さらに独自のLSI制御技術により、従来のIGBT−IPMに比べて低電流域での損失を約43%低減。業界トップクラスの低消費電力化を実現することでアプリケーションの省エネ化に...

  • ローム、SiC−MOSFET駆動用のAC/DCコンバーター制御ICを開発

    世界初(※)、SiC駆動用AC/DCコンバータ制御ICを開発 SiC−MOSFETの性能を最大限に引き出し、産業機器の省電力化、小型化に貢献  ※2015年3月25日現在 ローム調べ <要旨>  ローム株式会社(本社:京都市)は、大電力(高電圧×大電流)を扱うインバータやサーボなどの産業機器で採用が進むSiC−MOSFET駆動用AC/DCコンバータ制御IC「BD7682FJ−LB」を開発しました。  本製品は、これまでディスクリート部品の構成で部品点数に課題を抱えていたSiC−MOSFET搭載AC/DCコンバータを容易に実現することが可能です。これにより、省電力化、小型化が求められるAC/DCコンバータ市場に新たな価値を提供し、SiCパワー半導体の普及による...

  • IRジャパン、小型化・低電力のFastIRFETシリーズのデバイス「IRFH4257D」を発売

    インターナショナル・レクティファイアー 面積4mm×5mmの小型PQFNパッケージに2個のパワーMOSFETを収めた製品を発売 〜FastIRFET(TM)シリーズの製品でDC−DCコンバータの大電力密度化、小型化に貢献〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は12日、面積4mm×5mmと小型で高性能のPQFNパワー・ブロック・パッケージに2個(デュアル)のパワーMOSFETを収めたFastIRFET(TM)シリーズのデバイス「IRFH4257D」を発売しました。この新しいパッケージは、先進的な通信/ネットコム機器、サーバー、グラフィックス・カード、デ...

  • IRジャパン、耐圧40Vの車載用パワーMOSFET「AUIRFN8459」など2品種を発売

    インターナショナル・レクティファイアー 面積5mm×6mmの小型PQFNパッケージに耐圧40Vの車載用パワーMOSFETを2個搭載 〜低電力モータ駆動用のCOOLiRFET(TM)シリーズ、ベンチマーク特性を実現〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は9日、耐圧40Vの車載用パワーMOSFETを2品種(「AUIRFN8459」と「AUIRFN8458」)発売しました。2品種ともCOOLiRFET(TM)シリーズの製品です。ポンプのモータ制御や車体制御など、小型化や大電流が要求される車載用途向けに、ベンチマークとなる低オン抵抗(内部抵抗)を提...

  • 三菱電機、3.6Vのバッテリー駆動で4W出力を実現したMOSFETを発売

    3.6Vのバッテリー駆動で業界最高出力4Wを実現 業務無線機用 高出力 MOSFET「RD04LUS2」発売のお知らせ  三菱電機株式会社は、業務無線機の電力増幅器に使用されるシリコン高周波デバイスの新製品として、3.6Vのリチウムイオン1セルバッテリー駆動で業界最高(※1)となる4W出力を実現したMOSFET(※2)「RD04LUS2」を9月1日に発売します。  ※1:2014年8月28日現在。当社調べ。  ※2:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ  *製品画像は添付の関連資料を参照 <新製品の特長> 1. 3.6V駆動で4W出力を実現し、業務無線機の送信距離の拡大に...

  • IRジャパン、FastIRFETファミリーのパワーMOSFETを2個内蔵したパワー・ブロックを発売

    インターナショナル・レクティファイアー 表面が露出したPQFNパッケージにパワーMOSFETを2個内蔵したパワー・ブロックを発売 〜FastIRFET(TM)ファミリーの製品、DC−DC変換を高効率化〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は8日、パワー・ブロック・デバイスのファミリーを拡大し、FastIRFET(TM)ファミリーのパワーMOSFETを2個搭載した製品「IRFHE4250D」を発売しました。このデバイスは、従来の最高クラスのパワー・ブロック・デバイスと比べて、25Aでの電力損失を5%以上低減します。この耐圧25Vのデバイス...

