東芝、１９ｎｍプロセスを用いた大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発

最先端プロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発について
―１９ｎｍプロセスを用いた６４ギガビットの大容量品を開発―



　当社は、世界最小の１９ｎｍ（注１）プロセスを用いた６４ギガビット（８ギガバイト）の大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発し、今月末からサンプル出荷を開始します。２０１１年第３四半期（２０１１年７−９月期）から量産出荷を開始する予定です。また、今後、３ビット／セルの製品もラインアップに加えていきます。

　今回開発した６４ギガビット品は、世界で初めて（注２）１０ｎｍ台のプロセスを採用し、従来品よりもチップサイズを縮小しています。スマートフォンやタブレットＰＣで採用されている小型のパッケージ内に１６段までの積層が可能となり、より大容量の製品の実現が可能です。インターフェース仕様にはＮＡＮＤ型フラッシュメモリのＴｏｇｇｌｅ　ＤＤＲ２．０仕様を採用しデータの高速転送を実現しています。

　近年、スマートフォンやタブレットＰＣなどの携帯機器やＳＳＤの普及が進み、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの大容量化、高性能化に対する要求は益々高まっています。当社は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの微細化、高速化を推進することで、市場の要求に応え、拡大する需要に対応していくとともに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ市場におけるリーダーシップを堅持していきます。


注１　ｎｍ：ナノメートル。１０−９ｍ
注２　当社調べ（２０１１年４月現在）


以上