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ショットキーバリアダイオード
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昭和電工、欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売
欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用 SiCエピウェハーを販売 −フルSiCパワーモジュールの実用化に寄与− 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の4インチ(100mm)品と6インチ(150mm)品において、欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエピ(以下、HGE)」を開発し、今月より販売を開始いたします。 SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代...
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富士電機、SiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバーターを発売
新製品 −SiCハイブリッドモジュールを適用した大容量インバータの発売について 富士電機株式会社(本社:東京都品川区、代表取締役社長:北澤通宏)は、大容量インバータ「FRENIC−VGシリーズ スタックタイプ(690V系列)」に、SiCハイブリッドモジュールを適用した新製品をラインアップしますので、お知らせいたします。 1.背景 当社は、経営方針に掲げる「エネルギー関連事業」の拡大に向け、コア技術であるパワー半導体、パワーエレクトロニクスを駆使した競争力のある製品開発に取り組んでおり、なかでも、高耐圧・低損失化を実現するSiCパワー半導体の開発と、これを搭載したパワエレ機器の製品化に注力していま...
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京大など、電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発
電力変換装置の損失低減と信頼性向上を実現するSiCトランジスタを開発 −リーク電流90%減・絶縁耐圧1.5倍で低炭素社会に貢献 木本恒暢 工学研究科教授、細井卓治 大阪大学大学院工学研究科助教、渡部平司 同教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社は共同で、高誘電率ゲート絶縁膜(アルミニウム酸窒化物:AlON)を採用したシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成しました。本成果は省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、低炭素社会実現に大きく貢献することが期待されます。 本成果は、2012年12月10日(米国太平洋時間)に電子...
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ルネサスエレクトロニクス、電源変換回路を1パッケージ化した「SiC複合パワーデバイス」を発売
SiCパワー半導体第2弾、電源変換回路を1パッケージ化した 「SiC複合パワーデバイス」シリーズを発売 〜家電機器、パワーエレクトロニクス機器の省電力化、省スペース化に貢献〜 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:赤尾 泰、以下ルネサス)は、このたび、エアコン等の家電機器やPCサーバ、太陽光発電等のパワーエレクトロニクス機器向けに、低損失化に有効な新材料の炭化ケイ素(Silicon Carbide 以下SiC[注1])を採用したパワー半導体の第2弾として、電源変換回路やスイッチング回路を構成するSiCダイオードと複数の高耐圧トランジスタとを業界で初めて1パッケ...
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ローム、トランスファーモールド型のSiCパワーモジュールを開発
世界初!ロームが高温(225℃)で動作する トランスファーモールド型のSiCパワーモジュールを開発! 半導体メーカーのローム株式会社(本社:京都市)はこのほど、EV/HEV車や産業機器のインバータ駆動向けに、SiCデバイスの温度特 性に対応した高温で動作可能なSiCパワーモジュールを開発しました。このモジュールは、新開発の高耐熱樹脂を採用し、世界で初めて、トランスファーモールド型で225℃の高温動作を実現したもので、現在のSiデバイスを使ったモジュールと同様の小型、低コストのパッケージングが可能となり、SiCモジュールの普及に向けて大きく前進しました。このモジュールは600...
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ローム、太陽光発電のパワーコンディショナー向け高耐圧パワーMOSFET「R5050DNZ0C9」を開発
業界トップクラス34mΩの低オン抵抗を実現 Si深堀エッチング技術を採用したスーパージャンクションMOSFETの量産スタート 半導体メーカーのローム株式会社(本社:京都市)は、太陽光発電のパワーコンディショナー向けに業界トップクラスの低オン抵抗を実現した高耐圧パワーMOSFET「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)を開発しました。 本製品は、放熱性の高いTO247PLUSパッケージを採用し、9月中旬よりサンプル出荷(サンプル価格:1000円/個)を開始し、2011年12月には量産を開始する予定です。 省エネ機運の高まりにより再生可能エ...
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パイオニア子会社、デジタル技術やネットワーク接続に対応のプリアンプとパワーアンプ3機種を発売
〜デジタル技術やネットワーク接続に対応したハイエンドオーディオ〜 Dクラスパワーアンプ2機種、DAC搭載プリアンプ1機種 新発売 ※商品画像は関連資料を参照 商 品 名 型 番 希望小売価格(税込) 発売時期 プリアンプ TAD−C2000 1,995,000円 2011年 1月中旬 パワーアンプ TAD−M4300 1,995,000円 2010年11月中旬 パワーアンプ TAD−M2500 1,680,000円 2010年11月中旬 【企画意図】 株式会社テクニカル オーディオ デバイセズ ラボラトリーズ(...