三菱電機、１４ＧＨｚ帯で出力１００ＷのＧａＮ　ＨＥＭＴ増幅器を開発

衛星通信地球局設備の小型・軽量化に寄与
１４ＧＨｚ帯で世界最高の出力１００Ｗ　ＧａＮ　ＨＥＭＴ増幅器を開発



　三菱電機株式会社はＫｕ帯（※１）衛星通信に使用される１４ＧＨｚ帯で世界最高（※２）の１００Ｗの出力電力が得られるＧａＮ（※３）ＨＥＭＴ（※４）増幅器を開発しました。今回の開発により、衛星通信地球局（※５）などに使用される電力増幅器の小型・軽量化が可能になります。

　※１　周波数１２．４ＧＨｚ〜１８ＧＨｚのマイクロ波。
　※２　２０１２年４月２５日現在、当社調べ。
　※３　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ｎｉｔｒｉｄｅ：窒化ガリウム。
　※４　Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ
　※５　衛星通信で地上に設置される基地局。


＊製品画像は、添付の関連資料を参照


＜開発の特長＞

１．１４ＧＨｚ帯のＧａＮ　ＨＥＭＴ　増幅器で世界最高出力１００Ｗを実現
　・素子微細化と低損失回路により１４ＧＨｚ帯用固体増幅器として世界最高（※３）出力の１００Ｗを実現
　・従来比でＧａＮでは約２倍（※６）、ＧａＡｓ（※７）では約４倍（※８）の高出力を実現

　※６　当社従来発表（ＩＭＳ２０１１における学会発表）との比較。
　※７　Ｇａｌｌｉｕｍ　Ａｒｓｅｎｉｄｅ：ガリウムヒ素。
　※８　当社従来製品ＭＧＦＫ４４Ａとの比較。

２．複数増幅器の合成が不要になり、マイクロ波送信機の小型化に寄与
　・高出力化に必要だった複数の増幅器の合成が不要になりマイクロ波送信機の小型化に寄与
　・送信増幅器の大きさをおおよそ１／６に小型化可能に


＜開発の概要＞

　＊添付の関連資料を参照


＜開発の背景＞
　さまざまな場所からの通信や、災害などで地上通信網が不通になった際にも利用できる衛星通信が注目されています。衛星通信は上空３万６０００キロメートルの静止衛星に電波を送信するため、電力増幅器には大きい出力と高い信号品質が必要です。また、車載や可搬での運用が求められることから、機器の小型化も求められています。
　従来、衛星通信用電力増幅器の増幅素子にはＧａＡｓが用いられてきましたが、近年、絶縁破壊耐圧が高く、高電圧で動作させることで高出力化が可能なＧａＮが採用されています。
　当社はＣ帯衛星通信用に使用される６ＧＨｚで出力１００ＷのＧａＮ　ＨＥＭＴ増幅器のサンプル出荷を開始しておりますが、減衰が大きいＫｕ帯での出力１００Ｗの実現は困難でした。
　今回、増幅素子の微細化と低損失回路とにより１４ＧＨｚ帯において世界最高の出力電力を達成したＧａＮ増幅器を開発しました。


＜特長の詳細＞

　＊添付の関連資料を参照


＜特許＞
　国内　１０件、海外５件出願中


＜開発担当研究所＞
　三菱電機株式会社　情報技術総合研究所　業務部
　〒２４７−８５０１　神奈川県鎌倉市大船五丁目１番１号
　ＦＡＸ　０４６７−４１−２１４２
　http://www.MitsubishiElectric.co.jp/corporate/randd/inquiry/index_it.html