1兆分の1秒間の強電場パルス照射により、半導体の自由電子数を1千倍に増幅: 超高速トランジスタや高効率の太陽電池の開発に期待  物質−細胞統合システム拠点(iCeMS=アイセムス)の廣理英基助教と田中耕一郎教授の研究グループは、ごくわずかな時間にエネルギーが圧縮されたフェムト秒レーザーとニオブ酸リチウムの結晶をもちいて1MV/cmという世界最高電場強度のテラヘルツ光を発生させることに成功しました。さらに、このテラヘルツ光を半導体に1兆分の1秒という短い時間照射するだけで、半導体の中の電気伝導を担う自由電子の数を約1000倍に増幅することに成功しました。実験にもちいた半導体試料...