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バンド構造
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東大など、極性構造歪みの制御を通じた熱電変換効率の向上に成功
極性構造歪みの制御を通じた熱電変換効率の向上に成功 −新原理の熱電変換材料へ道− 1.発表者: 酒井英明(大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 准教授/JST さきがけ研究者、研究当時:東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻 助教) 池浦晃至(研究当時:東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻 修士2年) M.S.Bahramy(東京大学大学院 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター・物理工学専攻 特任講師/理化学研究所 創発物性科学研究センター創発計算物理研究ユニットユニットリーダー) 小川直毅(理化学研究所 創発物性科学研究センター創発光物性研究ユニット ユニットリーダー) ...
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非対称な光学迷彩装置を理論的に実証 −光を自在に曲げることで物体を見えなくする理論− ■要旨 理化学研究所(理研)理論科学研究推進グループ階層縦断型基礎物理学研究チームの瀧雅人研究員と東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センターの雨宮智宏助教と荒井滋久教授らとの共同研究チームは、非対称な光学迷彩を設計する理論を構築しました。 光学迷彩は、光を自在に曲げる装置を設計、開発することで、物体や人を光学的に見えなくする技術です。これまで様々な理論的提唱や実験的な確認がなされてきました。しかし、光学迷彩装置は向かってくる光を迂回させることで、装置自体を見えなくしています。したがっ...
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東大と東京理科大、強磁場下のグラファイトで正負の電荷対による超伝導的状態が実現か
強磁場下のグラファイトで正負の電荷対による超伝導的状態が実現か 1.発表者: 秋葉和人(東京大学大学院理学系研究科物理学専攻 博士課程1年) 三宅厚志(東京大学物性研究所 助教) 矢口宏(東京理科大学理工学部物理学科 教授) 松尾晶(東京大学物性研究所 技術専門職員) 金道浩一(東京大学物性研究所 教授) 徳永将史(東京大学物性研究所 准教授) 2.発表のポイント: ◆負電荷を持つ電子どうしが対を作った超伝導は良く知られていますが、正負の電荷対による超伝導的状態が実現するのか、またどのような状態になるかは謎に包まれています。 ◆研究グループは、強磁場下の詳細な実験を通し...
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東北大、中性粒子ビーム加工技術を用い無欠陥エッジ構造を持つグラフェンナノリボンを作製
超低損傷中性粒子ビーム加工プロセス技術により世界で初めて 欠陥のないエッジ構造をもつグラフェンナノリボンを実現 =超高速グラフェンナノデバイスの製造プロセスを提案= 【研究概要】 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授の研究グループは、寒川教授が独自に提案した中性粒子ビーム加工技術を用いてグラフェンシートに損傷を与えず、無欠陥エッジ構造を持つグラフェンナノリボンを作製し、世界で初めて10の4乗以上の高いOn/OFF比をもつ電気特性を実現いたしました。 シリコンに代わる次世代トランジスタ材料として注目されるグラフェン(注1)ですが、シー...
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ボーズ、アラウンドイヤーヘッドホン2機種に新色ホワイトを追加し販売
ボーズ・アラウンドイヤーヘッドホン2機種に、 NEWカラー「ホワイト」が10月5日新登場 ※製品画像は、添付の関連資料を参照 ボーズは、アラウンドイヤータイプのオーディオヘッドホン「Bose(R)AE2 audio headphones」と、iPhoneやiPadなどApple製品専用のオーディオヘッドホン「Bose(R)AE2i audio headphones」に新色ホワイトがラインアップされることを発表いたします。 <独自技術による本格サウンドと快適な装着感> 「Bose(R)AE2 audio headphones」と「Bose(R)AE2i audio headp...
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千葉大と東大など、ホランダイト型酸化物が強磁性を保ったまま金属から絶縁体になるしくみを解明
強磁性を保ったまま金属から絶縁体になるしくみを解明 ―クロム4量体化とパイエルス機構― 【概 要】 千葉大学大学院・理学研究科の太田幸則(オオタ ユキノリ)教授、融合科学研究科の小西健久(コニシ タケヒサ)准教授、高エネルギー加速器研究機構(KEK)物質構造科学研究所・構造物性研究センター(CMRC)の中尾裕則(ナカオ ヒロノリ)准教授、中尾朗子(ナカオ アキコ)助教(現:一般財団法人 総合科学研究機構)、および東京大学・物性研究所の上田寛(ウエダ ユタカ)教授、礒部正彦(イソベ マサヒコ)博士の研究グループは、KEK放射光科学研究施設フォトンファクトリー(※1)を用い結晶構...
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東北大学、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェンの多機能化に成功
Si基板上へのグラフェン多機能デバイスの開発に道 <概要> 東北大学電気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(Si)基板の面方位による、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェン(GOS)の多機能化(金属性・半導体性の切り分け)に成功し、GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示しました。 現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化・集積可能性を示したことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。 1.発表内容 国立大学法人東北大学(総長井上明久)電気通信研究所(以下「東北大通研」)の吹留博一助教、末光眞希教授及び...
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ボーズ、iPhoneなどApple製品に対応したヘッドホン2モデルを発売
iPhoneなどApple製品に対応した ボーズ・ヘッドホン2モデルが、6月23日新登場 ボーズは、iPhoneやiPadなどApple製品専用設計のオーディオヘッドホン「Bose(R) AE2i audio headphones」と、Apple製品専用のマイク/リモコン付きケーブルをアクセサリーとして付属するノイズキャンセリング・ヘッドホン「QuietComfort(R) 15」を発表いたします。 「Bose(R) AE2i audio headphones」は、Apple製品専用に設計されたアラウンドイヤータイプのオーディオヘッドホンです。ボーズ永年の小型高性能スピー...