Pickup keyword
ガリウム
-
アバールデータ、950nmから2550nmに感度を持つInGaAs短波長赤外ラインセンサーカメラを発売
950nmから2550nmに感度を持つ InGaAs短波長赤外ラインセンサカメラを開発 株式会社アバールデータ(以下アバール、代表:広光 勲、本社:東京都町田市旭町1−25−10、URL: http://www.avaldata.co.jp 、E−Mail:sales@avaldata.co.jp)は、950nmから2550nmに感度を持つInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)ラインセンサを使用した近赤外線カメラ「ABL−005WIR」を開発し、2016年9月7日より発売開始する。 近赤外線は物質への吸収が極めて小さい為、吸収された度合い(吸光度)の変化によって成分を算出することができ、非破壊・非接触での測定や検査が可能。近赤外線自体、安全性も高いため、農産物や食品、医薬品...
-
三菱電機、「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT」のサンプル提供開始
ラインアップ拡大により移動通信システム基地局の多様なニーズに対応 「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT」 ラインアップ拡大のお知らせ 三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス(※1)の高出力・高効率を実現した「3.5GHz帯第4世代移動通信システム基地局用 GaN HEMT(※2)」4品種(マクロセル基地局用・スモールセル基地局用各2品種)のサンプル提供を2016年2月1日から順次開始します。 ※1 2015年12月22日時点、当社調べ ※2 Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用...
-
東北大など、液体金属流から電気エネルギーを取り出せることを解明
液体金属流から電気エネルギーを取り出せることを解明 〜電子の自転運動を利用した新しい発電へ〜 ■ポイント >電子の自転運動と液体金属の渦運動が量子力学的に相互作用することを世界で初めて証明した。 >電子の自転運動が液体金属流に応じて変化する性質を使った全く新しい発電方法を発見した。 >発電装置を超小型化し、ナノサイズの電源技術や流体速度計への応用が期待される。 JST戦略的創造研究推進事業において、ERATO齊藤スピン量子整流プロジェクトの東北大学 大学院理学研究科の高橋 遼(大学院生、兼 日本原子力研究開発機構 先端基礎研究センター 実習生)、日本原子力研究開発機構 先端基礎研究セ...
-
産業用、車載用パワーデバイスのさらなる高温での性能向上と信頼性向上に貢献 パワーデバイス向け 高耐熱半導体封止材を製品化 2015年10月からサンプル対応開始 *製品画像などは添付の関連資料を参照 パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、パワーデバイス[1]のさらなる高温動作に対応する業界最高(※1)の耐熱性能を実現した高耐熱半導体封止材を製品化、2015年10月よりサンプル対応を開始します。 製品名:高耐熱半導体封止材 品番:CV8540シリーズ サンプル対応開始:2015年10月 量産開始:2016年12月 炭化ケイ素(SiC)パワーデバイ...
-
東北大、超低損傷・中性粒子ビーム技術で高品質AlOx/GeOx/Geゲートスタック構造を作製
超低損傷・低温中性粒子ビーム酸化プロセス技術による 高品質AlOx/GeOx/Geゲートスタック構造の実現 【概要】 東北大学原子分子材料科学高等研究機構(AIMR)および流体科学研究所(IFS)の寒川誠二教授のグループは、独自技術である超低損傷・中性粒子ビーム技術を用いて「界面準位(*1)が10 11cm-2eV-1以下の高品質な界面を持ったAlOx/GeOx/Geゲートスタック構造」を作製することに成功しました。 半導体産業においては世界的な競争のもと、新材料の導入や微細化研究が盛んです。特にMOSトランジスタは半導体産業の最大の牽引車であり、国際競争を勝ち抜くために、その高性能化の研究は極めて重要です。集積回路の高性能化に...
