東京エレクトロン、枚葉成膜装置「Triase＋　EX−II　TiON」を受注開始

枚葉成膜装置Triase＋(TM)EX−II(TM)TiON受注開始のお知らせ


　東京エレクトロン株式会社（東京都港区、社長：河合利樹）は、枚葉メタル成膜装置Triase＋(TM)EX−II(TM)TiONの受注を２０１６年８月より開始することをお知らせいたします。

　このたび受注を開始するTriase＋　EX−II　TiON（TiON：酸窒化チタン）は、TiN膜（TiN：窒化チタン）に酸素を含有させることができる高速枚葉ASFD（＊１）装置です。Triase＋　EX−II　TiONは、Triase＋　EX−II　TiNシリーズの特徴であるチャンバー反応空間の最適化とユニークなガス導入機能を継承しています。本装置で生成されるTiON膜は、従来より用いられてきたTiN膜よりも高い仕事関数（＊２）が実現できることからMIMキャパシタ（＊３）の電極として使うことでリーク電流低減に効果があります。またTriase＋　EX−II　TiNから改造が可能であり、お客さまの投資コスト低減にも寄与します。

　東京エレクトロン株式会社　執行役員　兼　TFF　BUGM　多田新吾は、「Triase＋　EX−II　TiONは、半導体製造プロセスで常に求められる微細化の要求に性能、コストの両面から貢献できる製品です。今後も幅広い成膜アプリケーションに対応するため、Triase＋　EX−IIシリーズで扱うことのできる膜種の拡充に努めてまいります」と述べています。

　東京エレクトロンは、革新的な技術開発力を生かした高付加価値製品で、先端デバイスの技術課題に対して最適なソリューションを提案してまいります。

　＊１　ASFD：Advanced　Sequential　Flow　Depositionの略。ナノスケールで低温かつ緻密な膜を成膜できる手法。
　＊２　仕事関数：固体から電子を取り出すために必要な最小のエネルギー。
　＊３　MIMキャパシタ：Metal（金属）−Insulator（絶縁膜）−Metal（金属）の略称。絶縁膜を金属で挟み込んだキャパシタ構造。

　Trias、Triase＋およびEX−IIは、東京エレクトロングループの日本およびその他の国における商標です。