東芝、半導体新製造棟の建設に備え四日市工場の隣接地を取得

半導体新製造棟の建設を目的とした土地取得について
四日市工場の敷地を拡張


　当社は、将来の３次元フラッシュメモリ「BiCS　FLASH(TM)」における製造棟の建設に備え、四日市工場（三重県四日市市）の隣接地取得をこのたび決定しました。対象は四日市工場の東側と北側にある土地で、取得面積は約１５万m2、取得費用は約３０億円を予定しています。取得後、２０１６年度末を目途に造成を完了する予定です。
　なお、新しい製造棟の建設時期、生産能力、生産設備への投資など具体的な計画については、市場動向を踏まえ、２０１６年度中に決定する予定です。

　フラッシュメモリは、スマートフォンなどで多く使われており、エンタープライズ用サーバやデータセンタ向けを中心に、今後も需要拡大が見込まれます。四日市工場では、３次元フラッシュメモリ「BiCS　FLASH(TM)」の製造にあたり、２次元NAND型フラッシュメモリと共通の既存の製造工程を効率的に活用するため、これらの工程に３次元化のための専用工程を組み合わせる計画です。同工場において、３次元専用工程の製造棟として、新第２製造棟（建屋全体の竣工は２０１６年度前半を予定）を建設していますが、さらに将来の需要拡大に対応するためには、新たに３次元専用工程の製造棟を建設する必要があります。既存敷地内には、新規に建屋を建設するスペースが確保できないため、２次元NAND型フラッシュメモリから３次元フラッシュメモリ「BiCS　FLASH(TM)」への切り替えが必要になった際、建屋を速やかに建設できるよう、今回工場隣接地の取得を決定したものです。

　今後も当社は、メモリ事業を注力事業と位置付け、必要な投資の実施など競争力強化に向けた取り組みを進めます。

　＊BiCS　FLASH(TM)は、株式会社東芝の商標です。