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格子定数
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東北大など、GaN LEDとLD用新結晶ScAlMgO4を開発
GaN LEDおよびLD用新結晶ScAlMgO4開発 直径2インチ結晶引上げと画期的な劈開加工基板で実証 <リリースの要旨> GaNを主材料とする窒化物半導体からなる青色発光ダイオード(LED)及びブルーレイ用レーザの高性能化に向けた格子不整の小さい新しい基板ScAlMgO4(以降、SCAMと呼ぶ)とその適用性を確認しました。 (1)GaNとの間の格子不整が従来のサファイア基板に較べて1/10となる新しい単結晶SCAMの成長技術開発 (2)従来の単結晶基板の作製時に必要であった切断と研磨を用いることなく、劈開によって基板を作成 (3)LED構造の作製に用いられている有機金属気相成長装置(MOVPE)を用いてSCAM基板上にGaNを成長し、SCAM基板...
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シャープ、集光型化合物3接合太陽電池セルで変換効率44.4%を達成
集光型化合物3接合太陽電池セルで記録を更新 集光型太陽電池セルで世界最高変換効率(※1)44.4%(※2)を達成 シャープは、レンズで集光した太陽光を電気に変換する集光型化合物3接合太陽電池セルで、世界最高変換効率(※1)44.4%(※2)を達成しました。 本件は、NEDO(※3)の「革新的太陽光発電技術研究開発」プロジェクトの一環として開発に取り組んだ結果、ドイツのフラウンホーファー太陽エネルギーシステム研究所(※4)において、集光型太陽電池セルとして世界最高変換効率の測定結果が確認されたものです。 一般的に、化合物系の太陽電池セルは、インジウムやガリウムなど複数の元素からな...