IRジャパン、FastIRFETファミリーのパワーMOSFETを２個内蔵したパワー・ブロックを発売

インターナショナル・レクティファイアー
表面が露出したPQFNパッケージにパワーMOSFETを２個内蔵したパワー・ブロックを発売
〜FastIRFET(TM)ファミリーの製品、DC−DC変換を高効率化〜


　パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）株式会社（本社：東京都新宿区）は８日、パワー・ブロック・デバイスのファミリーを拡大し、FastIRFET(TM)ファミリーのパワーMOSFETを２個搭載した製品「IRFHE４２５０D」を発売しました。このデバイスは、従来の最高クラスのパワー・ブロック・デバイスと比べて、２５Aでの電力損失を５％以上低減します。この耐圧２５Vのデバイスは、先進的な通信／ネットコム機器、サーバー、グラフィックス・カード、デスクトップ・パソコン、ウルトラブックやノート・パソコンなどの１２V入力の同期整流方式のバック（降圧）型DC−DCコンバータ＊１）向けに開発されました。

　IRFHE４２５０Dは、IR社の最新世代のシリコン・チップを搭載し、パワー・ブロック・パッケージのプラットフォームである面積６mm×６mmのPQFNパッケージ品を拡大した製品です。パッケージの表面が露出し、高さが低い（０．７５mm以下）のでプリント回路基板の裏面に実装できます。このため熱特性が優れています。電力密度を高め、スイッチング損失を低減するために、オン抵抗とゲート電荷を低く抑え込んだため、プリント回路基板の面積を小さくでき、システム全体の効率を向上できます。
　FastIRFET(TM)ファミリーのMOSFETである定格６０AのIRFHE４２５０Dは、パワー・ブロックでは世界で初めて表面が露出したパッケージに収められ、最高の効率を求める高性能DC−DC変換の用途向けに業界をリードする電力密度を実現しています。

　IRFHE４２５０Dは、IR社のすべてのパワー・ブロック・デバイスと同様に、小さな実装面積で大電流、高効率、高い周波数特性を実現できると同時に、設計の柔軟性を提供するために任意のコントローラやドライバで動作します。この製品によって、面積６mm×６mmのPQFNパッケージで提供されるIR社のパワー・ブロック製品の品種が、さらに拡大しました。

　IRFHE４２５０Dは、工業用品質で耐湿性レベルは２（MSL２）、表面が露出した６mm×６mmのPQFNパッケージで提供されます。部材は鉛フリーで欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）に準拠しています。データシートは、IR社のウエブサイト（http://www.irf.com）で入手できます。


＜価格＞
　FastIRFET(TM)ファミリーのIRFHE４２５０Dの１０００個購入時の単価は、１．４４米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データシートと画像データはIRジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）からも入手できます。


　表　表面が露出したPQFNパッケージにパワーMOSFETを２個搭載した新しいデバイスの仕様

　※添付の関連資料を参照


＜用語説明＞
　＊１）DC−DCコンバータ：直流電圧を直流電圧に変換する回路です。例えば、パソコンやインターネット機器などの内部で基準とする電圧の１２Vを、ASIC（特定用途向けIC）やマイクロプロセッサ（MPU）などのICを動作させるためのさまざまな電源電圧、例えば５V、３．３V、１．７V、１．２Vなどの電圧に変換する回路です。DC−DCコンバータの出力回路は一般的に、制御（コントロール）用のMOSFETと同期整流（シンクロナス）用のMOSFETを組み合わせて構成します。制御用MOSFETには、スイッチング損失を減らすためにゲート電荷の小さいものが要求され、同期整流用には、導通損失を減らすためにオン抵抗の低いものが要求されます。今回の製品は、制御用MOSFETと同期整流用MOSFETの両方を搭載しています。


　※製品画像は添付の関連資料を参照


＜インターナショナル・レクティファイアー（IR(R)）社について＞
　IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ／デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモータの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。


＜商標に関する注意＞
　FastIRFET(TM)は、International　Rectifier　Corporationの商標です。IR(R)は、International　Rectifier　Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。