  • パナソニック、インダクター内蔵DC−DCレギュレーター電源モジュールを出荷開始

    機器の基板設計工数削減に貢献 実装面積半減(※1)を実現した電源モジュール「PSiP(R)(※2)」を製品化 通信インフラ機器や産業機器向けDC−DCレギュレータ  *製品画像は添付の関連資料を参照  パナソニック株式会社オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、通信インフラ機器や産業機器などで使用する電源に最適なインダクタ内蔵DC−DCレギュレータ[1]電源モジュール「PSiP(R)(※2)」(ピーシップ:Power Supply in Package)を、2014年3月より量産出荷開始します。本製品によりスモールセル基地局などの小型化が必要な機器の電源設計の容易化に貢献します。  製品名     :PSiP(R)(※2)(Power Supply...

  • STマイクロ、2種類のパワー・パッケージを導入した小型パワーMOSFETを発表

    STマイクロエレクトロニクス、 革新的なパワー・パッケージにより、 小型かつ堅牢な650V/800V耐圧のパワーMOSFETを実現  STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、2種類の新しいパワー・パッケージを導入し、先進的な高電圧パワーMOSFETファミリの3ファミリを拡張することを発表しました。これにより、バッテリ充電器、太陽光発電システム用マイクロインバータ、コンピュータ用電源など、消費電力の低減が必要な機器をさらに小型・堅牢化し、信頼性を高めることができます。  STの先進的なPowerFLAT(TM) 5x6 HV/PowerFLAT 5x6 VHVパッケージは、標準的な100V耐圧のPowerFLAT 5x6パッケージと同様のフットプリ...

  • STマイクロ、650V耐圧の車載用パワーMOSFETを発表

    STマイクロエレクトロニクス、 TO−247パッケージで提供される650V耐圧 車載用パワーMOSFETを発表  STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、AEC−Q101に準拠した650V耐圧の車載用パワーMOSFETであるSTW78N65M5およびSTW62N65M5を発表しました。  両製品は、広く利用されているTO−247パッケージで提供されます。また、650V耐圧が、高電圧スパイク発生時における安全マージンが拡大し、車載用電源モジュールと制御モジュールの信頼性を高めます。その他、両製品は、オン抵抗(RDS(ON))がそれぞれ0.032Ωおよび0.049Ωと非常に低く、小型のTO−247パッケージで提供されるため、シス...

  • IRジャパン、スイッチング電源など向けに最適なPFCブーストICのサンプル出荷を開始

    インターナショナル・レクティファイアー 業界最小のPFC(力率改善)ブーストICのサンプル出荷を開始 〜5ピンのSOT−23パッケージに搭載、スイッチング電源など広い用途に最適〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は23日、業界最小のPFC(力率改善)ブーストIC「IRS2505LTRPbF」のサンプル出荷を開始しました。パッケージは小型の5ピンSOT−23です。スイッチング電源(SMPS)、LED(発光ダイオード)駆動回路、蛍光灯やHID(高輝度放電管)の電子バラストなどの用途に最適です。  IRS2505Lは、IR社...

  • STマイクロ、設計最適化に向け繰り返しサージ対応の保護デバイスを発表

    STマイクロエレクトロニクス、 設計最適化に向け繰り返しサージ対応の保護デバイスを発表  STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、繰り返し電圧サージに対応する保護デバイス STRVSを発表しました。同製品は、エンジニアが回路保護を最適化し、コストや電力効率の目標を達成する上で必要となる情報と共に提供されます。  繰り返しサージが発生すると保護用部品が過熱し、太陽光発電システム用インバータ、スマート・メータ、モバイル充電器等の電源の性能が低下します。STは、この繰り返しサージへの保護に役立つ、高温時およびピーク電流時(0A〜2A)のクランプ電圧を規定しています。これによりエンジニアは、...

  • IRジャパン、ローサイド・ゲート駆動ICをサンプル出荷開始

    インターナショナル・レクティファイアー 小型パッケージの5ピンSOT−23に封止したローサイド・ゲート駆動ICをサンプル出荷開始 〜出力を2ピンにしてパッケージの両側に配置、設計の自由度が高まる〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は4日、小型の5ピンSOT−23(SOT−23−5L)パッケージに封止した駆動能力の高いローサイド(*1)・ゲート駆動IC「IRS44273L」のサンプル出荷を開始しました。  IRS44273Lは、扱いやすく、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)やMOSFETのゲート...