-
東工大など、液体金属ナノ粒子のサイズを繰り返し変えられるプロセスを開発
液体金属ナノ粒子のサイズを繰り返し変えられるプロセスを開発 〜光を操る新材料の開発に期待〜 ■ポイント ・液体金属であるガリウムナノ粒子のサイズを繰り返し変えられるプロセスを開発した。 ・液体ガリウムナノ粒子のサイズ変化に応じて表面プラズモン共鳴吸収を制御できた。 ・用途に応じて自由に物性を制御できるプラズモニック材料の開発が期待される。 JST戦略的創造研究推進事業において、東京工業大学の山口 章久 特任助教と彌田 智一 教授らは、液体金属(注1)であるガリウム(注2)ナノ粒子のサイズを可逆的に変化させるプロセスを開発し、金属ナノ構造体が光と相互作用して、その光を吸収する「...
-
アナログ・デバイセズ、周波数範囲2−50GHzをカバーする分布型パワーアンプ2機種を発表
アナログ・デバイセズ、分布型パワーアンプ「HMC1127」と「HMC1126」を発表 周波数範囲2−50GHzをカバーし、 計測器およびマイクロ波無線アプリケーションを簡素化 アナログ・デバイセズ社(NASDAQ:ADI)は、本日、MMIC(モノリシック・マイクロ波集積回路)分布型パワーアンプ「HMC1127」と「HMC1126」を発表しました。これらの新しいパワーアンプはダイで提供され、2−50GHzの周波数範囲をカバーし、周波数帯域間の(切替え用)RFスイッチを不要にします。これによりシステム設計を簡素化し、性能を改善します。各アンプは、50オームに内部マッチングされたI/Oを集積しており、マルチチップ・モジュールへ...
-
アナログ・デバイセズ、9kHzから13GHz周波数帯向けシリコン製SPDTスイッチを発表
アナログ・デバイセズ、シリコン製SPDTスイッチ「HMC1118LP3DE」を発表 厳しい要件が求められる試験測定アプリケーション向けに高速セトリング時間特性を提供 アナログ・デバイセズ社(NASDAQ:ADI)は、本日、9kHzから13GHz周波数帯向け動作仕様のシリコン製SPDT(単極双投)スイッチ「HMC1118LP3DE」を発表しました。この新しいSPDTスイッチは、8GHz動作で48dBという高いアイソレーションと0.6dBという低い挿入損失が特長です。HMC1118LP3DEは、アナログ・デバイセズのRFおよびマイクロ波コントロール製品ポートフォリオの第一弾となる製品です。シリコン・プロセス技術固有の優位性を発揮することにより、従来のGaAs...
-
サファイア基板事業からの撤退について 住友金属鉱山株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長 中里佳明)は、このたびサファイア基板事業から撤退することを決定しました。なお、量産を手掛ける大口電子株式会社の設備等は、新たに増強を決定したタンタル酸リチウム基板およびニオブ酸リチウム基板(以下、LT/LN基板)の生産に転用します。 サファイア基板は、白色・青色LEDに用いられる窒化ガリウム層を成長させる基板として使用されます。近年のLED照明の普及に伴うサファイア基板の需要の急速な拡大に対応するため、当社は100%子会社である大口電子株式会社(鹿児島県伊佐市、代表取締役社長 柳沼希世史)に...
-
東芝ライテック、コンパクトなLED電球ハロゲン電球形「調光器対応モデル」を発売
LED電球ハロゲン電球形「調光器対応モデル」の発売について 新設計電源回路搭載により白熱電球用調光器(二線式位相制御調光器)に対応 東芝ライテック株式会社は、世界で初めて(注1)GaN(注2)パワーデバイスを搭載したLED電球ハロゲン電球形を製品化。電源回路の小形化を実現することにより、コンパクトサイズと優れた調光性能(注3)を両立した「調光器対応モデル」(2機種)として、3月6日から発売します。 なお、本製品は、3月3日から6日まで東京国際展示場(東京ビッグサイト)で開催される「ライティング・フェア2015(第12回国際照明総合展)」に出展します。 注1 照明製品において、当社調べ...
