キヤノン、FOWLPへの対応力と生産性を高めた半導体露光装置「FPA−５５２０iV」を発売

FOWLP（※１）への対応力と生産性を高めたi線ステッパー（※２）
“FPA−５５２０iV”を発売


　キヤノンは、先端パッケージ市場において、高い解像力と重ね合わせ精度で定評のある半導体露光装置「FPA−５５１０iV」（２０１１年７月発売）の後継機種として、FOWLP向け機能の強化と生産性のさらなる向上を実現した半導体露光装置“FPA−５５２０iV”を７月５日より発売します。

　＊製品画像は添付の関連資料を参照


　モバイル市場における小型化・省電力化の流れに伴い、半導体チップの高集積化・薄型化への要求が一段と高まっています。この要求を満たす次世代パッケージ技術として、FOWLP技術が注目されています。同技術は、プロセッサーやメモリーなどさまざまな機能を持つ異種半導体チップを同一パッケージ内で接合したSystem　in　Package（SiP）を薄く製造できる技術で、半導体デバイスの高集積化・薄型化を低コストで実現する技術として期待を集めています。
　“FPA−５５２０iV”は、高い解像力（１μm（※３）：オプション適用時）と高い重ね合わせ精度（０．１５μm）を継承したうえで、従来機種よりもFOWLPで課題となる再構成基板（※４）の反りやチップの配列ばらつきへの対応力強化と、生産性のさらなる向上を実現しました。これにより、技術進化と多様化が急速に進むパッケージ市場における多様なニーズに応えます。


■次世代パッケージ技術の量産課題を解決
　FOWLP技術で使用される再構成基板は、大きく反った形状をしています。新製品では、搬送システムと基板ステージの吸着方式を全面的に見直すことで、基板の形状変化に柔軟に対応し、精度の高いパターニングを可能としました。薄い再構成基板から通常のシリコンウエハー、ガラスウエハーを貼り合わせた厚い基板まで、多様な基板に対応します。


■先端後工程用i線ステッパーとして最高水準の生産性を実現（※５）
　後工程で使用される厚膜フォトレジストは、高い露光量を必要とします。新製品は従来機種に対して３０％照度を向上させることにより、露光時間を短縮し、ウエハーの処理能力を２０％（※６）高めています。今後ますます生産量の拡大が期待される、後工程メーカーの生産性向上に貢献します。

　※１　Fan　Out　Wafer　Level　Packageの略。パッケージ技術の一種。基板レス、パッケージ面積がチップより大きく多ピンのパッケージへの対応が可能などのメリットがある。
　※２　水銀ランプ波長３６５nmの光源を利用した半導体露光装置。１nm（ナノメートル）は１０億分の１メートル。
　※３　１μm（マイクロメートル）は、１００万分の１メートル（＝１０００分の１mm）。
　※４　前工程で製造されたウエハーから個片化された複数の半導体チップを、配列し、樹脂でウエハー形状に固めた基板。
　※５　同等クラスのi線ステッパーにおいて。２０１６年７月４日現在。（キヤノン調べ）
　※６　従来機種「FPA−５５１０iV」比、露光条件：３００mmウエハー、６０ショット、１００００J／m２での単位時間当たりのウエハー処理数。


　＊主な特長などリリース詳細は添付の関連資料を参照


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