三菱電機、駆動回路と保護回路を内蔵した「フルＳｉＣ−ＩＰＭ」を開発

電流センス機能搭載ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを使用
駆動回路と保護回路を内蔵したフルＳｉＣ−ＩＰＭを世界で初めて開発


　三菱電機株式会社は、パワー半導体素子をすべてＳｉＣ（※１）（炭化ケイ素）で構成し、駆動回路と保護回路まで内蔵した「フルＳｉＣ−ＩＰＭ（※２）」を世界で初めて開発しました。Ｓｉ（シリコン）のＩＰＭに比べ、インバーター損失を約７０％低減し、モジュールの体積も半減しました。

　※１　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ：炭素とケイ素が１：１の化合物
　※２　Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ　Ｐｏｗｅｒ　Ｍｏｄｕｌｅ：駆動回路、保護回路を内蔵した高機能パワー半導体モジュール


　＊商品画像は添付の関連資料を参照


＜主な開発成果＞

１．世界で初めて駆動回路と保護回路まで内蔵したフルＳｉＣ−ＩＰＭを開発
　・パワー半導体素子をすべてＳｉＣで構成し、駆動回路と保護回路まで内蔵したフルＳｉＣ−ＩＰＭ
　・パワー半導体素子がＳｉのＩＰＭに比べ、インバーター損失を約７０％低減（※３）
　・１２０×８５×３０ｍｍと、ＳｉのＩＰＭに比べ体積を半減（※３）

　※３　当社製「ＰＭ３００ＣＬＡ１２０」（１７２ｍｍ×１５０ｍｍ×２４ｍｍ）との比較において

２．世界で初めての電流センス機能搭載ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ
　・ＩＰＭの保護回路に必要な電流センス機能を世界で初めてＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ（※４）に搭載
　・ＩＰＭとＩＰＭ搭載機器を短絡時の過電流から保護

※４　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：金属酸化膜半導体電界効果トランジスター


＜今後の展開＞
　ＳｉＣ−ＩＰＭの製品化と、ＳｉＣ−ＩＰＭを使用した一般産業用機器、昇降機、太陽光発電用パワーコンディショナなど各種機器の実用化を目指します。


＜特　許＞
　国内　９８件、海外　３２件　出願済


　本研究の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）の委託を受けて実施しました。

　＊開発の紹介は添付の関連資料を参照