東芝、高速スイッチング用途に適した車載用低オン抵抗パワーMOSFETを発売

車載用低オン抵抗パワーMOSFET/">MOSFETの新製品発売について



「高速スイッチング用途に適した、「DPAK＋」パッケージの製品を新たにラインアップ」
　当社は、車載用パワーMOSFET/">MOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した「TK１００S０４N１L」を製品化し、ラインアップに追加しました。

　新製品は、最新のトレンチMOS第８世代プロセス「U−MOS　VIII−H（ユーモス・エイト・エイチ）シリーズ」のチップと、Cu（銅）コネクタ接続構造の「DPAK＋」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるモータドライブやスイッチングレギュレータなどの用途に適している製品です。

　現在評価用のサンプルを出荷中で、３月から量産を開始する予定です。


　※製品画像は添付の関連資料を参照


　極性：Nch
　品番：TK１００S０４N１L
　ドレイン・ソース間電圧　VDSS（V）（※１）：４０
　ドレイン電流　ID（A）（※２）：１００
　シリーズ：U−MOS　VIII−H

　※１、２の正式表記は添付の関連資料を参照


＜主な特長＞

　※添付の関連資料を参照


　新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
　http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1268084_2006.html


■お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
　パワーデバイス営業推進部
　Tel：０３−３４５７−３４１６