  • IRジャパン、耐圧40Vの車載用パワーMOSFETシリーズCOOLiRFETを22品種発売

    インターナショナル・レクティファイアー 耐圧40Vの車載用パワーMOSFETシリーズCOOLiRFET(TM)を22品種発売 〜低オン抵抗で、負荷の大きい用途でシステム効率を改善〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は21日、車載用パワーMOSFETのCOOLiRFET(TM)シリーズ22品種を発売しました。いずれもオン抵抗(内部抵抗)が非常に低く、電動パワー・ステアリング(EPS)、ブレーキ・システム、および内燃機関の自動車やマイクロ・ハイブリッド車のプラットフォームなど負荷の大きい用途に最適です。  22品種とも...

  • 新日本無線、MOSFET内蔵降圧スイッチングレギュレータを生産開始

    新日本無線、産業機器用電源や車載アクセサリに最適な MOSFET内蔵降圧スイッチングレギュレータの生産を開始  新日本無線株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長:小倉 良)では、インバータ、プログラマブルコントローラなどの産業機器用電源や車載アクセサリなどに最適な、600mA,500kHz 小型パッケージ降圧スイッチングレギュレータ、NJW1933の開発を完了し生産を開始しました。  NJW1933は入力電圧範囲が4.5Vから40Vと広く、MOSFETを内蔵した降圧用スイッチングレギュレータです。カレントモード制御方式を採用した位相補償回路を内蔵しているため、最小限の外付け部品で降圧アプリケーションを実...

  • IRジャパン、ハイサイドの車載用ゲート駆動ICのサンプル出荷を開始

    インターナショナル・レクティファイアー 強化した保護機能や診断機能を備えた車載用ゲート駆動ICのサンプル出荷を開始 〜リレーの置き換えやバッテリのスイッチ向け〜  パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は27日、ハイサイド(*1)の車載用ゲート駆動IC「AUIR3200S」のサンプル出荷を開始しました。包括的な保護機能や診断機能を備え、リレーの置き換えやバッテリのスイッチ用途で信頼性の向上に貢献します。  AUIR3200Sは、負荷の短絡を知らせる診断機能に加えて、過電流保護と過熱保護の機能...

  • 東芝、モバイル機器用充電回路向け「大電流Pch MOSFET」を発売

    モバイル機器用充電回路向け大電流Pch MOSFETの発売について <高許容損失パッケージのラインアップを展開>  当社は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器用大電流充電回路のスイッチとして最適なPch MOSFETを製品化しました。  スマートフォン・携帯電話、タブレット、ノートPC、デジカメ、デジタルビデオカメラなどのモバイル機器の高機能化に伴い、電池容量と共に、充電電流も増加傾向にあります。大電流対応を実現するPch MOSFETとして、今回新製品「SSM6J505NU」と「SSM6J216FE」を高許容損失パッケージのラインアップに追加しました。  ※製品画像は添付の関連資料を参照 【応用機器】  スマートフォン...

  • 東芝、高速スイッチング用途に適した車載用低オン抵抗パワーMOSFETを発売

    車載用低オン抵抗パワーMOSFETの新製品発売について 「高速スイッチング用途に適した、「DPAK+」パッケージの製品を新たにラインアップ」  当社は、車載用パワーMOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した「TK100S04N1L」を製品化し、ラインアップに追加しました。  新製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U−MOS VIII−H(ユーモス・エイト・エイチ)シリーズ」のチップと、Cu(銅)コネクタ接続構造の「DPAK+」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるモータドライブやスイッチングレギュレータなどの...

  • IRジャパン、D級オーディオ用パワー・モジュールPowIRaudioシリーズに2品種を追加

    インターナショナル・レクティファイアー 耐圧40Vのパワー・モジュールPowIRaudio(TM)シリーズ2品種をサンプル出荷開始 〜 低消費電力のD級オーディオ向け、ヒートシンク不要 〜  パワー・マネジメント技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は16日、D級オーディオ(*1)用パワー・モジュールPowIRaudio(TM)シリーズを拡張し、新たに2品種(「IR4311M」と「IR4312M」)のサンプル出荷を開始しました。2品種とも耐圧は40Vで、アンプを内蔵する卓上オーディオ・システム、アクティブ・スピーカ、楽器などの低消費電力のD級オーディオ用...