富士電機、パワー半導体の高速ディスクリートIGBT「High−Speed　Wシリーズ」を発売

高速ディスクリートIGBT「High−Speed　Wシリーズ」の発売について


　富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT（※）「High−Speed　Wシリーズ」を発売しますのでお知らせいたします。
　※ディスクリート：トランジスタやダイオードといった単機能半導体素子
　　IGBT：Insulated　Gate　Bipolar　Transistor（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）


１．背景
　パワー半導体は、インバータや無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業機器や、電気・ハイブリッド自動車、通信機器等に搭載され、省エネや電力の安定供給を実現するキーデバイスです。
　ディスクリートIGBTが使われる産業機器や通信機器の市場規模は、２０１６年に約５００億円、以降年率５％で成長することが予測されています（出典：IMS）。
　近年、世界的なエネルギー需要の拡大を背景に、こうした産業・通信機器に対する省エネへの要求が高まっています。また、機器自体の小型・省スペース化が強く求められています。
　今般、こうした市場ニーズに応える高速ディスクリートIGBT製品の販売を開始します。


２．製品の特長
（１）電力損失を低減し省エネに貢献
　パワー半導体は、スイッチング（電気のオン／オフの切り換え）を細かく繰り返すことで、直流から交流への変換や、電圧の制御などを行います。今回の製品は、IGBTチップの厚みを薄くし微細化することで、従来製品（High−Speed　Vシリーズ）に比べて、スイッチング動作時の電力損失（ターンオフ損失）を約４０％低減しました。これにより、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

　＊参考画像は添付の関連資料を参照


（２）機器の小型化を実現
　スイッチング動作時の損失を低減（発熱抑制）することで、従来製品（２０kHz程度）に比べて高いスイッチング周波数（※）（２０kHz〜１００kHz）への対応を実現しました。これにより、搭載機器の周辺部品（コイルやトランス）を小型化でき、機器本体の小型化とトータルコスト低減に貢献します。
　※１秒間当たりのオン／オフの切り替え回数


３．製品仕様と発売時期

　＊添付の関連資料を参照


【参考】ラインアップと主な仕様

　＊添付の関連資料を参照


◆製品に関するお問い合わせ先
　富士電機株式会社　営業本部
　半導体統括部　営業第三部
　０３−５４３５−７１５２


以上