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ルネサスエレクトロニクス、「Advanced LP SRAM」の16M/32Mビット製品を発売
Full CMOS型メモリセルに比べて500倍以上のソフトエラー耐性を持つ、Advanced Low Power SRAMの16M/32Mビット製品を発売 〜待機時電流も当社従来製品比1/2以下に低減し、バックアップ電池の長寿命化に貢献〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:遠藤 隆雄、以下ルネサス)は、低消費電力SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM(以下Advanced LP SRAM)において、このたび110nm(ナノメートル)プロセスを採用した16M(メガ)ビット品「RMLV1616Aシリーズ」と32Mビット品「RMWV3216Aシリーズ」を開発し、合計4品種のサンプル出荷を本年9月から...
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ルネサスエレクトロニクス、ソフトエラー耐性が高い「Advanced LP SRAM」を発売
ユーザーシステムの信頼性向上に貢献するAdvanced Low Power SRAM新製品を発売 〜ソフトエラー耐性が高いAdvanced Low Power SRAMシリーズの110nmプロセス品をリリース〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:作田 久男、以下ルネサス)はこのたび、当社SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM( http://japan.renesas.com/products/memory/low_power_sram/index.jsp )(以下Advanced LP SRAM)で、回路線幅に110nm(ナノメートル)の微細プロセスを採用した4M(メガ)ビット品を開発し、「RMLV0416Eシリーズ」「RMLV0414Eシリーズ」「RMLV0408Eシリーズ」の名称で、合計12品種...