STマイクロ、TO−２２０FP　Wide　Creepageパッケージで提供される１５００V耐圧パワーMOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクス、
TO−２２０FP　Wide　Creepageパッケージで提供される
世界初の１５００V耐圧パワーMOSFETを発表


　STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、アーク放電耐性を持つ新しいTO−２２０　FullPAK（TO−２２０FP）wide　creepageパッケージで提供されるパワーMOSFETの製品ポートフォリオを発表しました。このポートフォリオには、世界初の１５００V耐圧パワーMOSFET（スーパージャンクション型）も含まれます。

　TO−２２０FP　wide　creepageパッケージは、テレビやPCなどの機器で一般的な電源アダプタ用のパワーMOSFETに最適なパッケージです。これらの電源は、パッケージ端子間のホコリや塵に弱く、汚染によって高電圧のアーク放電が発生することがあります。従来のパッケージは端子間の距離が２．５４mmしかなく、端子間の放電防止のために、メーカーは樹脂ポッティング、リード・フォーミング、絶縁スリーブ、絶縁シールなどの追加工程が必要になる場合がありました。この新しいパッケージでは、端子間距離が４．２５mmに広げられたため、安全規格への適合と同時に不良率の最小化が行えます。また追加工程も不要になり、製造工程の簡略化と生産性の向上が可能となります。

　TO−２２０FP　wide　creepageパッケージは、アーク放電に対する優れた耐性を持つのと同時に、従来のTO−２２０FPパッケージの良好な電気特性も継承しています。外形サイズも同等のため、設計への導入が容易で、既存の組立工程との互換性もあります。

　STは、韓国の電源メーカーで顧客でもあるSoluM社と協力し、このTO−２２０FP　wide　creepageパッケージを開発しました。SoluM社は、競合製品よりも堅牢かつコスト効率の高い新しい電源ソリューションを開発するため、この優れたパッケージを使用しています。

　現在、STは、TO−２２０FP　wide　creepageパッケージで提供するパワーMOSFETを、世界的な大手テレビ・メーカー向けに増産中です。この製品ポートフォリオは、オン抵抗の低い６００V耐圧パワーMOSFET　４品種（MDmesh（TM）M２、定格電流：８〜３４A、安全規格認定取得済み）、１５００V／１２００V耐圧のSTFH１２N１５０K５／STFH１２N１２０K５（MDmesh　K５、２０１６年第３四半期末までに安全規格認定の取得予定）で構成されています。

　詳細については、http://www.st.com/content/st_com/ja/products/power-transistors/power-mosfets.htmlをご覧ください。

■STマイクロエレクトロニクスについて
　STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。
　STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life．augmented」の実現に取り組んでいます。STは、１０万社を超えるお客様に半導体を提供しており、２０１５年の売上は６９．０億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com/jp）をご覧ください。

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