独インフィニオン、自動車用パワーエレクトロニクスの新しいＨ−ＰＳＯＦパッケージング技術を発表

このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が１月２６日付けで発表した資料の日本語訳です。原文（英語版、ドイツ語版）は、インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載されています。


インフィニオン、自動車用パワーエレクトロニクスの革新的なＨ−ＰＳＯＦパッケージングを発表、
高電流容量および高効率性の新しいスタンダードを確立

２０１２年１月２６日、ノイビーベルク（ドイツ）

　独インフィニオンテクノロジーズ（Ｉｎｆｉｎｅｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　ＡＧ）は１月２６日、電気・ハイブリッド車など、条件の厳しい自動車用エレクトロニクスの応用に高電流容量と高効率性でお応えする革新的なパッケージ技術を発表しました。この新規ＴＯパッケージは、ＪＥＤＥＣ規格Ｈ−ＰＳＯＦ（ヒートシンク、プラスチック製小外形フラットリード、Ｈｅａｔｓｉｎｋ　Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｓｍａｌｌ　Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｆｌａｔ　ｌｅａｄ）に準拠しています。今回Ｈ−ＰＳＯＦパッケージ技術を用いた製品としてインフィニオンが最初にお届けするのは、最大３００Ａの電流容量に加え、わずか０．７６ｍΩという極小なオン抵抗の４０Ｖ　ＯｐｔｉＭＯＳ（ＴＭ）　Ｔ２　パワートランジスタです。

　高性能なパワーエレクトロニクスの構成部品は、政府規制が義務付ける高い自動車燃費効率基準と低い全般的排出量を同時に満たす必要がある自動車システムの設計者にとって、強い味方となります。これらの基準を満たすためには、導通損失を低減し、全体的効率を上げるための２００Ａを超える電流容量と１ｍΩ未満のオン抵抗を持つパワーＭＯＳＦＥＴが必要になります。しかしながら、このようなニーズを満たすＭＯＳＦＥＴは今までの自動車関連市場にはありませんでした。

　インフィニオンは、このＨ−ＰＳＯＦのパッケージの発表により、最大３００Ａの電流容量に加え、わずか０．７６ｍΩという極小のオン抵抗の４０ＶパワーＭＯＳＦＥＴを提供するという、マイルストーンを達成しました。さらに、通常この種のアプリケーションに用いられる標準的なＤ２ＰＡＫパッケージ（ＴＯ−２６３）と比較して、パッケージ全体の寸法および高さを縮小しました。Ｈ−ＰＳＯＦのパッケージのフットプリントは、従来のＤ２ＰＡＫのパッケージより約２０パーセント小さく、高さはおよそ半分です。

　独インフィニオンテクノロジーズのヨハン・ハネベック（Ｊｏｃｈｅｎ　Ｈａｎｅｂｅｃｋ）（オートモーティブ事業部プレジデント）は次のように述べています。「この度の革新的なＨ−ＰＳＯＦのパッケージ開発により、インフィニオンが自動車業界とパワーエレクトロニクス業界双方において技術的リーダーとしての地位を占め、自動車システムにおける深い専門知識を備えていることがより鮮明になりました。高電流ＭＯＳＦＥＴ用パッケージの画期的な開発により、私たちのお客様である自動車システムサプライヤー各社は、燃費と排出量の低減というニーズを満たす、エネルギー効率のよい、信頼性のある自動車アプリケーションを設計することが可能になります。」

　このＨ−ＰＳＯＦパッケージにより、自動車エレクトロニクスメーカーにとって、高電流アプリケーション市場の要求への対応がより容易になります。高電流アプリケーションには、ハイブリッド車のバッテリー管理や、電動パワーステアリング（ＥＰＳ）、アクティブオルタネーター、高効率化と低排出を可能にする他の重負荷アプリケーションが含まれます。米国市場調査会社のＳｔｒａｔｅｇｙ　Ａｎａｌｙｔｉｃｓは、アプリケーションの成長分野の例として、自動車ＥＰＳおよびスタート・ストップシステムを挙げています。２０１１年では４７００万台であったこれらのアプリケーションは、２０１６年には１億１０００万台に達し、年平均成長率はおよそ１９％になると予想されています。

　Ｈ−ＰＳＯＦパッケージ開発の主目的は、パッケージの抵抗を減らし、すでに高い電流容量を提供してきたＤ２ＰＡＫと比較しても、さらに高い電流容量を提供することです。

　さらに、Ｈ−ＰＳＯＦのパッケージには、組み立ておよび製造上の利点もあります。特別な設計が確実な半田付けのためのぬれ性を良くするほか、通常、表面実装技術（ＳＭＴ）生産ラインの一環としてある自動光学的検査（ＡＯＩ）を利用した半田付け後の端子管理も可能です。


＜供給状況＞
　Ｈ−ＰＳＯＦのパッケージを用いてお届けする最初の製品は、ＩＰＬＵ３００Ｎ０４Ｓ４−Ｒ７です。エネルギー効率、ＣＯ２削減、電気駆動を目的としたアプリケーションで標準的に使用されているインフィニオンの４０Ｖ　ＯｐｔｉＭＯＳ　Ｔ２　自動車パワートランジスタファミリーの一つとなる製品です。ＩＰＬＵ３００Ｎ０４Ｓ４−Ｒ７は、３００Ａの継続的ドレイン電流（ＩＤ）および０．７６ｍΩのオン抵抗を提供します。Ｈ−ＰＳＯＦのパッケージに用いられている各パワーデバイスは、ＡＥＣ−Ｑ１０１規格に準拠しています。今後、インフィニオンはさらにＨ−ＰＳＯＦのパッケージ技術を利用した４０Ｖおよび３０Ｖの自動車用ＭＯＳＦＥＴを発表する予定です。


＜詳細情報＞
　インフィニオンの自動車用　ＭＯＳＦＥＴおよび自動車用半導体ポートフォリオに関しての詳細は、http://www.infineon.com/automotivemosfet＜https://edit.infineon.com/cms/en/product/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab69b9ad02dd＞およびhttp://www.infineon.com/automotive＜http://www.infineon.com/cms/en/product/applications/automotive/index.html＞をご参照ください。


製品についてのお問い合わせ（読者お問い合わせ先）：
　インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
　ＴＥＬ：０３−５７４５−７１００（代表）
　Ｅ−ｍａｉｌ：sales.jp@infineon.com