-
安川電機、GaNパワー半導体モジュール搭載の太陽光発電用パワーコンディショナーを販売
世界初!GaN(窒化ガリウム)パワー半導体モジュール搭載の 太陽光発電用パワーコンディショナ「Enewell−SOL V1シリーズ4.5kW」を 販売開始 −クラス世界最小サイズを実現、より快適な住環境へ貢献します− 株式会社安川電機(代表取締役会長兼社長 津田 純嗣)は、世界で初めてGaN(窒化ガリウム)パワー半導体モジュールを搭載し、このクラスでは世界最小を実現した住宅用屋内設置型パワーコンディショナ(200V単相 4.5kW)の販売を開始いたします。 ※製品画像は添付の関連資料を参照 1.製品化の狙い 当社は、中期経営計画「Realize100」における新規事業の柱として「環境・エネルギー」事業領域の取組み...
-
三菱マテリアル、次世代パワーモジュール用高性能絶縁回路基板「Ag焼成膜付きDBA基板」を開発
次世代パワーモジュール用高性能絶縁回路基板「Ag焼成膜付きDBA基板」を開発 三菱マテリアル株式会社(取締役社長:矢尾 宏、資本金:1,194億円)は、ハイブリッド(HV)自動車向けなどの電源制御用のインバータなどに今後採用が期待されている高温半導体素子搭載用の絶縁回路基板として、アルミニウム(Al)回路上に銀(Ag)の焼成膜を直接形成した、次世代パワーモジュール用の高性能絶縁回路基板「Ag焼成膜付きDBA(Direct Bonded Aluminum)基板」を開発しましたのでお知らせいたします。 【開発の背景、理由】 HV自動車向けなどの高出力モータ電源制御用インバータでは、直流・交流電力の変換時に発生する発熱に対応し...
-
東大、極低消費電力回路を実現できるトンネル電流利用の新トランジスタを開発
極低消費電力回路を実現できるトンネル電流を利用した新トランジスタを開発 1.発表者: 高木信一(東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻 教授) 竹中充(東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授) 2.発表のポイント: ◆従来のトランジスタと比べ極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。 ◆亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、これまでのトランジスタとほぼ同等の構造のままで、高い性能をもつトンネル電流トランジスタを実現した。 ◆従来のトランジスタでは実現できない0.3V以下の低電圧で動作する集積回路への道を...
-
UKCホールディングス、米社とGaNパワー半導体の販売などで資本・業務提携
米国Transphorm社との資本提携、業務提携に関するお知らせ 当社は、下記の通り、米国カリフォルニア州のTransphorm,Inc.(以下、トランスフォーム社という)と資本提携を行いましたので、お知らせいたします。また、同社と仕入・販売に関する業務提携も開始しましたので、併せてお知らせいたします。 記 1.資本提携、業務提携の理由 トランスフォーム社は、次世代パワーデバイスと呼ばれる窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の開発、製造、販売を行っております。GaN製のパワー半導体は、SiC(炭化ケイ素)製とともに、現行のSi製と比較して、電力損失を大幅に低減するとともに、コストの削減にもつながる機器の小型化にも貢献...
-
三菱電機、衛星放送などの受信モジュール向け低雑音増幅器用高周波デバイスを発売
衛星放送の受信モジュールの生産性と性能を同時に改善 三菱電機Ku帯低雑音GaAs HEMT「MGF4937AM」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、衛星放送の受信機や超小型衛星通信地球局の受信モジュールに用いる低雑音増幅器用高周波デバイスの新製品として、GaAs(※1)HEMT(※2)「MGF4937AM」(雑音指数0.37dB)を12月20日に発売します。フルモールド構造パッケージで世界最高レベル(※3)の低雑音特性を実現し、受信モジュールの生産性向上と高性能化の両立に貢献します。 なお、本製品は「マイクロウェーブ展2013」(11月27〜29日、於:パシフィコ横浜)に出展します。 ※1:ガリウム・ヒ素 ※2...
