三菱電機、「３．５GHz帯第４世代移動通信システム基地局用　GaN　HEMT」のサンプル提供開始

ラインアップ拡大により移動通信システム基地局の多様なニーズに対応
「３．５GHz帯第４世代移動通信システム基地局用　GaN　HEMT」
ラインアップ拡大のお知らせ


　三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス（※１）の高出力・高効率を実現した「３．５GHz帯第４世代移動通信システム基地局用　GaN　HEMT（※２）」４品種（マクロセル基地局用・スモールセル基地局用各２品種）のサンプル提供を２０１６年２月１日から順次開始します。
　※１　２０１５年１２月２２日時点、当社調べ
　※２　Gallium　Nitride　High　Electron　Mobility　Transistor：窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ

　＊製品画像は添付の関連資料を参照


■新製品の特長
１．業界トップクラスの出力品などラインアップの拡大により多様なニーズに対応
　・トランジスタ構造の最適化により、３．５GHz帯マクロセル基地局用として業界トップクラス（※１）の出力１８０Wを実現し、基地局のカバーエリアの拡大に貢献
　・１８０W品をはじめ、９０W・７W・５W品の計４品種を新たにラインアップし、移動体通信システム基地局の多様なニーズに対応

２．業界トップの高いドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
　・耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用は７４％（９０W品）、スモールセル基地局用は６７％という業界トップ（※１）の高いドレイン効率（※３）を実現
　・高効率化による電力増幅器の小型化・低消費電力化により、通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
　　※３　パッケージ端での数値

３．フランジレスパッケージにより電力増幅器の小型化に貢献＜１８０W・９０W品＞
　・フランジ（※４）レスパッケージの採用により取付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献
　　※４　ネジなどで固定するためにパッケージから鍔状に張り出た部分


■発売の概要

　＊添付の関連資料を参照


■サンプル提供の狙い
　スマートフォンやタブレットなどの携帯端末の普及により、携帯端末のデータ通信量は急速に増大しています。膨大なデータ通信量を高速に処理するため、第４世代移動通信システム（LTE、LTE−Advanced）への移行が進められている中、通信速度の向上に加えて、新たな周波数帯の追加やマクロセル基地局のカバーエリアの拡大、スモールセル基地局数の増加などによる通信回線の増強および基地局の小型化・低消費電力化も求められています。
　当社は今回、これらのニーズに応えるために、新規帯域　３．５GHz帯の第４世代移動通信システムのマクロセル・スモールセル基地局用に業界トップクラス（※１）の高出力と高効率を実現したGaNHEMT　４品種を新たに製品ラインアップに加え、サンプル提供を開始します。
　今後は、パッケージのラインアップや出力電力、周波数帯が異なる第４世代移動通信システム用の製品シリーズの拡充を図るとともに、将来の第５世代移動通信システムに対応していく予定です。


■製品ラインアップと主な仕様

　＊添付の関連資料を参照


■環境への配慮
　本製品はRoHS（※６）指令（２０１１／６５／EU）に準拠しています。
　※６　Restriction　of　the　use　of　certain　Hazardous　Substances　in　electrical　and　electronic　equipment


■製品担当
　三菱電機株式会社　高周波光デバイス製作所
　〒６６４−８６４１　兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地


◇お客様からのお問い合わせ先
　三菱電機株式会社　半導体・デバイス第二事業部　高周波光デバイス営業第二部
　〒１００−８３１０　東京都千代田区丸の内二丁目７番３号
　TEL　０３−３２１８−４８８０
　FAX　０３−３２１８−４８６２
　URL　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/