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酸化物半導体
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東北大など、酸化物高温強磁性半導体に潜む特異な原子配列の3D原子像化に成功
酸化物高温強磁性半導体に潜む 特異な原子配列の3D原子像化に成功 −高温強磁性の謎解明へ− 【発表のポイント】 ●原子分解能をもつ蛍光X線ホログラフィーを、高温強磁性半導体に適用 ●磁性元素を中心とした特異な原子配列(亜酸化ナノ構造体)を発見 ●亜酸化ナノ構造体の性質解明を推し進めることにより、新しい高温強磁性半導体のデザイン・開発に期待 国立大学法人東北大学金属材料研究所 林 好一准教授、国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 胡■博士研究員(現米国ブルックヘブン国立研究所)を中心とする研究グループは、国立大学法人東京大学大学院、公立大学法人広島市立大学、国立大学法人熊本大...
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北陸先端大、グラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作原理検証に成功
わずか炭素2原子層厚のグラフェン膜を使った電子機械スイッチの動作原理検証に成功 −究極の低消費電力エレクトロニクス応用に期待− <ポイント> ●2層グラフェン膜で作製した両持ち梁を、繰り返し機械的に上下させて動作するナノ電子機械システム(NEMS)を世界で初めて開発 ●スイッチング電圧〜1.8Vの低電圧・安定動作を実現。従来の半導体技術を用いたNEMSスイッチに比べて1桁以上の低電圧化を達成 ●スイッチオフ状態での漏れ電流を原理的にゼロにすることが可能。現在のエレクトロニクスで深刻な問題となっている集積回路の待機時消費電力の飛躍的低減と、オートノマス(自立化)ITシステム実現に向けた革新...
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日本SGI、半導体エネルギー研究所に研究開発向け大規模システムを導入
日本SGI、半導体エネルギー研究所に研究開発向け大規模システムを導入 〜共有メモリーサーバと分散型クラスターサーバのハイブリッド構成による、国内民間企業でトップレベルの高性能システムで、最先端の半導体技術開発を加速〜 日本SGI株式会社(本社:東京都渋谷区、代表取締役社長:望月学)は株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、代表取締役:山崎舜平(※)、以下SEL)が、半導体技術の研究開発を促進する目的で、SGI(R)の大規模共有メモリーサーバ「SGI(R) UV 2000(TM)」とブレード型クラスターサーバ「SGI(R) ICE X(TM)」を組み合わせた大規模システムを導入したことを発表します。本...
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神戸製鋼など、フラットパネルディスプレイ用酸化物半導体材料など開発
酸エッチング液耐性を備えたフラットパネルディスプレイ用酸化物半導体材料 及びスパッタリングターゲット材について (株)神戸製鋼所と(株)コベルコ科研(神戸製鋼の100%出資子会社:以下 コベルコ科研)はこのほど、フラットパネルディスプレイ(以下FPD)のソース・ドレイン電極(以下S/D)のリワーク(*注1)工程に対応した酸化物半導体材料とそのスパッタリングターゲット材を開発しました。 今回開発した酸化物半導体材料は、独自の材料設計によって酸エッチング(*注2)液に対する耐性を高めることに成功しています。この特徴によって、IGZOでは適用が困難であった高い生産性が得られるバックチャネル型...
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ソニー、CESに56型4K対応有機ELテレビの試作機を参考出展
世界初(※)/世界最大“56型4K有機ELテレビ”を開発 〜2013 International CESに56型4K対応有機ELテレビの試作機を出展〜 ソニーは、4K(3840×2160)対応有機ELテレビの技術開発を進めており、「2013 International CES」(国際家電ショー:2013年1月8日〜11日、米国ネバダ州ラスベガス)において、その最新の成果として56型4K対応有機ELテレビの試作機を参考出展します。 今回、技術参考展示する“有機ELテレビ”は、最先端の酸化物半導体TFT技術とソニー独自の「スーパートップエミッション(Super Top Emission)」方式により、世界で初めて(※)、世界最大56型の大型サイズで4Kの高解像度を...
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シャープなど、ディスプレーを高精細・省電力化する酸化物半導体の新技術を共同開発
シャープと半導体エネルギー研究所が ディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 シャープ株式会社(本社:大阪市阿倍野区、社長:奥田 隆司)と株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、社長:山崎 舜平*)は、高い結晶性を有する、酸化物半導体(IGZO)の新技術を共同開発しました。これにより、スマートフォンなどモバイル機器向けの液晶ディスプレイのより一層の高精細化や低消費電力化、タッチパネルの高性能化の実現が可能です。本内容の詳細は、6月5日から開催されるディスプレイの国際学会「The Society for Information Display(SID...
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シャープとJSTが酸化物半導体に関するライセンス契約を締結 シャープは、科学技術振興機構(理事長:中村 道治、以下 JST)と、酸化物半導体(IGZO(※1))を用いた薄膜トランジスタに関する特許のライセンス契約を、本年1月20日に締結しました。当社がIGZOを採用した液晶パネルの本格的な生産に移行したことから、このたびJSTとの合意に基づき、本件についてお知らせいたします。 当該特許は、東京工業大学(学長:伊賀 健一)の細野秀雄教授らが、JSTの創造科学技術推進事業(※2)のプロジェクトにおいて発明したもので、東京工業大学などの出願を含め数十の特許群から構成され、JS...