ローム、内蔵するパワー半導体素子を全てＳｉＣで構成したパワーモジュールの量産を開始

世界初！“フルＳｉＣ”パワーモジュールを量産開始（※１）
スイッチング損失を８５％低減し、産業機器等の電力損失を大幅に削減



＜要旨＞
　半導体メーカーのローム株式会社（本社：京都市）は、内蔵するパワー半導体素子を全てＳｉＣ（シリコンカーバイド：炭化ケイ素）で構成した“フルＳｉＣ”パワーモジュール（定格１２００Ｖ／１００Ａ）の量産を開始します。
　産業機器や太陽電池などで電力変換を担うインバータ、コンバータに組み込むことで、一般的なＳｉ（シリコン）製のＩＧＢＴモジュールに比べて、下記のような優位点があり、世界のエネルギーや資源など地球環境問題にも大きく貢献します。

　●スイッチング損失を８５％低減。
　●従来の４００ＡクラスのＳｉ−ＩＧＢＴモジュールを置き換えた場合、体積を約５０％削減
　●低損失なため熱の発生が少なく、冷却装置も小さくすることができるので、機器全体の小型化が可能

　本製品は、ローム本社工場（京都市）で３月下旬から量産・出荷する予定です。


　＊製品画像は添付の関連資料を参照


＜背景＞
　近年、産業機器や太陽電池、電気自動車、鉄道などパワーエレクトロニクスの分野では、Ｓｉデバイスよりも電力変換時の損失が少なく、材料物性に優れたＳｉＣデバイス／モジュールの実用化が切望されています。
　従来のＳｉ半導体を全てＳｉＣに置き換えた場合の省エネ効果は日本国内だけで原発４基分（※２）に相当するとの試算も出ており、各社、研究開発を強化しています。こうした中、ロームでは、２０１０年に世界に先駆けてＳｉＣ−ＳＢＤやＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴといったＳｉＣデバイスの量産に成功、業界をリードしてまいりました。
　一方、搭載されるパワーデバイスを全てＳｉからＳｉＣに変えた“フルＳｉＣ”パワーモジュールにおいては、長年世界中のメーカーで試作が進められてきましたが、信頼性の面で課題が多く、量産化には至っていませんでした。


▼発電から消費までに、送電や電力変換による多数の電力損失が発生
　日本国内の年間総発電量＝１兆ｋＷｈ（１％の電力損失でも１００億ｋＷｈのロス）

　＊参考図は添付の関連資料を参照

　モーター制御と電力変換の効率化に大きく貢献する
　ＳｉＣモジュールの量産が劇的な省エネ効果を生む


※１：ローム調べ（２０１２年３月２２日現在）
※２：エンジニアリング振興協会調べ：２０２０年時点で日本国内主要分野でＳｉＣパワーデバイスが導入された場合
　　　（１００万ｋＷ級原発１基＝８．８ＴＷｈ／年として試算）



＊以下、「新製品の詳細」などリリースの詳細は添付の関連資料を参照