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三菱電機、小型・軽量の自動車用パワー半導体モジュールのサンプル提供開始
EV・HEV用インバーターの小型・軽量・低消費電力化に貢献
自動車用パワー半導体モジュール「J シリーズ T−PM」小型パッケージ仕様
サンプル提供開始
三菱電機株式会社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュール「J シリーズ T−PM(※1)」の新製品として、小型パッケージ仕様の1品種のサンプル提供を2月19日に開始します。
※1 Transfer molded −Power Module:トランスファーモールド型パワー半導体モジュール
*製品画像は添付の関連資料を参照
■新製品の特長
1.構成部品の高集積化で小型パッケージを実現し、インバーターの小型・軽量化に貢献
・CSTBTTM(※2)構造を採用した第6世代IGBTと高放熱絶縁シートの搭載により、トランスファーモールド構造(※3)パッケージ内部の構成部品の高集積化を実現
・当社従来製品(※4)に比べて、実装面積を約36%縮小、製品重量を約42%低減した小型パッケージ仕様により、EV・HEV用インバーターの小型・軽量化に貢献
※2 Carrier Stored Trench−Gate Bipolar Transistor:キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
※3 加熱加圧した樹脂を閉鎖された金型に注入して成型する方法。一度に複数の成形が可能で、量産性と信頼性に優れる
※4 自動車用パワー半導体モジュール J シリーズ T−PM「CT300DJH060」
2.パワー半導体チップの通電損失低減により、インバーターの低消費電力化に貢献
・第6世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を当社従来製品(※4)比で約12%低減し、EV・HEV用インバーターの低消費電力化に貢献
3.自動車用途に対応した高い信頼性を確保
・当社独自のDLB構造(※5)の採用で、配線抵抗と配線インダクタンスを低減
・産業用途パワー半導体モジュールの約30倍のパワーサイクル寿命(※6)と温度サイクル寿命(※7)により高い信頼性を確保
・モジュールの素材から部品、生産履歴に至るまでトレーサビリティー管理を実施
・端子を含め完全鉛フリー化により、環境保護に配慮
※5 Direct Lead Bonding:パワー半導体チップに主端子を直接はんだで接合する内部配線構造
※6 チップに通電することで、温度を50℃から100℃の間で急激に変化させる繰り返し動作試験での寿命
※7 チップに通電せず、温度を−40℃から125℃の間で変化させる繰り返し動作試験での寿命
■新製品の概要
製品名:J シリーズ T−PM
形名:CT300DJG060
概要:300A/650V 2in1
サンプル価格(税抜き):15,000円
サンプル提供開始日:2月19日
■サンプル提供の狙い
地球環境保護への意識が高まる中、EV・HEVの市場が拡大しています。自動車は安全基準が高く、EV・HEVのインバーター駆動に用いるパワー半導体には一般産業用途以上の信頼性が求められます。当社は業界に先駆け、1997年に自動車用パワー半導体モジュールを量産開始しており、当社製品は様々なEV・HEVに搭載されています。
当社は今回、EV・HEV向けパワー半導体モジュール「J シリーズ T−PM」において、新たに小型パッケージ仕様の1品種のサンプル提供を開始します。これにより、EV・HEV用インバーターのさらなる小型・低消費電力化や高信頼性の確保に貢献します。
■主な仕様
形名:CT300DJG060
定格電圧:650V
定格電流:300A
結線方式:2in1
コレクタ・エミッタ間飽和電圧(Typ、Ic=定格電流、Tj=25℃):1.4V
外形W×D(mm):69.5×49.6
重量(g):58
■従来製品との比較
*添付の関連資料「参考資料1」を参照
■T−PM内部構造について
*添付の関連資料「参考資料2」を参照
■環境への配慮
本製品はRoHS(※8)指令(2011/65/EU)に準拠しています。
※8 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
■商標関連
CSTBTは三菱電機株式会社の登録商標です。
■お客様からのお問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部
〒100−8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
TEL 03−3218−3239 FAX 03−3218−2723
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