IRジャパン、ローサイド・ゲート駆動ICをサンプル出荷開始

インターナショナル・レクティファイアー
小型パッケージの５ピンSOT−２３に封止したローサイド・ゲート駆動ICをサンプル出荷開始
〜出力を２ピンにしてパッケージの両側に配置、設計の自由度が高まる〜


　パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）株式会社（本社：東京都新宿区）は４日、小型の５ピンSOT−２３（SOT−２３−５L）パッケージに封止した駆動能力の高いローサイド（＊１）・ゲート駆動IC「IRS４４２７３L」のサンプル出荷を開始しました。

　IRS４４２７３Lは、扱いやすく、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）やMOSFETのゲート駆動のシンプルなソリューションを提供します。出力電流は、吸い込み／吐き出し共に１．５A（標準値）。高速スイッチング特性を備え、UVLO（低電圧ロックアウト）保護機能を搭載しているため、最小の実装面積で済みます。従来、８ピンSOP（SO−８）のような大きなパッケージで提供していた機能が、この新しいデバイスによって、より小型で経済的なシステム設計で実現できます。

　IRS４４２７３Lは、パッケージの両側に出力ピンを備えているため、レイアウトの柔軟性が高まり、システム設計を単純化できます。非反転入力で、CMOSやLSTTLのコントローラと互換性があります。
　IRS４４２７３Lの１万個購入時の単価は０．２５米ドルからの予定です（米国での参考価格）。欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）に準拠しています。データシートは、IRジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）から入手できます。


　・表　製品化したローサイド・ゲート駆動ICの仕様

　　※添付の関連資料を参照


＜用語説明＞
　＊１）ローサイド：大電力スイッチング回路の出力に同極性のパワーMOSFET（通常はnチャネル）を直列に接続して（トーテムポール出力）、ハーフブリッジ回路を構成した場合、上側のMOSFETをハイサイドMOSFET、下側のMOSFETをローサイドMOSFETと呼びます。ローサイドMOSFETのゲートを駆動する回路がローサイド・ゲート駆動回路です。


＜インターナショナル・レクティファイアー（IR(R)）社について＞
　IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ／デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。


＜商標に関する注意＞
　IR(R)はInternational　Rectifier　Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。


　※製品画像は添付の関連資料を参照