-
富士通など、ミリ波帯大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信IC技術を開発
ミリ波(240GHz)帯大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信IC技術を開発 従来比10倍の高感度化に成功し、スマートフォンなどで大容量データ受信が視野に 富士通株式会社と株式会社富士通研究所(注1)は、ミリ波(注2)帯である240ギガヘルツ(以下、GHz)帯を使用した大容量ギガビット無線通信機に向けた高感度受信ICチップを開発しました。 240GHz帯は、一般の携帯端末で扱う周波数(0.8〜2GHz帯)に比べて電波を使用できる周波数幅が広く(100倍以上)、通信容量を100倍に高めることが期待されていますが、その実現には空間を伝搬する微弱な信号を受信する高い増幅率をもつ増幅器が必要にな...
-
富士通など、車載レーダーなどのミリ波送受信機用の低雑音な信号生成回路技術を開発
車載レーダーなど、ミリ波送受信機用の低雑音な信号生成回路技術を開発 雑音を従来の1/3に低減し、シリコン半導体を用いたミリ波無線通信端末の実用化に目途 富士通株式会社と株式会社富士通研究所(注1)は、車載レーダー(注2)などのミリ波(注3)送受信機へ適用可能な、低雑音な信号生成回路(注4)を開発しました。 近年、レーダーの高解像度化や無線通信の大容量化に向けて、周波数が数十ギガヘルツ(GHz)以上のミリ波を用いた送受信機の開発が進められています。ミリ波送受信機を高機能化・量産化するためには、従来用いられている化合物半導体(注5)に代わりシリコン半導体で実現する必要がありますが...
-
古河機械金属、魚用放射線測定器の試験運用を岩手・宮古市魚市場で開始
魚用放射線測定器『GAMMASPOTTER−F』の試験運用開始について −マダラを対象魚として岩手県宮古市魚市場でスタート− 当社(社長:宮川 尚久)は、魚用非破壊放射線測定器『GAMMASPOTTER−F(ガンマスポッターF)』を開発し、マダラを対象魚とした試験運用を岩手県宮古市魚市場にて開始しました。 魚用非破壊放射線測定器『GAMMASPOTTER−F』は、当社が開発した高密度シンチレータ結晶であるGAGG(ガドリニウム・アルミニウム・ガリウム・ガーネット)結晶を用いた放射線検出器を搭載しており、魚の放射線量を非破壊で測定することができます。 測定方法は、上下に4個ずつGAGG結晶を配置した放射線検出器の間をベルトコンベアで対象...
-
NICTなど、酸化ガリウムを用いた実用性に優れたMOSトランジスタを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)MOSトランジスタ”を世界で初めて実現! 〜日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:坂内正夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)を用いた実用性に優れたMOSトランジスタ(*3)の開発に世界に先駆けて成功しました。 Ga2O3は、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途の新しい半導体材料として非常に有望です。また、酸化ガ...
-
シャープ、集光型化合物3接合太陽電池セルで変換効率44.4%を達成
集光型化合物3接合太陽電池セルで記録を更新 集光型太陽電池セルで世界最高変換効率(※1)44.4%(※2)を達成 シャープは、レンズで集光した太陽光を電気に変換する集光型化合物3接合太陽電池セルで、世界最高変換効率(※1)44.4%(※2)を達成しました。 本件は、NEDO(※3)の「革新的太陽光発電技術研究開発」プロジェクトの一環として開発に取り組んだ結果、ドイツのフラウンホーファー太陽エネルギーシステム研究所(※4)において、集光型太陽電池セルとして世界最高変換効率の測定結果が確認されたものです。 一般的に、化合物系の太陽電池セルは、インジウムやガリウムなど複数の元素からな...
