日本TI、高電圧バッテリー向けに１００V　ハイサイドFETドライバー製品を発表

日本TI、高電圧バッテリ向けに、
業界初の１００V　ハイサイドFETドライバ製品を発表
先進の産業用バッテリ・アプリケーション向けに、
他に例のない柔軟性と電源保護機能を提供


　日本テキサス・インスツルメンツは、リチウムイオン（Li−Ion）バッテリを搭載した高電力アプリケーション向けに、先進の電源保護や制御機能を提供する、業界初のワンチップ　１００V　ハイサイド（高電圧側）FETドライバ製品を発表しました。新製品の『bq７６２００』高電圧ソリューションは、蓄電のバッテリ・システムやドローン、電動工具、電動スクーターなどのモーター駆動のアプリケーションに使用されるバッテリ・パック内で、ハイサイドの充電用と放電用のNチャネルFETを高効率で駆動します。製品の詳細に関してはhttp://www.tij.co.jp/bq76200-pr-jpをご覧ください。

　『bq７６２００』１００VハイサイドFETドライバは、代表的な５０V　ローサイド（低圧側）FET　ドライバ・ソリューションと比較して、モーター駆動のアプリケーションで、通常のバッテリ電圧の２倍に達する可能性を持つ過渡波形に対して、高い保護性能を提供します。また『bq７６２００』は、充電や放電FETがオフした場合でも、バッテリ・モニタリングとシステム診断を維持することができます。


■『bq７６２００』の主な特長：
　・広い電源電圧範囲：絶対最大定格は１００Vで、電源電圧は８V〜７５Vに対応し、様々な容量のバッテリ・システムに対応可能
　・先進の保護FET制御：高速のスイッチング特性により、異常時の放電に対して最小時間で放電FETをオフすることによるバッテリの保護
　・開発期間を短縮：チャージ・ポンプ用コンデンサを変更するだけで小型から大規模なパワーFETアレイまでサポートできる適応性により、設計・開発期間を短縮
　・高集積度、小型パッケージ：『bq７６２００』は高電圧チャージ・ポンプやデュアルFETドライバを５　×　４．４　×　１mmのTSSOPパッケージで提供

　『bq７６２００』は『bq７６９４０』バッテリ・モニタリング製品ファミリと組み合わせることで、各種アプリケーションをハイサイドFET方式に移行でき、通信の常時確保を可能にします。また、『bq７６２００』はTIの『CSD１９５３１Q５A』　１００V　NexFET(TM)　パワー　MOSFETを駆動することができ、bq７６２００　評価モジュールもこの構成で提供されます。


■価格と供給
　『bq７６２００』はTI　storeと販売特約店から供給中です。パッケージは１６ピンTSSOPで、１，０００個受注時の単価は１．６９ドルです。


■TIの電池管理ソリューションに関する情報
　・ブログ記事「スイッチングFETのハイサイド構成とローサイド構成の違い」を参照
　・「TIのbq７６２００　１００Vバッテリ・ハイサイドFETドライバ」および「bq７６２００　評価モジュール」に関するビデオ


　※WEBENCHはTexas　Instrumentsの登録商標です。NexFETはTexas　Instrumentsの商標です。その他すべての商標および登録商標はそれぞれの所有者に帰属します。


　＊参考画像は添付の関連資料を参照


■テキサス・インスツルメンツおよび日本テキサス・インスツルメンツについて
　テキサス・インスツルメンツは（本社：米国テキサス州ダラス、会長、社長兼CEO：リッチ・テンプルトン、略称：TI）は、未来のイノベーションを生み出すアナログICおよび組込みプロセッサを主に開発設計・製造するグローバルな半導体企業です。未来を変革する１０万社にのぼるお客様を支援しています。当社の情報はホームページ（http://www.tij.co.jp）をご参照ください。

　日本テキサス・インスツルメンツ（本社：東京都新宿区、社長：田口　倫彰、略称：日本TI）は、テキサス・インスツルメンツの子会社で日本市場における外資系半導体サプライヤです。当社に関する詳細はホームページ（http://www.tij.co.jp）をご参照ください。


＜読者向けお問い合わせ先＞
　日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
　プロダクト・インフォメーション・センター（PIC）
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