ミリ波レーダなどの開発に応用可能なMOS可変容量ダイオードの設計モデル手法を開発 −直流帯からミリ波帯まで一つのモデルで高精度に特性を再現− 　当社は、岡山県立大学情報工学部情報通信工学科集積回路工学研究室　伊藤信之教授と共同で、直流帯から高周波のミリ波帯まで高精度に特性を再現できるMOS可変容量ダイオードのシミュレーションモデルを開発しました。 　開発したモデルは、１MHzの低周波から、今後利用拡大が見込まれる６０GHzのミリ波帯におけるMOS可変容量ダイオード（＊１）の持つ形状依存性を解析した結果を反映させて、独自の式を導入し、一つのモデルで実現したものです。色々なサイズが使われるMOS可変容量...