-
富士通研究所、小型・高出力なミリ波帯送受信モジュール技術を開発
窒化ガリウムHEMTを用いた小型・高出力なミリ波帯送受信モジュール技術を開発 複数チップを1つのパッケージに統合し、レーダー機器や無線通信機器の小型化に貢献 株式会社富士通研究所(注1)は、窒化ガリウム(GaN)(注2)高電子移動度トランジスタ(HEMT)(注3)を用いて、ミリ波帯(注4)まで適用可能な、10ワット(以下、W)出力の送受信モジュール技術を開発しました。 従来、ミリ波帯に対応した高出力のモジュールを実現するには、発熱を逃がすために部品ごとにパッケージ化してモジュールを構成する必要があるため小型化が難しく、また、高周波化に伴いモジュール内の端子接続部での損失が増大するため、ミ...
-
東芝、米国LED照明機器メーカーの白色LEDチップ開発に関する資産を買収
米国のLED照明機器メーカーの白色LEDチップ開発に関する資産を買収 当社グループは、白色LED事業を強化するために、LED照明機器メーカーである米・ブリッジラックス社と同社の白色LEDチップ開発に関する資産を買収する契約を締結しました。 当社とブリッジラックス社はGaN-on-Silicon技術注1を使用した白色LEDチップを共同開発しており、2012年12月には当社から照明用の白色LEDランプを発売しました。今後さらに事業展開を強化するため、当社グループはブリッジラックス社の白色LEDチップ関連の技術を含む資産を買収するとともに、その研究開発部門の従業員を雇用します。 今回の買収により、...
-
シャープ、電気製品の省エネ化に貢献する窒化ガリウムパワートランジスタを開発
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス(※1)市場に参入、電気製品の省エネ化に貢献 定格電圧600V パワートランジスタ(※2)を開発 シャープは、電気製品の省エネ化に貢献する定格電圧600Vの窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを開発し、4月15日よりサンプル出荷を開始します。本年中に福山工場の6インチラインで生産開始を目指します。 パワートランジスタは、電力を変換する電源回路(※3)やインバータ回路(※4)に組み込まれるキーデバイスです。電気製品の更なる省エネ化に向け、通電時の抵抗など物性の理論限界値に到達しつつあるシリコン(Si)に代わって、新材料を採用したパワートランジスタの...
-
北陸先端大、高効率スピン注入実験とスピンデバイス用新構造作成に成功
半導体スピン工学デバイス研究に大きな進展 −超省エネルギー電子デバイスの実現を目指した2つの成果− 北陸先端科学技術大学院大学(学長・片山 卓也、石川県能美市)マテリアルサイエンス研究科博士後期課程の日高 志郎(山田研究室所属)とナノマテリアルテクノロジーセンター赤堀 誠志 助教らは、ガリウムヒ素(GaAs)系化合物半導体を用いるスピン工学デバイスの開発研究において、スピン軌道相互作用を利用するスピントランジスタの実現に大きく近づく高効率スピン注入実験と、全く新しい半導体スピン工学デバイスの基礎となる新構造の作製に成功した。 【高効率スピン注入実験の成功】 スピン軌道相互作用を...
-
シャープ、化合物3接合型太陽電池セルで変換効率37.7%を達成
化合物3接合型太陽電池セルで記録を更新 太陽電池セルで世界最高変換効率(※1)37.7%(※2)を達成 *製品画像は添付の関連資料を参照 シャープは、3つの光吸収層を積み重ねた化合物3接合型太陽電池セルで、世界最高変換効率(※1)となる37.7%(※2)を達成しました。 本件は、NEDO(※3)の「革新的太陽光発電技術研究開発」テーマの一環として開発に取り組んだ結果、産業技術総合研究所(AIST)において、世界最高変換効率(※1)を更新する測定結果が確認されたものです。 化合物太陽電池セルは、インジウムやガリウムなど、2種類以上の元素からなる化合物を材料とした光吸収層を持つ変換効...
