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東芝、最先端プロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリを発売
最先端プロセスを用いた組込み式NAND型フラッシュメモリの発売について
―19nm第二世代プロセスを用いたJEDEC e・MMC(TM) Version 5.0準拠の新製品―
当社は、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに、19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した、32GBと16GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ(e・MMC(TM)(注1))を製品化し、11月下旬から量産を開始します。
新製品は、今年9月に開催されたJEDECで正式に策定されたe・MMC(TM) Version 5.0(注2)に準拠し、19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリとコントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NAND型フラッシュメモリです。最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品(注3)に比べてパッケージサイズ面積が22%小型化しました。
また、新規高速インターフェース規格HS400の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来製品に比べて読み出し速度が64%、書き込み速度が32GBで38%、16GBで25%、高速化しました。
なお、4GB、8GB、64GB、128GBの製品も順次量産を行う予定です。
近年、スマートフォンやタブレット、デジタルビデオカメラなどの様々な携帯機器で、高画質動画を記録したり、大容量のデータベースを加工・記録するニーズが高まっており、それらを保存する大容量メモリが求められています。当社は、今後も機器側の開発負担軽減に寄与する大容量メモリ製品のラインアップを強化していきます。
注1:embedded MultiMediaCard。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDECの登録商標です。
注2:JEDECが規定する組込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格の一つ。
注3:19nm第一世代プロセスを用いた高速クラスの組込み式NAND型フラッシュメモリ(e・MMC(TM))。
<新製品の概要>
※添付の関連資料を参照
<新製品の主な特長>
1.NAND型フラッシュメモリの制御機能を搭載
NAND型フラッシュメモリの制御機能(書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど)を搭載しており、ユーザー側での開発負荷が軽減され、システム開発期間の短縮につながります。
2.19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用
最先端の19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを、32GBモデルでは4枚、16GBでは2枚採用しています。
3.小型化と高速化を実現
11.5mm×13mmの小型FBGAパッケージを採用しているため、小型軽量化が求められるスマートフォンやタブレットへの搭載に適しています。また、従来製品に比べて読み出し速度が64%、書き込み速度が32GBで38%、16GBで25%高速化しました。
4.大容量データの記録が可能
32GBモデルでは、HD画質動画で4.1時間、SD画質動画で9.6時間、ワンセグでは161時間の映像データ(注4)の記録が可能です。
注4:各平均ビットレートは、HD画質 約17Mbps、SD画質 約7Mbps、ワンセグ(QVGA) 約416Kbpsで計算。
<新製品の主な仕様>
※添付の関連資料を参照
以上
※製品画像は、添付の関連資料を参照
■新製品についてのお客様からのお問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部 03−3457−3461