住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径ＧａＮ基板の製造に成功

住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径ＧａＮ基板の製造に成功
４インチ径及び６インチ径量産ラインの整備を開始


　住友電気工業株式会社（本社：大阪市、社長：松本正義　以下、住友電工）とＳ．Ｏ．Ｉ．　ＴＥＣ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ　Ｓ．Ａ．（本社：フランス　パリ市、ＣＥＯ：Ａｎｄｒｅ　−　Ｊａｃｑｕｅｓ　Ａｕｂｅｒｔｏｎ−Ｈｅｒｖｅ　（アンドレ・ジャック・　オベルトン・アルベ）、以下、Ｓｏｉｔｅｃ　）は、４インチ径及び６インチ径の薄膜ＧａＮ（窒化ガリウム）基板の製造に成功し、このたび量産に向けたパイロット製造ラインの整備を開始しました。

　住友電工とＳｏｉｔｅｃは、２０１０年１２月に、薄膜ＧａＮ基板の開発に関して協業を開始し、住友電工の高品質自立ＧａＮ基板製造技術と、Ｓｍａｒｔ　Ｃｕｔ技術で業界をリードするＳｏｉｔｅｃの半導体極薄膜の剥離・転写技術を組み合わせ、大口径自立ＧａＮ基板から複数枚の薄膜ＧａＮ基板を製造する技術について、共同で開発を進めてきたものです。


　本技術開発の成功により、両社は、それぞれ兵庫県伊丹市と仏Ｂｅｒｎｉｎ市に、４インチ径及び６インチ径の薄膜ＧａＮ基板パイロット製造ラインの整備に着手しました。製造ラインの整備により、お客様の基板需要に対して迅速な対応が可能となります。


　本協業では、住友電工が日本で製造した自立ＧａＮ基板に、ＳｏｉｔｅｃがフランスでＳｍａｒｔ　Ｃｕｔ技術を適用して、薄膜ＧａＮ基板を製造します。薄膜ＧａＮ基板は、高性能の半導体デバイスが求める低欠陥密度の特性を維持したＧａＮ薄膜が、ＧａＮと熱膨張係数の一致した低コスト支持基板に貼り付けられています。そのため、１枚の自立ＧａＮ基板に比べ、安価かつ同等の特性を有する薄膜ＧａＮ基板を得ることができます。
　照明用の高輝度ＬＥＤや、電気自動車用や電力制御用のパワーデバイスなどの幅広い市場へむけて、ＧａＮ基板の本格的な普及が始まると期待しています。

　住友電工の半導体事業部長の三浦祥紀　は、「今回、大口径ＧａＮ基板において薄膜剥離・転写技術の有効性を証明したことで、この薄膜ＧａＮ基板の低コスト量産の可能性が開けたと考えている。今後、拡大を続けている高輝度白色ＬＥＤやパワーデバイスの市場の要求に応えるために、Ｓｏｉｔｅｃ社との協業をより実のあるものとすべく引き続き努力できることを喜ばしく思っている。」と述べています。


　Ｓｏｉｔｅｃ　副社長のＦｒｅｄｅｒｉｃ　Ｄｕｐｏｎｔ　は、「今回の協業における４インチ径及び６インチ径の新型ＧａＮ基板の実験成功は、住友電工とＳｏｉｔｅｃ両社の類い希なる革新性がもたらした結果です。私達の開発している新型基板は、斬新かつ先進的な機能をもたらす新たな材料の世界を切り開く第一歩となるでしょう。」と述べています。


以　上


■Ｓｏｉｔｅｃグループについて
　Ｓｏｉｔｅｃグループはエネルギーとエレクトロニクス業界において、革新的半導体材料の製造をリードする世界的企業です。主要製品としてＳＯＩ基板（　Ｓｉｌｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ），　ＣＰＶ（集光型太陽電池）システム、またＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ・Ｓｍａｒｔ−Ｓｔａｃｋｉｎｇ・Ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｘ等のコア技術を有しています。その応用例は、携帯電話・情報通信・自動車・照明、さらには大型太陽電池ファームにまで広がっています。Ｓｏｉｔｅｃグループは、フランス・シンガポール・ドイツ・アメリカに工場及び研究所を持っています。
　Ｓｏｉｔｅｃグループに関する情報は、http://www.soitec.comにて入手できます。


　・Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ、Ｓｍａｒｔ−Ｓｔａｃｋｉｎｇ、Ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｘは、Ｓｏｉｔｅｃグループの登録商標または商標です。