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サイリスタ
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STマイクロ、電源モジュールを小型化する表面実装型の高温対応サイリスタを発表
STマイクロエレクトロニクス、 電源モジュールを小型化する表面実装型の高温対応サイリスタを発表 STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最高動作温度150℃まで性能を低下させることなく動作する、業界初の表面実装型800V耐圧サイリスタを発表しました。同製品は、過酷な環境下で高い信頼性が要求される用途において、電源モジュールの小型化に貢献します。 定格電流80A、高耐圧D(3)PAKパッケージ(TO−268−HV)で提供される新しいTM8050H−8は、1〜10kWの範囲の中出力のアプリケーションにおいて、表面実装による組立効率化や基板およびヒートシンクの小型化を実現し、システム・コストの...
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ルネサスエレクトロニクス、「Advanced LP SRAM」の16M/32Mビット製品を発売
Full CMOS型メモリセルに比べて500倍以上のソフトエラー耐性を持つ、Advanced Low Power SRAMの16M/32Mビット製品を発売 〜待機時電流も当社従来製品比1/2以下に低減し、バックアップ電池の長寿命化に貢献〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:遠藤 隆雄、以下ルネサス)は、低消費電力SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM(以下Advanced LP SRAM)において、このたび110nm(ナノメートル)プロセスを採用した16M(メガ)ビット品「RMLV1616Aシリーズ」と32Mビット品「RMWV3216Aシリーズ」を開発し、合計4品種のサンプル出荷を本年9月から...
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ルネサスエレクトロニクス、ソフトエラー耐性が高い「Advanced LP SRAM」を発売
ユーザーシステムの信頼性向上に貢献するAdvanced Low Power SRAM新製品を発売 〜ソフトエラー耐性が高いAdvanced Low Power SRAMシリーズの110nmプロセス品をリリース〜 ※製品画像は添付の関連資料を参照 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役会長兼CEO:作田 久男、以下ルネサス)はこのたび、当社SRAMの主力製品であるAdvanced Low Power SRAM( http://japan.renesas.com/products/memory/low_power_sram/index.jsp )(以下Advanced LP SRAM)で、回路線幅に110nm(ナノメートル)の微細プロセスを採用した4M(メガ)ビット品を開発し、「RMLV0416Eシリーズ」「RMLV0414Eシリーズ」「RMLV0408Eシリーズ」の名称で、合計12品種...
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東芝、伊送電会社テルナ社から直流送電システムの変電設備を受注
イタリア送電会社テルナ社からの直流送電(HVDC)システム建設工事の受注について ―日本企業として欧州市場で初の受注− 当社および当社グループ会社である東芝電力流通システム欧州社は、イタリア送電会社テルナ(TERNA)社から、同国チェパガッティ市とモンテネグロ国コトル市を結ぶ直流送電システムにおいて、両国に建設する変換所の変電設備、土木工事および据付工事の一式を受注しました。欧州市場において日本企業としては初の受注注です。2013年9月から工事を開始し、変電設備については2015年4月から順次納入する計画で、同変換所は2017年9月から運転開始の予定です。 当社は、昨年3月にイタリア...