三菱電機、AC４００V系電源のインバーターシステムに最適な高耐圧ICを発売

AC４００V系電源のインバーターシステムに最適な高耐圧IC
デサット検出機能付１２００V　HVIC　発売のお知らせ


　三菱電機株式会社は、欧州などのAC４００V系電源のインバーターシステムでIGBTなどのパワー半導体を駆動するHVIC（※１）の新製品として、業界最高水準の１２００Vの高耐圧を実現し、不飽和電圧（デサット）検出機能を搭載した「M８１７４８FP」を３月３１日に発売します。
　※１High　Voltage　Integrated　Circuit：パワー半導体素子の駆動機能と保護機能を内蔵した高耐圧集積回路

　＊製品画像は添付の関連資料を参照


［新製品の特長］
　１．デサット検出機能を搭載し、パワー半導体の電力損失の低減化に貢献
　　・１２００V高耐圧のPチャネルMOSFET（※２）の搭載により、ハイサイド／ローサイド側の双方にデサット検出機能を内蔵し、パワー半導体の熱破壊を防止
　　・ハイサイド側のパワー半導体の短絡・地絡を直接検知し、ローサイド側へ信号を伝達し、システムを遮断
　　・シャント抵抗（※３）方式による短絡保護に比べて１５０Aクラス以上の定格に適し、パワー半導体の電力損失低減に貢献
　　　※２Metal　Oxide　Semiconductor　Field　Effect　Transistor
　　　※３短絡電流を検出する抵抗器

　２．AC４００V系電源のインバーターシステムに適用可能な１２００V高耐圧を実現
　　・１２００V耐圧分割RESURF構造（※４）により、リーク電流（※５）を１０μA以下に抑制
　　・チップ表面に新たにPolyRFP（※６）を採用し、安定した高耐圧特性を実現
　　　※４Reduced　surface　field：最適なチップ表面構造により、半導体のpn接合部への電界集中を抑制
　　　※５半導体の電気的に絶縁された接合部位に流れる微弱な電流
　　　※６Polycrystalline　silicon　resistor　field　plate：
　　　　　　高電圧回路部を囲う高耐圧部の表面にポリシリコン抵抗を用いて電界分布を均一化する構造

　３．高ノイズ耐性により、インバーターシステムの信頼性向上に寄与
　　・スイッチング時のラッチアップ誤動作（※７）を抑制する埋め込み層（※８）の採用で高ノイズ耐性を実現し、システムの信頼性向上に寄与
　　　※７複数の素子が同一チップ上に形成されているため、ノイズなどにより相互に影響し合い誤動作に至る現象
　　　※８素子直下に設けられた低抵抗拡散層。素子間直下のインピーダンスを低減でき、ノイズの影響を抑制する


［発売の概要］
　製品名：デサット検出機能付HVIC
　形名：M８１７４８FP
　概要：１２００V／２．０A
　サンプル価格（税抜き）：２６０円
　発売日：３月３１日


［発売の狙い］
　省エネルギーや高性能化を目的に、家電・産業用機器に使用されるモーター駆動システムのインバーター化が進展しており、インバーターシステムでパワー半導体を駆動するHVICの需要も拡大しています。
　欧州などではAC４００V系電源のインバーターシステムが使用されており、その高電圧に適合した高品質な１２００V耐圧のHVICが求められています。
　当社は今回１２００V高耐圧のPチャネルMOSFET内蔵によるデサット検出機能を搭載し、ノイズ耐性を向上させた高品質な１２００V　HVICを発売します。
　IGBTなどのパワー半導体の熱破壊を防止するためのデサット検出機能は、シャント抵抗方式による短絡保護に比べて１５０Aクラス以上の大きな定格に適し、さらにはハイサイドの地絡保護も可能となります。
　これにより、AC４００V系電源のインバーターシステムの信頼性向上およびパワー半導体の電力損失低減に貢献します。


［主な仕様］
　形名：M８１７４８FP
　耐圧：１２００V（高圧系）／２４V（低圧系）
　出力電流：±２．０A
　ローサイド回路の消費電流：１．２mA
　ハイサイド回路の消費電流：０．７mA
　パッケージ：２４P２Q
　熱抵抗Rth（j−a）：９０℃／W
　内蔵機能：
　　５V系入力信号に対応した入力I／F
　　デサット検出による短絡、地絡保護回路
　　エラー信号出力回路（デサット検出時）
　　エラー信号入力による出力遮断回路
　　（ハイサイド、ローサイドともに遮断）
　　電源電圧低下保護回路
　　入力インターロック回路
　　（ハイサイド、ローサイドの同時オン信号入力時の短絡防止回路）
　　エラー信号自動リセット回路
　　ゲート遮断用NチャネルMOSFET　出力シンク回路（２A能力）


［環境への配慮］
　本製品はRoHS（※９）指令（２０１１／６５／EU）に準拠しています。
　※９Restriction　of　the　use　of　certain　Hazardous　Substances　in　electrical　and　electronic　equipment


［製品担当］
　三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所
　〒８１９−０１９２　福岡県福岡市西区今宿東一丁目１番１号


［お客様からのお問い合わせ先］
　三菱電機株式会社
　半導体・デバイス第一事業部
　パワーデバイス営業部
　〒１００−８３１０　東京都千代田区丸の内二丁目７番３号
　TEL　０３−３２１８−３２３９
　FAX　０３−３２１８−２７２３
　URL　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/