ルネサスエレクトロニクス、自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体を発売

自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体（サーマルＦＥＴ）を発売

〜当社従来比約２５％の損失（オン抵抗）低減により、機器の省電力化、小型化に貢献〜


※製品画像は、添付の関連資料を参照

　ルネサス　エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長：赤尾　泰、以下ルネサス）はこのたび、自動車の室内灯スイッチ、およびエンジン制御用ソレノイドや各種センサの駆動用のパワー半導体「サーマルＦＥＴ（過熱遮断機能内蔵型ＭＯＳ　ＦＥＴ（注１））」として、当社従来比約２５％の低損失化（低オン抵抗化（注２））を実現した「ＲＪＦ０６０４ＪＰＤ」など５製品を本日よりサンプル出荷します。

　新製品の量産は２０１２年４月から開始し、２０１５年４月以降は合計で月産５０万個を計画しております。また、サンプル価格はパッケージにより異なり、ＤＰＡＫ（当社外形コード：９．５ｍｍ×６．５ｍｍ）採用の「ＲＪＦ０６０４ＪＰＤ」、「ＲＪＦ０６０５ＪＰＤ」、「ＲＪＦ０６１１ＪＰＤ」が１００円／個、ＬＤＰＡＫ（当社外形コード：１０．２ｍｍ×１３ｍｍ）採用の「ＲＪＦ０６０６ＪＰＥ」、「ＲＪＦ０６１１ＪＰＥ」が２００円／個となっております。

　「自動車の室内灯スイッチなど用電装機器に多く使用されるメカニカルリレーは、近年の高機能化・高信頼性化・小型化などの要求からパワーＭＯＳＦＥＴなどの電子スイッチへと切り替えが進み、さらに異常検知時の自己保護機能を内蔵したスイッチに移行してきています。また環境負荷低減のため、低排出ガス化が求められるエンジンなどのパワートレインでは、環境への配慮から、低排出ガス化が求められるため、Ｏ２センサ（注３）やＡ／Ｆセンサ（注４）など各種センサが搭載されています。こうした、電子スイッチやセンサ駆動用に使用されるサーマルＦＥＴは、スイッチ用のパワーＭＯＳＦＥＴを保護するために、規定外の温度を検知した時には回路を遮断して電流が流れないようにする過熱遮断機能をパワーＭＯＳＦＥＴに内蔵した製品であり、負荷短絡等による異常発熱から自己を保護することが可能です。そして、当社従来品に比べオン抵抗を低減することにより機器の電力損失を低減すること、もしくは、同一オン抵抗であればチップ面積を削減できることからより小さなパッケージで提供することにより、機器の小型化に貢献することが望まれています。

　こうしたニーズに対応するため、今回、会社統合効果によりサーマルＦＥＴに最適なプロセスを選択、発展させた新型Ｎチャネル微細プロセスを採用し、当社従来比で約２５％オン抵抗を削減可能なサーマルＦＥＴを製品化したものです。
　新製品の主な特長は以下の通りです。


（１）当社従来比約２５％のオン抵抗低減を実現
　新型Ｎチャネル微細プロセスを採用し、パワーＭＯＳＦＥＴのセル構造（注５）を最適化したことにより、当社従来プロセス比で約２５％オン抵抗を低減しました。これにより、例えば６０Ｖ耐圧、３０Ａの「ＲＪＦ０６０６ＪＰＥ」では、オン抵抗が２５ｍΩ（ＶＧＳ＝４Ｖ時）までと低く、電力損失を抑えられるため、システムの高効率化による省電力化が図れます。また従来品と同程度のオン抵抗品はより小型のパッケージに搭載することができるため、セットの小型化に貢献します。


（２）乗用車やトラック等の幅広いバッテリ電圧に対応
　新製品は、内蔵する過熱遮断機能における電流制限回路の電流制限値を最適化したことにより、２４Ｖバッテリ使用時の負荷短絡においても製品が破壊しないよう保護し、システムの信頼性向上に貢献します。乗用車等の１２Ｖバッテリに加え、トラック、商用車等の２４Ｖ系バッテリ使用のアプリケーションにも対応可能です。

　加えて、新製品は、車載部品の品質規格ＡＥＣ−Ｑ１０１に準拠しています。
　今後本プロセスを活用し、ＳＯＰ−８（当社外形コード）等の小型パッケージへの搭載や、２出力品、および、さらなる低オン抵抗品などのラインアップを順次展開していきます。

　新製品の主な仕様は、別紙をご参照下さい。


以　上


（注１）ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（金属酸化膜半導体　電界効果トランジスタ）の略。
（注２）オン抵抗：パワー半導体素子がオン状態のときの抵抗成分。オン抵抗と電流の２乗の積が電力損失となるため、低いほうが好ましい。
（注３）Ｏ２センサ：排気ガス中の酸素濃度を検出するセンサ。理論空燃費に対し高／低で検出する。
（注４）Ａ／Ｆセンサ：Ａｉｒ　ｂｙ　Ｆｕｅｌ　ｒａｔｉｏ（空燃費）センサの略。空燃費をリニアに検出。
（注５）セル：パワーＭＯＳＦＥＴの最小単位。ＭＯＳＦＥＴの出力はセルが並列接続され形成されている。


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