ローム、太陽光発電のパワーコンディショナー向け高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴ「Ｒ５０５０ＤＮＺ０Ｃ９」を開発

業界トップクラス３４ｍΩの低オン抵抗を実現
Ｓｉ深堀エッチング技術を採用したスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴの量産スタート



　半導体メーカーのローム株式会社（本社：京都市）は、太陽光発電のパワーコンディショナー向けに業界トップクラスの低オン抵抗を実現した高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴ「Ｒ５０５０ＤＮＺ０Ｃ９」（５００Ｖ／５０Ａ／ｔｙｐ，３４ｍΩｍａｘ４５ｍΩ）を開発しました。
　本製品は、放熱性の高いＴＯ２４７ＰＬＵＳパッケージを採用し、９月中旬よりサンプル出荷（サンプル価格：１０００円／個）を開始し、２０１１年１２月には量産を開始する予定です。

　省エネ機運の高まりにより再生可能エネルギーの代表として拡大を続ける太陽光発電市場。そのパワーコンディショナーにおいては、電力変換効率の改善による省電力化が進められ、より低損失を実現するパワーＭＯＳＦＥＴへの要求が高まっています。ロームでもこれまで多層エピタキシャル成長方式を用い、縦型のｐｎ接合を複数並べるスーパージャンクション構造のパワーＭＯＳＦＥＴを提供し高効率化に貢献してきました。しかし、この方式は製造工程が複雑であるため、微細化や生産性の向上が困難という課題がありました。

　今回、ロームでは縦型ｐ層を一気に形成するＳｉ深堀エッチング技術を採用し、微細化及び不純物濃度の最適化を進めることで、従来製品に比べオン抵抗を約４７％低減することに成功しました。低オン抵抗が反映されやすいコンバータ部分に最適であるほか、ローム製ファストリカバリダイオードやＳｉＣショットキーバリアダイオードなどと組み合わせればインバータへも適用可能です。電力変換時の損失を大幅に低減できるため、太陽光発電の効率向上に大きく貢献します。また、様々な回路方式に対応できる様、本技術を用いて更に高耐圧のラインアップを充実させるとともに「ＰｒｅｓｔｏＭＯＳ（ＴＭ）」シリーズへの展開を図っていきます。

　ロームでは、今後も独自の先端プロセス加工技術を活かし、お客さまのニーズを先取りするトランジスタ製品の開発を推し進めてまいります。なお本製品は、１０月４日〜８日に千葉・幕張メッセで開催される「ＣＥＡＴＥＣ　ＪＡＰＡＮ２０１１」のロームブースで展示する予定です。ぜひご来場ください。


以　上


※製品画像・『高耐圧パワーＭＯＳＦＥＴ「Ｒ５０５０ＤＮＺ０Ｃ９」の主な特長』などは、添付の関連資料を参照