アナログ・デバイセズ、９kHzから１３GHz周波数帯向けシリコン製SPDTスイッチを発表

アナログ・デバイセズ、シリコン製SPDTスイッチ「HMC１１１８LP３DE」を発表
厳しい要件が求められる試験測定アプリケーション向けに高速セトリング時間特性を提供


　アナログ・デバイセズ社（NASDAQ：ADI）は、本日、９kHzから１３GHz周波数帯向け動作仕様のシリコン製SPDT（単極双投）スイッチ「HMC１１１８LP３DE」を発表しました。この新しいSPDTスイッチは、８GHz動作で４８dBという高いアイソレーションと０．６dBという低い挿入損失が特長です。HMC１１１８LP３DEは、アナログ・デバイセズのRFおよびマイクロ波コントロール製品ポートフォリオの第一弾となる製品です。シリコン・プロセス技術固有の優位性を発揮することにより、従来のGaAs（ガリウム砒素）RFスイッチを上回る様々な利点を提供します。例えば、GaAsよりも１００倍高速なセトリング・タイムや、堅牢なESD（静電放電）保護性能（GaAsの２５０Vに対し２０００V）、高信頼性を保ちながらスイッチの周波数範囲をGaAsの１０００分の１という周波数まで拡張可能といったことが挙げられます。

　HMC１１１８LP３DEは、スルーモードで４W、ホットスイッチング動作モードで０．５Wという、業界をリードするRFパワー・ハンドリング能力を提供します。類似のRF帯域幅の競合製品と比較して２倍以上も優れたホットスイッチング・パワー・ハンドリング能力により、技術者は部品損傷のリスクを冒すことなく、アプリケーションおよびシステムの許容RFパワーを上げることができます。HMC１１１８LP３DEは、最高１３GHzまでの動作周波数範囲内において、高いアイソレーションと極めてフラットな伝送特性向けに最適化されており、かつ最低９kHzまで高い信号忠実度を保ちます。HMC１１１８LP３DEは、これらの特長の組合せにより従来のGaAsスイッチに代るローコスト版として、要件の厳しい試験測定、自動テスト装置、防衛用電子機器、およびワイヤレス通信アプリケーション向けに適しています。


■HMC１１１８LP３DE　SPDTスイッチの特長：
　○反射なしの５０オーム設計
　○正電圧制御：０／＋３．３V
　○低挿入損失：０．６８dB＠８GHz
　○高アイソレーション：５０dB＠８GHz
　○低カットオフ周波数：９kHz
　○高速セトリング・タイム：最終RF出力レベル０．０５dBまで７．５μ秒
　○業界をリードする高いパワー・ハンドリング能力：
　　・　スルー・パス時：３５．５dBm
　　・　終端パスおよびホットスイッチングの場合：２７dBm
　○高い直線性：
　　・　P１dB：＋３７dBm　typ
　　・　IIP３：＋６１dBm　typ
　○ESD定格：２kV　HBM


■価格と供給について
　製品：HMC１１１８LP３DE
　パッケージ：
　　３mm×３mm
　　QFN　SMT
　１，０００個受注時の単価：６．１８ドル

（米国における販売価格）


【詳細情報】
　●HMC１１１８
　　http://www.analog.com/jp/hmc1118


■アナログ・デバイセズについて
　アナログ・デバイセズは、半導体製品とソリューションを提供しています。
　１９６５年に設立され、世界をリードする信号処理技術で「アナログとデジタル」「夢と現実」との懸け橋を担ってきました。
　５０周年という節目を迎え、「想像を超える可能性を」という新たなスローガンを掲げ、イノベーションを加速し、ブレークスルーを生むソリューションをお客様と共に切り拓いていきます。http://www.analog.com/jp


　※参考画像は添付の関連資料を参照