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磁気抵抗メモリ
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東北大と東大など、マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功
マンガン系合金ナノ薄膜を用いたMRAM記憶素子の開発に成功 −大容量の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に寄与− 【成果のポイントと概要】 ・特性の優れたマンガン系合金ナノ薄膜からトンネル磁気抵抗(TMR)素子(注1)を作製することに世界で初めて成功。 ・結晶格子のわずかな歪みが巨大なTMR効果発現につながることを理論計算から予測。 ・次世代の低消費電力・大容量・高速なMRAM開発に寄与する成果。 内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)佐橋 政司プログラム・マネージャーの研究開発プログラムの一環として、東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI...
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東北大など、絶縁体に光を照射してスピン流を創り出す新しい原理を発見
絶縁体に光を照射してスピン流を創り出す新しい原理を発見 〜新原理・新機能のエネルギー変換技術開発に道〜 <ポイント> ・光からスピン流を生成できる新しい原理、現象を発見。 ・光、熱、振動、電磁波などのさまざまなエネルギーを単一デバイスの駆動源として用いることが原理的に可能に。 ・新しいエネルギー変換技術や融合研究分野の形成に貢献。 JST戦略的創造研究推進事業において、東北大学 金属材料研究所の内田 健一 准教授らは、特定の金属微粒子を含む磁石に可視光を照射することで、スピン(注1)(磁気)の流れを生成できる新しい原理を実証しました。 近年、持続可能な社会に向けた環境、エネル...
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慶大など、磁気の波の重ね合わせを利用した新しい論理演算方式の原理を実証
磁気の波の重ね合わせを利用した新しい論理演算方式の原理を実証 −高性能、省電力の画期的コンピューターにつながる基盤技術の開拓− <ポイント> ・コンピューターの演算装置は電力漏れや発熱により性能向上に限界。 ・電気ではなく磁気の波であるスピン波を重ね合わせる新構造の素子を開発し、その論理演算の原理を世界で初めて実証。 ・高速作動につながる7GHzの高周波信号での論理演算にも成功。 ・将来的なコンピューターの飛躍的な高性能化や省電力への貢献に期待。 JST 課題達成型基礎研究の一環として、慶應義塾大学 理工学部の関口 康爾 専任講師と能崎 幸雄 准教授らは、薄膜化した金属磁性体を用...
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東京エレクトロン子会社、アイルランドの磁場中熱処理装置開発会社MSL社を買収
マグネティック・ソリューションズ社買収についてのお知らせ 東京エレクトロン株式会社(本社:東京都港区、社長:竹中 博司)は、当社の子会社であるTokyo Electron Europe Limitedが、磁場中熱処理装置の開発・製造・販売を行うマグネティック・ソリューションズ社(Magnetic Solutions Ltd. 以下MSL社、本社:アイルランド共和国ダブリン州, CEO:Dave Hurley)を買収することについて、合意に達しましたことをお知らせします。 磁気抵抗メモリ(MRAM)は、低消費電力で高速書き込み処理が可能という特長から、将来のキーデバイスと...
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産総研、相変化固体メモリーが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見
相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現 −常温で2000%を越える磁気抵抗比− <ポイント> ・世界で初めて相変化メモリー(PCRAM)が常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見 ・超格子型の相変化膜を用いることで、大きなトポロジカル誘電性とラシュバ効果が出現 ・極低消費電力の次世代不揮発性メモリーやロジックへの新展開に期待 <概 要> 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】富永 淳二 上席研究員 兼 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長 横山 直樹...