半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初のＧａＮ系半導体剥離プロセスを開発 〜紫外光を有効活用できる太陽電池、薄い発光ダイオード（ＬＥＤ）作製などへの適用に期待〜 　日本電信電話株式会社（本社：東京都千代田区、代表取締役社長：三浦　惺、以下　ＮＴＴ）は、現在発光ダイオード（ＬＥＤ）などに広く使用されている窒化ガリウム（以下ＧａＮ）系半導体薄膜素子（※１）を成長用サファイア基板（※２）から簡単に剥離するプロセスの開発に成功しました。 　今回の技術を用いることにより、２μｍ（０．００２ｍｍ）厚といった非常に薄いＧａＮ系半導体薄膜素子を低コストで作製することが可能になります。本技...