-
ホンダ子会社、最大出力140Wの住宅用太陽電池モジュールを発売
ホンダソルテックが最大出力140Wの住宅用太陽電池モジュールを発売 「PVJapan 2012」に出展 Hondaの子会社で、太陽電池の製造・販売を手がける(株)ホンダソルテック(本社:熊本県 社長:今井 彰)は、最大出力140Wの住宅用太陽電池モジュールを2012年12月5日より販売するとともに、太陽光発電に関する総合イベントである「PVJapan 2012」(会期:2012年12月5〜7日 会場:幕張メッセ 共同主催:太陽光発電協会、SEMI)に出展します。 最大出力140Wの住宅用太陽電池モジュールは、生産技術の進化により光発電層の結晶品質を向上させるとともに、サブモジュールパターンの設計を見直し、...
-
安川電機、GaNパワー半導体モジュール搭載の次世代パワーコンディショナを開発
世界初のGaN搭載パワーコンディショナを開発 −設置面積2分の1で、効率98%以上を達成− 株式会社安川電機(代表取締役社長 津田 純嗣)は、世界で初めてGaN(窒化ガリウム)パワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナを開発し、当社現製品との設置面積比2分の1の小形化と、業界最高レベルの変換効率98%以上を達成しました。 ※製品画像は添付の関連資料を参照 1.開発のねらい 国内外における自然エネルギー利用やスマートグリッド構築のニーズの高まりから、パワーコンディショナの需要は、今後ますます拡大していくと予測されています。当社は、2010年の太陽光発電用...
-
昭和電工、窒化ガリウム系LED製造事業を会社分割しTSオプトへ承継
当社窒化ガリウム系LED製造事業の会社分割による事業承継のお知らせ 当社は、平成24年10月23日開催の当社取締役会において、当社の窒化ガリウム系LEDエピタキシャルウェハー及びチップの製造事業を、会社分割(吸収分割、以下「本吸収分割」)により当社100%子会社であるTSオプト株式会社(以下「TSオプト」)へ承継させることを決議し、同日、TSオプトとの間で吸収分割契約を締結いたしました。 なお、本吸収分割は、当社と100%子会社との間で行う簡易吸収分割となるため、開示事項・内容を一部省略しております。 記 1.会社分割の目的 窒化ガリウム系LEDは液晶テレビやノートパソコ...
-
シャープなど、ディスプレーを高精細・省電力化する酸化物半導体の新技術を共同開発
シャープと半導体エネルギー研究所が ディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 シャープ株式会社(本社:大阪市阿倍野区、社長:奥田 隆司)と株式会社半導体エネルギー研究所(本社:神奈川県厚木市、社長:山崎 舜平*)は、高い結晶性を有する、酸化物半導体(IGZO)の新技術を共同開発しました。これにより、スマートフォンなどモバイル機器向けの液晶ディスプレイのより一層の高精細化や低消費電力化、タッチパネルの高性能化の実現が可能です。本内容の詳細は、6月5日から開催されるディスプレイの国際学会「The Society for Information Display(SID...
-
超高輝度LED光源用窒化ガリウムウエハーを開発 日本ガイシ株式会社(社長:加藤太郎、本社:名古屋市)はこのほど、LED(発光ダイオード)光源の発光効率をこれまでの2倍に高める高品質な窒化ガリウム(GaN)ウエハーの開発に成功しました。 今回開発したGaNウエハーは、当社独自の単結晶育成技術である液相成長法を用いることで、ウエハー全面にわたる低欠陥密度と無色透明の両立を実現しています。 社外の研究機関の協力を得て、当社GaNウエハー上にLED素子を作製し、発光性能試験を実施した結果、世界トップレベルの約90%の内部量子効率(※)(注入電流200mA時)を達成しました。市...
