グラフェンのナノパターン成長技術を確立 〜シリコンとグラフェンが融合した多機能集積回路へ道〜 ＜概要＞ 　東北大学電気通信研究所（宮城県仙台市、以下東北大通研）の吹留博一准教授らは、東北大学大学院工学研究科、及び（公財）高輝度光科学研究センター（兵庫県佐用郡佐用町、以下JASRI）と共同で、次世代材料として有望視されているグラフェンとシリコン（Si）テクノロジーとの融合デバイスの実現に向けた、微細加工Si基板上へのグラフェンの位置選択的な結晶成長技術の確立に初めて成功しました。本研究成果は、立体的なグラフェンによる多機能集積回路の基盤技術になることが期待されます。 ＜背景＞ 　炭素の二次元...