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米ビシェイ、低電圧の携帯電子機器向け8V PチャネルTrenchFET パワーMOSFETを発表

2011-08-20

ビシェイ社、実装面積が1.6mm x 1.6mm、高さが0.8mm以下のデバイスで
業界最小のオン抵抗(4.5Vで34mΩ)を実現した
8V PチャネルTrenchFET(R) パワーMOSFETを発表

新デバイス「SiB437EDKT」は
低電圧の携帯電子機器向けに定格電圧1.2Vのオン抵抗を提供


 ※製品画像は添付の関連資料を参照


 ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、実装面積1.6mm x 1.6mm、高さ0.8mm以下のPチャネルデバイスで業界最小のオン抵抗を実現した、ビシェイ・シリコニクスブランドの新しい8V PチャネルTrenchFET(R)パワーMOSFET「SiB437EDKT」を発表しました。なお、SiB437EDKTは定格電圧1.2Vのオン抵抗を提供する唯一のデバイスです。

 SiB437EDKTは、スマートフォン、MP3プレーヤ、携帯用メディアプレーヤ、デジタルカメラ電子書籍、タブレットPCなどの携帯機器のロードスイッチングに使用されます。このデバイスは耐熱性が向上したPowerPAK(R) SC−75パッケージに収められており、実装面積が小さく、高さも最大0.65mmと薄型なため、最終製品の小型化、薄型化を実現します。また低オン抵抗により導通損失を低減することができ、これらのデバイスの省電力化や電池動作時間の長時間化に有効です。

 このMOSFETのオン抵抗の定格電圧は1.5Vおよび1.2Vであり、レベルシフト回路を使わずに携帯用電子機器で一般的な低電圧ゲート駆動、低バス電圧の動作が可能です。特に、携帯用機器で充電が弱く電力消費を最大限抑える必要がある場合に有効です。

 SiB437EDKTのオン抵抗は非常に低く、4.5Vで34mΩ、1.8Vで63mΩ、1.5Vで84mΩ、1.2Vで180mΩです。実装面積が1.6mm x 1.6mm、高さが0.8mm以下で、このデバイスの性能に最も近い競合のPチャネルデバイスのオン抵抗は、4.5Vで37mΩ、1.8Vで65mΩ、1.5Vで100mΩあり、SiB437EDKTはそれぞれ、8%、5%、16%も低いオン抵抗を実現しています。
 このデバイスは、全数Rgテスト済であり、IEC−61249−2−21規格を満たすハロゲンフリー品で、RoHS指令2002/95/ECに適合しています。また、標準2000VのESD保護機能を備えています。

 サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12〜14週間です。


<ビシェイ・インターテクノロジー社について>
 ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等)および受動電子部品(抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等)メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。 http://www.vishay.com
 TrenchFETおよびPowerPAKはSiliconix incorporatedの登録商標です。

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