高集積・高歩留まり　２メガビット磁気ランダムアクセスメモリ （STT−MRAM）の実証実験に世界で初めて成功 単位メモリセル面積３０％の低減と７０％の歩留まり向上（対従来比）を同時に実現 【概要】 　国立大学法人東北大学（総長：里見進／以下、東北大学）国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長（兼　同大学大学院工学研究科教授）のグループは、磁気トンネル接合素子（Magnetic　Tunnel　Junction，MTJ）と相補型金属酸化膜半導体（Complementary　Metal　Oxide　Semiconductor，CMOS）電界効果トランジスタとを接続するコンタクトホールの直上に、性能劣化なく磁気接合素子を成膜する技術の開発に世界で初めて成功いた...