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日本TI、IGBTとSiC FET向けゲート・ドライバ製品2機種を発表

2013-03-16

日本TI、IGBTおよびSiC FET向けに
ゲート・ドライバ製品を発表

TIのIGBTおよび広バンドギャップ・ドライバのポートフォリオを拡大
再生可能エネルギー向け産業用アプリケーションをサポートする
1チャネル、2.5A/5Aのゲート・ドライバ


 日本テキサス・インスツルメンツは、IGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)および、SiC(シリコンカーバイド)FET向けの、業界初の35V、1チャネルのゲート・ドライバ製品として、『UCC27531』および『UCC27532』のゲート・ドライバ製品(*)を発表しました。これらの新製品はOUTHとOUTLの個別出力を備え、太陽光パネル向けDC/ACインバータ、UPS(無停電電源)や電気自動車の充電をはじめとした絶縁型電源の設計に、最大限の効率の出力ドライブ能力、非常に短い伝搬遅延時間、システム保護の向上を提供します。製品に関する情報やサンプルのご注文については、http://www.tij.co.jp/ucc27531-pr-jpをご覧ください。

 * 『UCC27531』および『UCC27532』のゲート・ドライバ製品:http://www.tij.co.jp/ucc27531-pr-jp


 現代の再生可能エネルギー向けアプリケーションは、より多くの出力電力と、より高い電力変換効率を安全に提供する電力制御部品を必要としています。設計者は400Vを超える動作電圧において、より低い電力損失を提供するIGBTや最新のSiC FETを選択します。また、これらのデバイスは最大1,200Vの高耐圧および、同等のMOSFETよりも低い導通時の抵抗を備えており、TIのマイコンや『UCD3138』(http://www.tij.co.jp/product/jp/ucd3138)をはじめとする、専用のデジタル・パワー・コントローラを使って管理されます。次世代のIGBTおよびSiC FETを使用する設計では、電源および信号を、大きな雑音を発生する電力制御ステージのスイッチング環境から絶縁することが必要です。

 『UCC27531』および『UCC27532』の各製品を使うことで、デジタル・コントローラ製品を電力制御回路に接近した配置で動作させずに済むことから、絶縁型電源の寿命を延長します。

 『UCC27531』の主な特長と利点
  ・強力な出力ドライブ能力:ピークで2.5Aのソースおよび5Aのシンク電流によって、IGBTへ電荷注入が高速で、高い信頼性、高効率の動作を確保
  ・最良の伝搬遅延時間:17ns(代表値)の伝搬遅延時間が駆動効率を向上
  ・高い信頼性:複数のUVLO設定および、レール・ツー・レールの出力電圧が、システム保護を提供
  ・高雑音環境に対応:負極性の入力電圧に対応することから、数多くの産業用設計をサポート可能
  ・システム保護:OUTHおよびOUTLの個別出力ピンによって、IGBT/MOSFETのターンオン時のミラー効果への耐久性を向上、電力素子の損傷を防止



※以下、「IGBTドライバ製品ポートフォリオを拡張する新製品」などリリースの詳細は添付の関連資料を参照



【お問い合わせ先】
 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
 プロダクト・インフォメーション・センター(PIC)
 URL:http://www.tij.co.jp/pic



以上


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