パナソニック、パワーデバイス向け高耐熱半導体封止材を製品化

産業用、車載用パワーデバイスのさらなる高温での性能向上と信頼性向上に貢献
パワーデバイス向け　高耐熱半導体封止材を製品化
２０１５年１０月からサンプル対応開始

　＊製品画像などは添付の関連資料を参照

　パナソニック株式会社　オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社は、パワーデバイス［１］のさらなる高温動作に対応する業界最高（※１）の耐熱性能を実現した高耐熱半導体封止材を製品化、２０１５年１０月よりサンプル対応を開始します。

　製品名：高耐熱半導体封止材
　品番：CV８５４０シリーズ
　サンプル対応開始：２０１５年１０月
　量産開始：２０１６年１２月

　炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスや窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスは、大電流に対応し、省エネルギー化、小型・軽量化を実現するキーデバイスとして昨今、注目が高まっています。従来の１２５〜１５０℃で動作するシリコン（Si）素子に比べ、SiC素子やGaN素子は２００℃以上と高温での動作が可能であり、パワーデバイスを構成する半導体封止材をはじめとした各種材料においてさらなる高耐熱性や長期信頼性などが求められます。当社では業界最高（※１）の耐熱性能を実現し、さらに長期信頼性に優れた半導体封止材を製品化しました。産業用、車載用インバータなどに使用されるパワーデバイスのさらなる高温での性能向上と信頼性向上に貢献します。


【特長】
　１．業界最高（※１）の耐熱特性でパワーデバイスの性能向上に貢献
　　半導体封止材のガラス転移温度［２］：２１０℃　当社従来品（※２）：１７０℃〜１８０℃

　２．長期信頼性に優れ、パワーデバイスの信頼性向上に貢献
　　・冷熱サイクル試験（−４０℃から２００℃を１０００サイクル後）：剥離（※３）なし、クラック（割れ）（※４）なし
　　・高温放置試験（２００℃　３０００時間処理後）：剥離（※３）なし、クラック（割れ）（※４）なし


　※１　SiCパワーデバイスやGaNパワーデバイス用の半導体封止材として。２０１５年１０月１日現在、当社調べ。
　※２　当社従来品（品番CV４１００シリーズ）
　※３　リードフレームおよび素子と当封止材の剥離
　※４　当封止材のクラック（割れ）


【用途】
　産業や車載のインバータなどで使用されるパワーデバイス、パワーモジュールのモールド　成形用封止樹脂


　＊リリース詳細は添付の関連資料を参照


以上