-
三菱電機、14GHz帯で出力100WのGaN HEMT増幅器を開発
衛星通信地球局設備の小型・軽量化に寄与 14GHz帯で世界最高の出力100W GaN HEMT増幅器を開発 三菱電機株式会社はKu帯(※1)衛星通信に使用される14GHz帯で世界最高(※2)の100Wの出力電力が得られるGaN(※3)HEMT(※4)増幅器を開発しました。今回の開発により、衛星通信地球局(※5)などに使用される電力増幅器の小型・軽量化が可能になります。 ※1 周波数12.4GHz〜18GHzのマイクロ波。 ※2 2012年4月25日現在、当社調べ。 ※3 Gallium Nitride:窒化ガリウム。 ※4 High Electron Mobility ...
-
住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径GaN基板の製造に成功
住友電工と仏ソイテック社、低コスト大口径GaN基板の製造に成功 4インチ径及び6インチ径量産ラインの整備を開始 住友電気工業株式会社(本社:大阪市、社長:松本正義 以下、住友電工)とS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.(本社:フランス パリ市、CEO:Andre − Jacques Auberton−Herve (アンドレ・ジャック・ オベルトン・アルベ)、以下、Soitec )は、4インチ径及び6インチ径の薄膜GaN(窒化ガリウム)基板の製造に成功し、このたび量産に向けたパイロット製造ラインの整備を開始しました...
-
NICTなど、酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスターを開発
“酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ”を世界で初めて実現! 〜省エネルギー問題の解決に向けた“次世代パワーデバイス”候補に名乗り〜 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:宮原 秀夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村 直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島 康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体(*1)材料である酸化ガリウム(Ga2O3)(*2)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスタ(FET)(*3)を開発し、その世界初の動作実証に成功しました。 酸化ガリウムは、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス(*4)用途...
-
住友金属鉱山、サファイア大型基板の事業化で子会社に量産ラインを設置
サファイア大型基板の事業化について 住友金属鉱山株式会社(本社:東京都港区、代表取締役社長 家守伸正)は、このたびサファイア大型基板の事業化に着手することとし、鹿児島県伊佐市にある当社の100%子会社である大口電子株式会社に量産ラインを設置することを決定しました。 サファイア基板は、白色・青色LED用の窒化ガリウムを成長させる基板として使用されます。白色LEDは、大型液晶テレビのバックライト向けの需要等に加え、省エネルギー・環境負荷低減効果が大きいことから、近年一般照明市場での需要も急拡大しています。これに伴いサファイア基板市場も今後更なる成長が見込まれます。 当社は以...
-
三菱電機、高出力100Wを実現した「衛星通信用C帯100W GaN HEMT」を発売
衛星通信のC帯で業界最高の出力100Wを実現 「衛星通信用C帯100W GaN HEMT」発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、C帯(※1)衛星通信の地球局(※2)に使用される電力増幅器用「GaN(※3) HEMT(※4)」の新製品として、業界最高出力(※5)の100Wおよび出力50Wの2機種のサンプル出荷を2012年1月10日に開始します。 ※1:周波数4GHz〜8GHzのマイクロ波 ※2:衛星通信で地上に設置された基地局 ※3:Gallium Nitride:窒化ガリウム ※4:High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ ※5:...
-
東大とNTTなど、微小磁石を用いて2スピン量子ビット演算素子の開発に成功
微小磁石を用いて2スピン量子ビット演算素子の開発に成功 (電子スピンを使った量子もつれ制御に新展開) JST 課題達成型基礎研究の一環として、東京大学 大学院工学系研究科の樽茶 清悟 教授のグループは、日本電信電話株式会社(以下、NTT)物性科学基礎研究所の都倉 康弘 グループリーダーとの共同研究により、電子スピン(注1)を利用した量子ビットで、初めて「量子もつれ(注2)」の制御に成功し、2スピン量子ビット(注3)演算を実証しました。 電子スピンは電子が持つ磁石のような性質で、その向きを操作することにより、量子情報の基本単位である「量子ビット」として利用することができます...
