三菱電機、「IGBTモジュールTシリーズ」の１．７kVクラス１７品種のサンプル提供開始

１．７kVクラス１７品種の追加で多様な産業用機器の低消費電力化や高信頼性に貢献
第７世代IGBT搭載「IGBTモジュールTシリーズ」ラインアップ拡大


　三菱電機株式会社は、汎用インバーター・無停電電源装置（UPS）・風力／太陽光発電などの産業用機器の低消費電力化や高信頼性を実現するパワー半導体モジュールの新製品として、第７世代IGBTを搭載した「IGBTモジュールTシリーズ」の１．７kVクラス１７品種のサンプル提供を９月３０日から順次開始します。
　なお、本製品は「TECHNO−FRONTIER２０１６　第３４回モータ技術展」（４月２０日〜２２日、於：幕張メッセ）、「PCIM（※１）−Europe　２０１６」（５月１０日〜１２日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）、「PCIM−Asia　２０１６」（６月２８日〜３０日、於：中華人民共和国・上海）に出展します。

　※１　PCIM：Power　Conversion　Intelligent　Motion

　＊参考画像は添付の関連資料を参照


■新製品の特長
　１．　１．７kVクラス１７品種の追加により、インバーターの幅広い容量帯に対応
　　・NXタイプ２種類（はんだピンパッケージとプレスフィットピンパッケージ）で１．７kV／１００A〜６００A品の１２品種、スタンダード（std）タイプで１．７kV／７５A〜３００A品の計５品種を追加
　　・太陽光発電システムに使用されるAC６９０V・DC１０００Vやインバーターの幅広い容量帯に対応

　２．　第７世代IGBTとダイオード搭載により電力損失を低減
　　・１．７kVクラス対応のCSTBTTM（※２）構造を採用した第７世代IGBTを開発し、電力損失とノイズを低減
　　・新開発の裏面拡散層形成技術を用いたRFCダイオード（※３）の搭載により、電力損失を低減するとともにリカバリー時の急な電圧の立ち上がりを抑制

　※２　キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
　※３　Relaxed　Field　of　Cathode　Diode：カソード側に部分的にP層を追加、リカバリー時にホールを注入しリカバリー波形をソフトにすることで急な電圧の立ち上がりを抑制できるダイオード

　３．　パッケージの内部構造の改善により産業用機器の高信頼性に貢献
　　・業界標準パッケージへの適応を維持しつつ、内部構造を改善
　　・絶縁部と銅ベース部が一体化された基板を採用し、内部電極構造の改善などを行うことにより、サーマルサイクル寿命（※４）の向上や内部インダクタンスの低減などを実現し、高信頼性に貢献
　　・NXタイプ２種類、スタンダードタイプ１種類の３種類をラインアップ

　※４　比較的長時間の温度サイクルでケース温度を変化させた場合の寿命


　＊リリース詳細は添付の関連資料を参照


■商標関連
　CSTBTは三菱電機株式会社の登録商標です


◆お客様からのお問い合わせ先
　三菱電機株式会社　半導体・デバイス第一事業部　パワーデバイス営業部
　〒１００−８３１０　東京都千代田区丸の内二丁目７番３号
　TEL　０３−３２１８−３２３９
　FAX　０３−３２１８−２７２３
　URL　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/