三菱電機、IGBTを６素子搭載したEV・HEV向け小型パワー半導体モジュール２品種をサンプル提供

EV・HEV向け新小型パッケージパワーモジュール
自動車用パワー半導体モジュール「J１シリーズ」サンプル提供開始



　三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとしてIGBTを６素子搭載した「J１シリーズ」２品種のサンプル提供を９月３０日に開始します。
　なお、本製品は「PCIM（※１）Europe　２０１３」（５月１４〜１６日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ）に出展します。
　※１：PCIM：Power　Conversion　Intelligent　Motion

　＊製品画像１、２は添付の関連資料を参照

＜新製品の特長＞
１．６in１化により、自動車用インバーターの小型化に貢献
　・６in１化により、従来の２in１製品を３台使用した場合に比べて実装床面積（１１７．０×１１３．０mm）で約８０％に縮小し（※２）、インバーターの小型化に貢献
　※２：Jシリーズ　T−PM（※３）（２in１タイプ）「CT６００DJH０６０」（縦６４．０×横８４．０mm）３台を間隔２mmで実装した場合との比較
　※３：Transfer　molded−Power　Module：トランスファーモールド型パワー半導体モジュール

２．自動車用インバーターの低消費電力化と高信頼性に寄与
　・CSTBTTM（※４）構造を採用した第６世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を当社従来製品（※５）より約１５％低減し、低消費電力化に貢献
　・冷却フィン一体の直接水冷構造により、当社従来製品より放熱特性を４０％向上（※６）し、自動車用インバーターの小型化・高信頼化に寄与
　※４：Carrier　Stored　Trench−Gate　Bipolar　Transistor：キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
　※５：Jシリーズ　T−PM（２in１タイプ）「CT６００DJH０６０」との比較
　※６：Jシリーズ　T−PM（２in１タイプ）「CT６００DJH０６０」を放熱グリスを介してAlフィンに取り付けた場合とのチップ−冷却水間の熱抵抗比較

＜サンプル提供の概要＞

　＊添付の関連資料「表１」を参照

＜サンプル提供の狙い＞
　地球環境保護意識の高まりを受け、EV・HEVの市場が拡大しています。自動車には高い安全性が要求されるため、自動車のモーター駆動に用いるパワー半導体には一般産業用途以上の信頼性が求められます。当社は業界に先駆け、１９９７年に自動車用パワー半導体モジュールを量産開始しており、当社製品は様々なEV・HEVに搭載されています。
　当社は今回、EV・HEV向けのパワー半導体モジュールにおいて、新小型パッケージを採用した新シリーズとして「J１シリーズ」２品種のサンプル提供を開始します。これにより、さらなるEV・HEV用モーターのインバーター駆動の小型化・低消費電力化・高信頼性に貢献します。
　なお、本製品は２０１５年度に量産を開始する予定です。


＜主な仕様＞

　＊添付の関連資料「表２」を参照

＜環境への配慮について＞
　本製品はEU加盟国で２００６年７月以降に販売される電気電子機器に対し、特定有害６物質の含有を規制するRoHS（※７）指令に適合しています。
　※７：Restriction　of　the　use　of　certain　Hazardous　Substances　in　electrical　and　electronic　equipment

＜商標関連＞
　CSTBTは三菱電機株式会社の登録商標です。

＜製品担当＞
三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所
〒８１９−０１９２　福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号

＜お客様からのお問い合わせ先＞
　三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部
　〒１００−８３１０　東京都千代田区丸の内二丁目７番３号
　TEL　０３−３２１８−３２３９　FAX　０３−３２１８−２７２３
　URL　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/