-
昭和電工、8月1日納入分よりエレクトロニクス分野向けフッ素系高純度ガス価格を値上げ
エレクトロニクス分野向けフッ素系高純度ガスの価格改定について 昭和電工株式会社(社長:市川 秀夫)は、半導体等のエレクトロニクス分野で使用されるフッ素系高純度ガスの価格改定を以下のとおり行うことを決定し、このたびお客様との交渉を開始いたします。 〔価格改定の内容〕 (1)対象製品:高純度FC−116(以下分子式、C2F6) 高純度FC−14 (以下分子式、CF4) (2)値上げ幅:それぞれ500円/KG (3)実施時期:2011年8月1日以降納入分より適用 C2F6は、半導体の製造において、シリコン基板の上を覆う薄膜を生成する際に、その工程で使われる製造設備...
-
パテント・リザルト、大学・TLOの共同出願件数ランキングを発表
大学・TLOの共同出願件数ランキング、 トップ3は東北大学、東京大学、東京工業大学 経営分析、競合調査、特許分析の株式会社パテント・リザルトはこのほど、大学・TLOを対象とした共同出願件数ランキングをまとめました。 各大学・TLOにおける知財創出活動の一つに、民間企業・他研究機関と共同研究を行った際の成果として、共同研究先との特許出願(共同出願)が行われています。今回のランキングでは、各大学・TLOの共同出願件数を特許ステータスや技術分類件数内訳にも注目して集計しており、各大学・TLOが出願した特許の技術分類別に見た活用状況を知ることができます。 1位 東北大学は、全大学...
-
パテント・リザルト、SiCパワー半導体デバイスについての参入企業に関する調査結果を発表
SiCパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、デンソー、パナソニック 経営分析、競合調査、特許分析の株式会社パテント・リザルトはこのほど、SiCパワー半導体デバイスについて、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン(Si)によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、絶縁破壊電圧が高いSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されており、これらの材料を用いたパワー半導体デバイスは、Siと比較して、より損失を抑えることが可能にな...
-
東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功
東北大学、アモノサーマル法による高純度窒化ガリウムバルク単結晶育成に成功 (超臨界アンモニアを用いた結晶成長法により、パワーデバイス用窒化ガリウム基板の育成に道) <概要> 東北大学 多元物質科学研究所(所長:河村純一、以下「多元研」という)および原子分子材料科学高等研究機構(機構長:山本嘉則、以下「WPI」という)は、超臨界アンモニアを用いる「アモノサーマル法」による窒化ガリウム(GaN)【注1】結晶成長において、酸性鉱化剤の気相合成法を開発し、育成結晶中の残留酸素濃度が従来の100分の一以上低い窒化ガリウムバルク単結晶の高速育成に成功しました。更に、これを基板結晶として...
-
住友電工と仏ソイテック社、低コストGaN基板の開発で協業 住友電気工業株式会社(本社:大阪市、社長:松本正義 以下、住友電工)とフランスのS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.(本社:フランス パリ市、CEO:Andre − Jacques Auberton−Herve (アンドレ・ジャック オベルトン・アルベ)、以下、Soitec )は、低コストGaN(窒化ガリウム)基板の開発に関して協業を開始することとしました。 本協業により、住友電工の高品質GaN基板製造技術とSoitecのSmart Cut技術を組み合...
-
昭和電工とエア・ウォーター、エレクトロニクス分野向け特殊材料ガス製造合弁会社を設立
エレクトロニクス分野向け特殊材料ガス製造合弁会社設立について 昭和電工株式会社(社長:高橋 恭平、以下、昭和電工)とエア・ウォーター株式会社(会長兼社長:青木 弘、以下、エア・ウォーター)は、今般、エレクトロニクス分野向け特殊材料ガスを製造する合弁会社を設立することで合意いたしました。 1.合弁会社設立の背景・目的 エレクトロニクス分野向け特殊材料ガスは、太陽電池、半導体、液晶パネル、LEDなど様々なエレクトロニクス製品の生産工程において使用され、アジア地域を中心にその需要は着実に拡大しています。また、エレクトロニクス製品に対する高品質・高機能性・省エネルギー・省スペー...