エルピーダメモリ、３０ｎｍプロセス採用４ＧバイトＤＤＲ３　ＳＯ−ＤＩＭＭのサンプル出荷を開始

最先端３０ｎｍプロセス採用
４ＧバイトＤＤＲ３　ＳＯ−ＤＩＭＭのサンプル出荷を開始
世界最少レベルの消費電流を達成


※製品画像は、添付の関連資料を参照

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼ＣＥＯ：坂本幸雄　以下、エルピーダ）は、このたび、３０ｎｍプロセス４ＧバイトＤＤＲ３　ＳＯ−ＤＩＭＭのサンプル出荷を開始いたしました。本製品は、現在ＤＲＡＭ製造において最先端となる３０ｎｍプロセスの２ＧビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭを１６個搭載し、４Ｇバイトの大容量を実現したＤＲＡＭモジュールです。

　性能面では、当社４０ｎｍ　ＤＲＡＭモジュールに比べ、実システム上で動作時電流を２０％削減かつ待機時電流を３０％削減しており、世界最少レベルの消費電流を実現しています。バッテリー駆動時間の向上が求められるノートＰＣやネットブック、タブレットＰＣなどでは、特に省電力化が重要な課題となっており、本製品はその要求にお応えするエコフレンドリーＤＲＡＭです。
　さらに、そのデータ転送速度は最大１８６６Ｍｂｐｓを誇り、扱うデータ量が増加の一途を辿るコンピュータ機器の高機能化・高性能化をサポートいたします。

　コスト面では、４０ｎｍから３０ｎｍへの移行にあたり、製造プロセスの変更を最少にすることで新たな投資を抑制しコスト低減を図っています。本製品は、３０ｎｍの最先端微細加工技術を用い、性能面のみならず非常にコスト競争力の高い製品となっています。

　このたびサンプル出荷を開始した３０ｎｍプロセス４ＧバイトＤＤＲ３　ＳＯ−ＤＩＭＭは、２０１１年１−３月期の量産開始を予定しています。


＜新製品の主な仕様＞
　品名：ＥＢＪ４１ＵＦ８ＢＤＳ０
　製造プロセス：３０ｎｍ　ＣＭＯＳ
　容量：４Ｇバイト
　搭載デバイス：２ＧビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭ（×８ビット構成）、１６個搭載
　データ転送速度：１８６６Ｍｂｐｓ（Ｍａｘ．）
　電源電圧：１．５Ｖ±０．０７５Ｖ
　動作温度範囲（ＴＣ）：０〜＋９５℃
　外形：２０４−ｐｉｎ　ＳＯ−ＤＩＭＭ


以上