NXPセミコンダクターズ、携帯電話基地局向け高性能GaN　RFパワー・トランジスターを発表

NXP、携帯電話基地局向け高性能GaN　RFパワー・トランジスタを発表
ドハティ・アンプ向けに最適化した４つの新トランジスタ、
次世代RFパワーアンプで要求される高出力、小サイズ、高周波数を実現


　NXPセミコンダクターズN．V．は、現行／次世代の携帯電話基地局で使用されるドハティ・パワーアンプ向けに最適化した４８V窒化ガリウム（GaN）RFパワー・トランジスタの製品ラインナップを拡充したと発表しました。４つの新トランジスタは全体で１，８０５〜３，６００MHzの携帯電話周波数帯をカバーしており、高周波数と高性能を求める携帯電話事業者のニーズに対応しています。

　携帯電話のトラフィックの急激な増加に伴う無線周波数領域の不足に対応するため、携帯電話事業者は周波数を引き上げる可能性を探っています。こうした携帯電話網で求められているのが、広い信号帯域で高い性能を提供するとともに、効率、堅牢性、出力の向上とサイズの低減を可能にするRFパワー・トランジスタとアンプです。

　NXPが今回発表した４つの新しいGaNトランジスタは、特にこうした課題に対応するために開発されました。新トランジスタは高い効率とゲインを実現しているほか、堅牢性も大幅に向上しており、１０：１超のインピーダンス・ミスマッチ（VSWR）に対応できる高い定格性能を実現しています。ドハティ・パワーアンプ向けに開発されており、デジタル・プリディストーション・リニアライゼーション・システムとのシームレスな統合のために最適化されています。


■新しいトランジスタの特長：
　・A２G２２S２５１−０１S：１，８０５〜２，１７０MHz（帯域幅３６５MHz）をカバーする超広帯域対称型ドハティ２デバイス・ソリューション。対称型ドハティの平均RF出力は７１W（ピーク出力４５０W）、ゲインは１６．５dB、ドレイン効率は８dBバックオフ設定の際の並列マルチバンド動作時で４６パーセント。NI−４００S−２Sエアキャビティ・セラミック・パッケージを採用。
　・A２G２６H２８１−０４S：NI−７８０S−４Lエアキャビティ・セラミック・パッケージを採用したNXP初のパッケージ封止型ドハティ・トランジスタ。カバー周波数帯域は２，４９６〜２，６９０MHz、平均RF出力は５０W（ピーク出力２８８W）、ゲインは１５．３dB、ドレイン効率は５７パーセント。
　・A２G３５S１６０−０１S／A２G３５S２００−０１S：トランジスタを２個使用したドハティ・アンプ・ソリューション。カバー周波数帯域は３，４００〜３，６００MHz、平均RF出力は５３W（ピーク出力３３１W）、ゲインは１３．８dB、ドレイン効率は４６パーセント。２製品ともNI−４００S−２Sエアキャビティ・セラミック・パッケージを採用。

　NXPセミコンダクターズN．V．の上級副社長兼RFパワー・ビジネス・ユニット・ゼネラル・マネージャーのPaul　Hartは「携帯電話業界のお客様は、特に高周波数帯域でのGaN技術の採用の可能性を積極的に追求しています。NXPは携帯電話基地局市場をリードしており、最高品質のGaN製品の分野でも高いシェアの確保に注力しています」と述べ、さらに「NXPの新しいトランジスタはGaN本来の強みをフルに活用し、広帯域幅で高効率、小サイズのソリューションを実現します」と語りました。


■供給
　NXPは５月２３日から２６日まで米国サンフランシスコで開催されたInternational　Microwave　Symposium（IMS　２０１６、ブース番号：１８３９）に新しいGaNトランジスタを出展しました。

　NXPの新しいGaN　RFパワー・トランジスタはサンプル供給中または量産中です。最適化したリファレンス・デザインも用意しています。価格や詳細については、NXPの営業所または正規販売代理店にお問い合わせください。

　GaN技術と製品の詳細はhttp://www.nxp.com/ja/products/rf/rf-power-transistors/rf-power-gan-portfolio:RF-POWER-GAN-PORT?uc=true&lang_cd=jaをご覧ください。

　当プレスリリースは、以下のURLでご覧いただけます。
　http://media.jp.nxp.com/pressrelease/article.php?id=920&tid=pr_jp_920_Doherty_Amp_GaN_RF_Power


■NXPセミコンダクターズについて
　NXPセミコンダクターズは、よりスマートな世界を実現するセキュア・コネクションとセキュア・インフラを可能にし、人々の生活をより便利に、より良く、より安全にするソリューションを推進しています。組み込みアプリケーション向けのセキュアなコネクティビティ・ソリューションで世界をリードするNXPは、セキュアなコネクテッド・ビークル、エンド・ツー・エンドのセキュリティ／プライバシー、スマートなコネクテッド・ソリューションの市場における技術革新をけん引しています。６０年以上にわたって蓄積した経験と技術を活かし、NXPでは世界３５か国強で４万５，０００名の従業員が活動しています。２０１５年の売上高は６１億米ドルでした。詳細はWebサイトhttp://www.nxp.com/ja/（日本語）をご覧ください。

　NXPセミコンダクターズジャパンはNXPセミコンダクターズが開発および製造する車載、認証、インフラ／産業機器、コンシューマ向けのハイパフォーマンス・ミックスドシグナル製品やプロセッシング・ソリューション、高出力RFおよびスタンダード製品などを日本市場に提供しています。本社は東京都渋谷区で、大阪および名古屋に営業所があります。


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