三菱電機、高出力１００Ｗを実現した「衛星通信用Ｃ帯１００Ｗ　ＧａＮ　ＨＥＭＴ」を発売

衛星通信のＣ帯で業界最高の出力１００Ｗを実現
「衛星通信用Ｃ帯１００Ｗ　ＧａＮ　ＨＥＭＴ」発売のお知らせ


　三菱電機株式会社は、Ｃ帯（※１）衛星通信の地球局（※２）に使用される電力増幅器用「ＧａＮ（※３）　ＨＥＭＴ（※４）」の新製品として、業界最高出力（※５）の１００Ｗおよび出力５０Ｗの２機種のサンプル出荷を２０１２年１月１０日に開始します。

※１：周波数４ＧＨｚ〜８ＧＨｚのマイクロ波
※２：衛星通信で地上に設置された基地局
※３：Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｎｉｔｒｉｄｅ：窒化ガリウム
※４：Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ
※５：２０１１年１１月２９日時点　当社調べ。衛星通信地球局用ＧａＮ　ＨＥＭＴにおいて

　＊製品画像は添付の関連資料を参照


＜新製品の特長＞

１．高出力・高効率で電力増幅器の小型化に貢献
　・耐圧性に優れたＧａＮを採用し４０Ｖの高電圧の動作を実現
　・出力電力１００Ｗ（ＭＧＦＣ５０Ｇ５８６７）および５０Ｗ（ＭＧＦＣ４７Ｇ５８６７）の高出力を実現
　・電力付加効率（※６）４３％以上の高効率を実現

※６：供給された電力が出力信号に変換される効率。数値が高いほど効率が優れる。

２．低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
・出力電力４０Ｗ（４６ｄＢｍ）時のＩＭ（※７）が−２５ｄＢｃと低ひずみ特性を実現（ＭＧＦＣ５０Ｇ５８６７）

※７：Ｉｎｔｅｒ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：増幅器に２つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能。
※８：Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ヘテロ構造電界効果トランジスタ


　＊電力増幅器の構成例、発売の概要など詳細は添付の関連資料を参照


＜お客様からのお問い合わせ先＞
　三菱電機株式会社　半導体・デバイス第二事業部　高周波光デバイス営業第二部
　〒１００−８３１０　東京都千代田区丸の内二丁目７番３号
　ＴＥＬ　０３−３２１８−４８８０　ＦＡＸ　０３−３２１８−４８６２
　ＵＲＬ　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors