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トランジスタ技術
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産総研、14nm世代以降のフィンFETに適用できる低抵抗ソース・ドレイン形成技術を開発
信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術 −高温イオン注入技術により極薄フィン部分を低抵抗化− <ポイント> ・結晶欠陥を発生させずに極薄シリコンフィン部分への不純物イオンの注入が可能 ・不純物イオンの注入によりソース・ドレインが低抵抗化し、トランジスタの性能低下を防止 ・14nm世代以降のフィンFETにおけるソース・ドレイン形成技術の課題を解決 <概要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門( http://unit.aist.go.jp/neri/ )【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 水林 亘 主任研究員、昌原...
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日立、複数の耐圧を持つ中高耐圧トランジスターを1チップ化する技術を開発
日立が複数の耐圧を持つ中高耐圧トランジスタを 1チップ化する技術を開発 株式会社日立製作所(執行役社長:中西 宏明/以下、日立)は、計測機器や医療機器、自動車の動力制御などに適用するための中高耐圧半導体集積回路の小型化、高性能化に向け、35V〜200V間の異なる耐圧を持つトランジスタを1チップ化する技術と、ゲート耐圧が300Vを超えるトランジスタの開発に成功しました。5月23日から米国カリフォルニア州サンディエゴで開催されているISPSD(International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s)2011にお...